专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]导电性构件、其制造方法、处理盒以及电子照相图像形成设备-CN202080072915.7有效
  • 植松敦;古川匠;平松隆 - 佳能株式会社
  • 2020-10-09 - 2023-06-27 - G03G15/02
  • 提供一种即使在高速化的主体中也能够抑制重影的产生并且提供高品质图像的导电性构件。所述导电性构件具有导电性支承体和导电层。所述导电层具有包括第1橡胶的交联产物的基质和分散在所述基质中的多个域。所述域各自包括第2橡胶的交联产物和导电性颗粒。所述导电性构件的外表面具有多个凹部,并且至少一部分所述域的表面在所述凹部的底部露出所述导电性构件的外表面。所述基质的体积电阻率大于1.0×1012Ωcm,并且所述导电层的体积电阻率为1.0×105~1.0×108Ωcm。如果在使用原子力显微镜的悬臂施加80V的直流电压时,导电性支承体和导电性构件的表面基质之间的电流值为A1,并且导电性支承体和导电性构件的表面域之间的电流值为A2,则A2为A1的20倍以上。
  • 导电性构件制造方法处理以及电子照相图像形成设备
  • [发明专利]图像形成装置-CN201910920472.1有效
  • 平松隆;伊藤元就;木原英夫 - 佳能株式会社
  • 2016-09-09 - 2021-10-08 - G03G15/00
  • 公开了图像形成装置。该图像形成装置包括被构造为执行清洁操作的控制部分,清洁操作包括:第一步,在显影剂承载构件通过接触/分离单元与图像承载构件分离的状态下,使具有反转极性并且被吸引到充电辊的表面的显影剂具有正常极性;以及第二步,在显影剂承载构件在执行第一步之后通过接触/分离单元与图像承载构件接触的状态下,通过使图像承载构件和显影剂承载构件旋转来将具有正常极性并且被吸引到图像承载构件的表面的显影剂收集到显影剂承载构件。
  • 图像形成装置
  • [发明专利]图像形成装置-CN201610813701.6有效
  • 平松隆;伊藤元就;木原英夫 - 佳能株式会社
  • 2016-09-09 - 2019-10-25 - G03G15/00
  • 公开了图像形成装置。该图像形成装置包括被构造为执行清洁操作的控制部分,清洁操作包括:第一步,在显影剂承载构件通过接触/分离单元与图像承载构件分离的状态下,使具有反转极性并且被吸引到充电辊的表面的显影剂具有正常极性;以及第二步,在显影剂承载构件在执行第一步之后通过接触/分离单元与图像承载构件接触的状态下,通过使图像承载构件和显影剂承载构件旋转来将具有正常极性并且被吸引到图像承载构件的表面的显影剂收集到显影剂承载构件。
  • 图像形成装置
  • [发明专利]显影单元及处理盒-CN201380066802.6有效
  • 渡边泰成;平松隆 - 佳能株式会社
  • 2013-12-13 - 2019-05-17 - G03G15/08
  • 本发明涉及一种显影单元,其包括:显影剂容器,其容纳显影剂;显影剂承载部件,其承载从显影剂容器供给的显影剂;磁场产生部件,其布置在显影剂承载部件中,磁场产生部件具有磁场产生区域,磁场产生区域产生磁场以用于将显影剂吸引到显影剂承载部件;和密封部件,其布置在显影剂容器处,密封部件防止显影剂从显影剂承载部件的纵向端部和显影剂容器之间的间隙泄漏。磁场产生部件的磁场产生区域的端部在显影剂承载部件的纵向方向上布置在密封部件的内端内侧。显影剂承载部件在保持与图像承载部件接触的同时利用显影剂使形成在图像承载部件上的潜像显影。
  • 显影单元处理
  • [发明专利]充电装置、处理盒和成像设备-CN201610124123.5有效
  • 伊藤元就;岩山广由;平松隆;深泽悠 - 佳能株式会社
  • 2016-03-04 - 2019-03-15 - G03G15/02
  • 本发明涉及充电装置、处理盒和成像设备。充电装置包括:充电构件,其与图像承载构件接触,并且配置成在转动的同时给图像承载构件充电;以及刷构件,其与充电构件接触,其中,充电构件包括力接收部,在充电构件转动的同时该力接收部接收在使充电构件沿充电构件纵向移动的方向上的力,其中,充电构件在不同于力接收部位置的位置处与刷构件接触,以及其中,由充电构件在力接收部处接收的纵向力分量与由充电构件接收的因刷构件中刷毛倾斜所产生的纵向力分量处于相同的方向。
  • 充电装置处理成像设备
  • [发明专利]叠层陶瓷电子元件-CN201180058768.9有效
  • 齐藤义人;平田阳介;平松隆 - 株式会社村田制作所
  • 2011-12-02 - 2017-07-18 - H01G4/12
