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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]嵌入有纳米晶体的电容器-CN202111331642.6在审
发明人：赖政杰;余孟廷;巫勇贤;陈光鑫 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-12-26 - 公布日： 2022-02-15 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明实施例提供了半导体结构的实施例，半导体结构包括形成在半导体衬底上的互连结构和设置在互连结构中的电容器。互连结构包括顶部电极、底部电极、夹在顶部和底部电极之间的介电材料层和嵌入介电材料层中的纳米晶体层。本发明实施例涉及半导体结构及其形成方法，具体地涉及嵌入有纳米晶体的电容器及其形成方法。
嵌入纳米晶体电容器

[发明专利]半导体器件的制造方法、高K介电结构及其制造方法-CN202110226524.2在审
发明人：黄一晨;许一如;陈光鑫;刘继文;巫勇贤;陈庆育 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-12-30 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明描述了半导体器件及其制造方法。在衬底上形成第一氧化铪(HfO2)层。在第一氧化铪层上方形成钛(Ti)层。在钛层上方形成第二氧化铪层。热退火复合器件结构以产生具有插入在第一氧化铪层和第二氧化铪层之间的氧化铪钛(HfxTi1‑xO2)层的高k介电结构。本发明的实施例还涉及高K介电结构及其制造方法。
半导体器件制造方法结构及其

[发明专利]半导体器件的制造方法、高K介电结构及其制造方法-CN201611263876.0有效
发明人：黄一晨;许一如;陈光鑫;刘继文;巫勇贤;陈庆育 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-12-30 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明描述了半导体器件及其制造方法。在衬底上形成第一氧化铪(HfO2)层。在第一氧化铪层上方形成钛(Ti)层。在钛层上方形成第二氧化铪层。热退火复合器件结构以产生具有插入在第一氧化铪层和第二氧化铪层之间的氧化铪钛(HfxTi1‑xO2)层的高k介电结构。本发明的实施例还涉及高K介电结构及其制造方法。
半导体器件制造方法结构及其

[发明专利]半导体部件及其制造方法-CN202011188497.6在审
发明人：赖政杰;陈光鑫;范士凯;巫勇贤;陈昱勋 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-11-16 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明提供了半导体部件及其制造方法。本发明提供了一种半导体部件，该半导体部件包括衬底、设置在衬底上的界面层、设置在衬底上的第一金属栅极结构和第二金属栅极结构。第一金属栅极结构包括设置在界面层上的第一高k介电层和设置在第一高k介电层上的第一金属栅极层。第二金属栅极结构包括设置在界面层上的第二高k介电层、设置在第二高k介电层上的第三高k介电层，以及设置在第三高k介电层上的第二金属栅极层。
半导体部件及其制造方法

[发明专利]嵌入有纳米晶体的电容器-CN201611217121.7在审
发明人：赖政杰;余孟廷;巫勇贤;陈光鑫 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-12-26 - 公布日： 2017-07-21 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明实施例提供了半导体结构的实施例，半导体结构包括形成在半导体衬底上的互连结构和设置在互连结构中的电容器。互连结构包括顶部电极、底部电极、夹在顶部和底部电极之间的介电材料层和嵌入介电材料层中的纳米晶体层。本发明实施例涉及半导体结构及其形成方法，具体地涉及嵌入有纳米晶体的电容器及其形成方法。
嵌入纳米晶体电容器

[发明专利]半导体部件及其制造方法-CN201510783719.1在审
发明人：赖政杰;陈光鑫;范士凯;巫勇贤;陈昱勋 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-11-16 - 公布日： 2016-12-07 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明提供了半导体部件及其制造方法。本发明提供了一种半导体部件，该半导体部件包括衬底、设置在衬底上的界面层、设置在衬底上的第一金属栅极结构和第二金属栅极结构。第一金属栅极结构包括设置在界面层上的第一高k介电层和设置在第一高k介电层上的第一金属栅极层。第二金属栅极结构包括设置在界面层上的第二高k介电层、设置在第二高k介电层上的第三高k介电层，以及设置在第三高k介电层上的第二金属栅极层。
半导体部件及其制造方法

