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[发明专利]用于替换栅极流程的内部L间隔件-CN201910718825.X有效
发明人：切特·弗农·伦诺克斯;森秋·宋;布赖恩·K·柯克帕特里克 -专利权人：德州仪器公司
申请日： 2014-09-10 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本申请案涉及用于替换栅极流程的内部L间隔件。通过移除牺牲栅极电介质层(110)及牺牲栅极(112)以形成栅极腔(128)而形成集成电路(100)。在所述栅极腔(128)中形成保形电介质第一衬里(132)且在所述第一衬里(132)上形成保形第二衬里(134)。第一蚀刻从所述栅极腔(128)的底部移除所述第二衬里(134)，而留下在所述栅极腔(128)的侧壁(114)上的所述第二衬里(134)的材料。第二蚀刻从所述栅极腔(128)的所述底部移除由所述第二衬里(134)暴露的所述第一衬里(132)，而留下在所述栅极腔(128)的所述底部上在所述栅极腔(128)的所述侧壁(114)上的所述第二衬里(134)下方的所述第一衬里(132)的材料。第三蚀刻从所述栅极腔(128)移除所述第二衬里(134)，而留下在所述栅极腔(128)中的所述第一衬里(132)的L形间隔件(148)。在所述栅极腔(128)中形成永久栅极电介质层(156)及替换栅极(160)。
用于替换栅极流程内部间隔

[发明专利]用于替换栅极流程的内部L间隔件-CN201410458219.6有效
发明人：切特·弗农·伦诺克斯;森秋·宋;布赖恩·K·柯克帕特里克 -专利权人：德州仪器公司
申请日： 2014-09-10 - 公布日： 2019-08-30 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本申请案涉及用于替换栅极流程的内部L间隔件。通过移除牺牲栅极电介质层(110)及牺牲栅极(112)以形成栅极腔(128)而形成集成电路(100)。在所述栅极腔(128)中形成保形电介质第一衬里(132)且在所述第一衬里(132)上形成保形第二衬里(134)。第一蚀刻从所述栅极腔(128)的底部移除所述第二衬里(134)，而留下在所述栅极腔(128)的侧壁(114)上的所述第二衬里(134)的材料。第二蚀刻从所述栅极腔(128)的所述底部移除由所述第二衬里(134)暴露的所述第一衬里(132)，而留下在所述栅极腔(128)的所述底部上在所述栅极腔(128)的所述侧壁(114)上的所述第二衬里(134)下方的所述第一衬里(132)的材料。第三蚀刻从所述栅极腔(128)移除所述第二衬里(134)，而留下在所述栅极腔(128)中的所述第一衬里(132)的L形间隔件(148)。在所述栅极腔(128)中形成永久栅极电介质层(156)及替换栅极(160)。
用于替换栅极流程内部间隔

[发明专利]栅极槽过蚀刻控制-CN201510695169.8在审
发明人：埃比尼泽·伊舒;布赖恩·K·柯克帕特里克 -专利权人：德州仪器公司
申请日： 2015-10-22 - 公布日： 2016-05-04 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本申请案涉及栅极槽过蚀刻控制。一种用于存储器装置的栅极槽蚀刻的方法(100)。使用第一曝光及第一蚀刻过程由在第一方向中定向的栅极电极材料层形成栅极电极线(102)。使用第二曝光及第二蚀刻过程在所述栅极电极线中形成在正交于所述第一方向的第二方向中定向的槽(103)，其中所述第二蚀刻过程包含经定界过蚀刻量BOA，其设定经定界的物理槽宽度(经定界槽宽度)。所述BOA由从所述存储器装置获取的实际电测试数据来确定，其包含：识别<来自与过短的所述物理槽宽度相关联的第一电故障模式的所述BOA的更低过蚀刻量，及识别>来自与过长的所述物理槽宽度相关联的第二电故障模式的所述BOA的更高过蚀刻量。
栅极蚀刻控制

[发明专利]硬掩模的后等离子清洁处理-CN200410083879.7有效
发明人： 布赖恩·K·柯克帕特里克;克林特·L·蒙哥马利;布赖恩·M·特伦特曼;兰德尔·W·柏 -专利权人：德州仪器公司
申请日： 2004-10-21 - 公布日： 2005-04-27 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明提供一种制造一半导体装置的方法，其包含：通过一位于一半导体基片225上方的图案化硬掩模层210进行等离子蚀刻250，其中该等离子蚀刻在该硬掩模层210上形成一修改层210a；并通过将该修改层210a曝露于一后等离子清洁处理来移除该修改层210a的至少一实质部分。
硬掩模等离子清洁处理