  • 本发明提供一种亦可耐例如500℃之较高温度所引起之热冲击之叠层陶瓷电容器。该叠层陶瓷电容器包括叠层体(2),其包含经层叠的多个陶瓷层(3)与位于陶瓷层(3)之间之内部电极(4、5);且叠层体(2)具有向陶瓷层(3)之延伸方向延伸且互相对向之1对主面(6、7)、以及分别向相对于主面(6、7)正交之方向延伸之互相对向之1对侧面(8、9)及互相对向之1对端面。内部电极(4、5)系其厚度(C)为0.4μm以下,且分布于相对于1对侧面(8、9)之各自隔着30μm以下之宽度方向间距(A)而定位、且相对于1对主面(6、7)之各自隔着35μm以下之外层厚度(B)而定位之区域内。
  • 陶瓷电子元件
  • [发明专利]层叠陶瓷电子部件-CN201380026431.9有效
  • 和田博之;平田阳介;平松隆;齐藤义人;辻英昭;鹈饲洋行 - 株式会社村田制作所
  • 2013-04-30 - 2017-02-22 - H01G4/30
  • 提供一种不会因内部电极层的间断而引起性能降低、耐热冲击性良好且可靠性较高的层叠陶瓷电子部件。层叠部(10)之中,将包含与外层部(20)相接的区域的外层部附近区域形成为热冲击缓和部(11),该热冲击缓和部(11)包括弯曲的陶瓷层(1(1a))、及厚度根据位置而平滑地变化的内部电极层(2(2a));将较热冲击缓和部更靠内侧的区域形成为通常层叠部(12),该通常层叠部(12)包括弯曲的程度小于热冲击缓和部(11)的陶瓷层(1(1a))的陶瓷层(1(1b))、及根据沿外层部(20)的主面的方向上的位置而产生的厚度的变化程度小于热冲击缓和部(11)的内部电极层(2(2b))小的内部电极层(2(2b));热冲击缓和部中,将陶瓷层的厚度的CV值设为15%以下,将至少1层的内部电极层的厚度的CV值设为40%以上,将对相互相邻的一组陶瓷层观察时中点间距离的CV值设为40%以上。
  • 层叠陶瓷电子部件
  • [实用新型]显影装置、处理盒和成像设备-CN201620127663.4有效
  • 砂原贤;平松隆;玉垣邦秋 - 佳能株式会社
  • 2016-02-19 - 2016-11-23 - G03G21/18
  • 本实用新型涉及显影装置、处理盒和成像设备。显影装置,用于收集未转印到记录材料上且残留在图像承载构件上的显影剂,显影装置包括:显影单元,包括用于承载显影剂的显影剂承载构件;以及储存单元,在对应于用于输送记录材料的进给单元的位置处具有开口,并且构造成向显影单元供给显影剂,其中,当显影剂承载构件上承载显影剂的第一区域的纵向长度(Z)为1时,长度0.25的第二区域从第一区域的中心向两个侧端延伸,并且开口仅设置在第二区域中并满足关系式:0.12≤开口的纵向长度/Z≤0.35。根据本实用新型,可减小纸粉对图像的影响。
  • 显影装置处理成像设备
  • [发明专利]电介质陶瓷及叠层陶瓷电容器-CN200580042416.9有效
  • 冈松俊宏;平松隆;佐野晴信 - 株式会社村田制作所
  • 2005-12-06 - 2007-11-21 - C04B35/468
  • 本发明提供一种电介质陶瓷,其电容率高,在用于叠层陶瓷电容器(1)时,即使电介质陶瓷层(3)薄层化,绝缘性也高,可靠性优良。用于构成叠层陶瓷电容器(1)的电介质陶瓷层(3)的电介质陶瓷,具有用100(Ba1-w-x-mCawSrxGdm)k(Ti1-y-z-nZryHfzMgn)O3+a+pMnO2+qSiO2+rCuO表示的组成。其中,0.995≤k≤1.010、0≤w<0.04、0≤x≤0.04、0≤y≤0.10、0≤z≤0.05、0.015≤m≤0.035、0.015≤n≤0.035、0.01≤p≤1.0、0.5≤q≤2.5、及0.01≤r≤5.0。a是相对于3的偏差,以所述主成分成为电中性的方式选择的值。
  • 电介质陶瓷电容器
  • [发明专利]介电陶瓷和单片陶瓷电容器-CN200580028204.5有效
  • 武藤和夫;中村友幸;加藤成;佐野晴信;笹林武久;平松隆 - 株式会社村田制作所
  • 2005-06-20 - 2007-07-25 - C04B35/468
  • 构成陶瓷烧坯的介电陶瓷具有通式100(Ba1-x-ySrxCay)m(Ti1-zZrz)O3+aBaO+bR2O3+cMgO+dMnO+eCuO+fV2O5+gXuOv(式中,R是特定的稀土元素比如La、Ce或Pr;而XuOv是至少含有Si的氧化物组)所示的组成;并且0≤x≤0.05,0≤y≤0.08(优选0.02≤y≤0.08),0≤z≤0.05,0.990≤m,100.2≤(100m+a)≤102,0.05≤b≤0.5,0.05≤c≤2,0.05≤d≤1.3,0.1≤e≤1.0,0.02≤f≤0.15和0.2≤g≤2。使用这种组成,可以制备这样的一种单片陶瓷电容器:即使在因其介电层被进一步变薄而导致被施加高电场强度的电压时,也保持良好的介电特性和温度特性,并且在实现良好的绝缘性质、介电强度和高温负载寿命上具有优异的可靠性。
  • 陶瓷单片电容器

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