[发明专利]选择性射极太阳能电池的制程-CN200910309365.1有效
发明人： 巫勇贤;王立康;荆凤德 -专利权人：国立清华大学
申请日： 2009-11-06 - 公布日： 2011-05-11 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种选择性射极太阳能电池的制程，是以氨电浆氮化结晶硅构成的基材形成氮化硅薄层，接着图案化氮化硅薄层成遮阻图像，然后透过遮阻图像将掺杂元素掺杂入基材中，使基材内形成对应于该遮阻图像的区域且电性与基材相反的轻掺杂扩散区，及对应于未被该遮阻图像遮覆的区域且电性与基材相反的重掺杂扩散区，进而形成照光产生光电流的电性接面结构，接着在移除遮阻图像后，对应于该重掺杂扩散区上形成与基材电连接的前电极，以及于基材底面形成与基材电连接的背电极，完成选择性射极太阳能电池的制作。
选择性太阳能电池

[发明专利]动态随机存取存储器及其制造方法-CN200410089774.2无效
发明人： 巫勇贤 -专利权人：茂德科技股份有限公司
申请日： 2004-11-04 - 公布日： 2006-05-10 - 主分类号： H01L21/8242 文献下载
摘要：本发明提出一种动态随机存取存储器及其制造方法，其具有碳化硅区及碳锗化硅掺杂区。该方法包括：提供衬底，该衬底具有一顶面与至少一深沟渠于衬底中，其中顶面上已覆盖有一图案化的掩模层，且深沟渠内已填充有一覆盖层覆盖深沟渠底部与侧壁下部分；于深沟渠的侧壁上部分的衬底中离子注入碳掺杂物以及锗掺杂物，以于深沟渠顶部侧壁的衬底中形成碳掺杂区及碳锗掺杂区，碳锗掺杂区位于碳掺杂区上方；形成一顶盖层覆盖深沟渠的侧壁上部分；以及进行至少一热工艺。由于碳化硅区能提供较高能带隙可减少漏电流，可减少下电极的深度，进一步增加存储单元对位线的电容比。另一方面，碳化硅区可减少结漏电流的现象。因此可有效延长数据保存时间。
动态随机存取存储器及其制造方法

[发明专利]非挥发性存储器的制造方法-CN200410089995.X无效
发明人： 巫勇贤 -专利权人：茂德科技股份有限公司
申请日： 2004-10-28 - 公布日： 2006-05-03 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：一种非挥发性存储器的制造方法，以提高穿隧氧化层的品质，避免漏电流的情况发生。此方法先提供一衬底，且于衬底上依序形成穿隧氧化层、保护层以及半导体硅化物层。接着，氧化半导体硅化物层以形成氧化硅层，并使半导体硅化物层的半导体成分累积于氧化硅层与穿隧氧化层交界处。然后，进行热工艺，使半导体成分形成多个半导体纳米结晶。之后，进行氮化工艺，使环绕在这些半导体纳米结晶周围的部分氧化硅层转变成氮氧化硅。继之，于氧化硅层上形成栅极，以及于栅极两侧的衬底中形成源极/漏极区。
挥发性存储器制造方法

[发明专利]电容介电层结构及其制造方法-CN200310122361.5有效
发明人： 巫勇贤;庄慧伶 -专利权人：茂德科技股份有限公司
申请日： 2003-12-19 - 公布日： 2005-06-22 - 主分类号： H01L21/318 文献下载
摘要：一种电容介电层的结构及制造方法。此电容介电层结构具有一预定电容结构的基底、一氮化物层形成在预定电容结构的表面上，及一氮氧化物层形成在氮化物层之上，以形成一硅/氮化物/氮氧化物的堆栈结构。其中，氮氧化物层是在湿式氧化制作工艺中加入氧化亚氮进行反应而得，随后并使用氧化亚氮进行高温退火处理。此结构不但具有较高的介电常数，还由于使用不含氢的气体反应，因此可有效降低漏电流。
电容介电层结构及其制造方法

[发明专利]选择性去除半球状硅晶粒层的方法及深沟槽电容器的制法-CN200310120592.2无效
发明人： 巫勇贤 -专利权人：茂德科技股份有限公司
申请日： 2003-12-15 - 公布日： 2005-06-22 - 主分类号： H01L21/8242 文献下载
摘要：一种选择性去除半球状硅晶粒层的方法及深沟槽电容器的制法，包括下列步骤：提供一已制备完成垫层结构的半导体基底，其上具有一深沟槽。形成一氧化物层层于该深沟槽上部开口侧壁。形成一半球状硅晶粒层于该深沟槽底部及侧壁。形成一掺杂绝缘层以覆盖该半球状硅晶粒层。形成一遮蔽层于该深沟槽下半部一预定深度，并去除该深沟槽上半部的掺杂绝缘层。等离子体掺杂该深沟槽上半部的半球状硅晶粒层以形成一等离子体掺杂层；去除该等离子体掺杂层而不损伤深沟槽硅基底以完成选择性去除半球状硅晶粒层的方法。然后，形成一覆盖氧化层于该深沟槽上方区域及侧壁，进行一热制程并形成一埋入电极板。
选择性去除半球晶粒方法深沟电容器制法

[发明专利]去除深沟槽结构中半球形晶粒硅层的方法-CN200310119702.3无效
发明人： 巫勇贤 -专利权人：茂德科技股份有限公司
申请日： 2003-12-03 - 公布日： 2005-06-08 - 主分类号： H01L21/8242 文献下载
摘要：本发明提供去除深沟槽结构中半球形晶粒硅的方法，其利用一埋藏硅锗层作为蚀刻终止层，并以湿式蚀刻工艺去除半球形晶粒硅。湿式蚀刻工艺所用的氢氧化钾/丙酮/水混合液对半球形晶粒硅与埋藏硅锗层的蚀刻速率选择性很高，因此在去除半球形晶粒硅时，不会破坏沟槽侧壁。此外，利用该法制得的沟槽式电容结构，在半球形晶粒硅层与沟槽下半部之间并没有蚀刻终止层，故而无储存电容降低的问题。
去除深沟结构半球形晶粒方法

[发明专利]防止阻挡层被过度蚀刻的方法与结构及其应用-CN03106764.6无效
发明人： 巫勇贤;顾家麟;萧世崇;林炳宏 -专利权人：茂德科技股份有限公司
申请日： 2003-02-28 - 公布日： 2004-09-01 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本发明公开了一种防止阻挡层被过度蚀刻的方法及半导体结构，其可以减缓阻挡层在后续硼磷硅玻璃蒸汽步骤中厚度变薄，该方法包括步骤：提供一形成有多个栅极结构的半导体基底；保形地形成一阻挡层覆盖该多个栅极结构；保形地形成一保护介电层于该阻挡层上；以及形成一层间介电层覆盖该多个栅极结构并填满该多个栅极结构之间。本发明还公开了使用该方法形成接触窗的方法。
防止阻挡过度蚀刻方法结构及其应用

[发明专利]介电层的制造方法-CN02132362.3有效
发明人： 巫勇贤;李政哲 -专利权人：茂德科技股份有限公司
申请日： 2002-09-24 - 公布日： 2004-03-31 - 主分类号： H01L21/314 文献下载
摘要：一种介电层的制造方法，将一衬底置入一炉管中，并于衬底上形成一层氧化硅层，然后，进行回火工艺使氧化硅层变成一层氮氧化硅层。接着，于氮氧化硅层上形成一层氮化硅层。的后，于氮化硅层上形成一氧化硅层。而于衬底上形成氮氧化硅/氮化硅/氧化硅叠层介电层。其中，形成氮氧化硅/氮化硅/氧化硅叠层介电层的工艺都是在同一个炉管中进行，因此可以简化工艺。
介电层制造方法

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