“工藤学”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果12个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]发光装置、投影仪及显示器-CN202210235466.4在审
发明人： 工藤学;岸野克巳 -专利权人：精工爱普生株式会社;学校法人上智学院
申请日： 2022-03-11 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01S5/02315 文献下载
摘要：本发明提供一种可减少第一半导体层与第二半导体层之间的电流的泄漏的发光装置。一种发光装置，包括：基板；以及层叠体，设置于基板，且具有多个柱状部，柱状部具有：第一导电型的第一半导体层；第二导电型的第二半导体层，与第一导电型不同；以及发光层，设置于第一半导体层与第二半导体层之间，第一半导体层设置于基板与发光层之间，发光层具有c面以及小平面，第二半导体层设置于c面及小平面，第一半导体层具有第一部分、以及径小于第一部分的第二部分，第二部分设置于基板与第一部分之间，在从第一半导体层与发光层的层叠方向俯视下，c面与第二部分重叠，c面的径小于第二部分的径。
发光装置投影仪显示器

[发明专利]图像光纤、具有图像光纤的内窥镜、以及具有内窥镜的内窥镜系统-CN202080045796.6在审
发明人：宫地正己;工藤学 -专利权人：株式会社藤仓
申请日： 2020-06-25 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： G02B23/26 文献下载
摘要：图像光纤(23)具备：多个纤芯(61)；以及包层(63)，其一体地包围多个纤芯(61)。另外，图像光纤(23)还具备：至少一个光导纤维(75)，其传播照明光；以及光导层(70)，其在整周覆盖包层(63)的外周面，并且与光导纤维(75)的外周面接触，照明光能够从光导纤维(75)向光导层(70)传播。
图像光纤具有内窥镜以及系统

[发明专利]光电转换元件及其制造方法以及光电转换装置-CN201611150933.4有效
发明人： 工藤学 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2016-12-14 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种光电转换元件及其制造方法以及光电转换装置，在形成光电转换元件的半导体层的工序中，降低电极的导电材料附着于半导体层的可能性。一种光电转换元件的制造方法，所述光电转换元件具备半导体层，所述光电转换元件的制造方法包括：形成电极的工序；形成覆盖所述电极的绝缘层的工序；在所述绝缘层中俯视下与所述电极重叠的区域形成开口的工序；在所述绝缘层的表面形成半导体材料的覆盖层的工序；以及通过所述覆盖层的图案化来形成所述半导体层的工序，在形成所述半导体层的工序中，以所述半导体层的外周缘位于俯视下比所述开口的内周缘靠外侧处的方式，形成所述半导体层。
光电转换元件及其制造方法以及装置

[发明专利]光电转换装置、光电转换装置的制造方法及电子设备-CN201510857641.3有效
发明人： 工藤学 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2015-11-30 - 公布日： 2019-12-10 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明提供光电转换装置、光电转换装置的制造方法及电子设备，其中，光电转换装置具有高光敏度且可靠性高，光电转换装置的制造方法能够稳定地制造该光电转换装置。作为光电转换装置的图像传感器(100)，其特征在于，具备：下部电极(21)，包含高熔点金属；上部电极(25)，配置在下部电极(21)的上层；p型半导体层(23)和n型半导体层(24)，配置在下部电极(21)与上部电极(25)之间；以及中继电极(26)，包含高熔点金属，下部电极(21)和中继电极(26)形成于同一层，在下部电极(21)上形成有高熔点金属的硒化膜、即中间层(22)。
光电转换装置制造方法电子设备

[发明专利]半导体装置、电子设备及半导体装置的制造方法-CN201810320586.8在审
发明人： 工藤学 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2018-04-11 - 公布日： 2018-11-23 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种即使设置栅电极等金属膜也会使基板的翘曲得到抑制的半导体装置、电子设备及半导体装置的制造方法。半导体装置(1)具备：基板(3)；薄膜晶体管(2)；以及绝缘膜(7)，其位于基板(3)与薄膜晶体管(2)之间，绝缘膜(7)具有第一氧化硅膜(4)、被形成在第一氧化硅膜(4)上的氮化硅膜(5)以及被形成在氮化硅膜(5)上的第二氧化硅膜(6)，第一氧化硅膜(4)的氮浓度与第二氧化硅膜(6)的氮浓度相比而较低。
半导体装置氧化硅膜基板薄膜晶体管二氧化硅膜氮化硅膜电子设备绝缘膜金属膜栅电极翘曲制造

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201410538767.X在审
发明人： 工藤学 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2014-10-13 - 公布日： 2015-04-29 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种比以往更能抑制漏电流的半导体装置及其制造方法。半导体装置(22)具有：配置于下部电极(47)上，通过第一界面(49)与下部电极(47)接触，并具有一种多数载流子的第一载流子保有层(48)；以及配置在第一载流子保有层(48)上并区划出形成与第一载流子保有层(48)导通的导通路径的第二界面(58)，且具有另一种多数载流子的第二载流子保有层(57)。在从垂直于基板表面的方向观察到的俯视观察中，第一界面(49)在第一载流子保有层(48)的轮廓的内侧具有轮廓，在该俯视观察中，第二界面(58)在第一载流子保有层(48)的轮廓的内侧具有轮廓。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]保偏光纤-CN201180046597.8有效
发明人：林和幸;井添克昭;远藤丰;爱川和彦;工藤学 -专利权人：株式会社藤仓
申请日： 2011-10-03 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： G02B6/024 文献下载
摘要：本发明涉及保偏光纤。本发明的保偏光纤（10）具备纤芯（11）、设置于纤芯（11）两侧的一对应力赋予部（12、12）、包围这些纤芯（11）以及应力赋予部（12、12）的包层（13），在400～680nm的波长范围内被使用，包层（13）的直径是125μm，应力赋予部（12）的直径是33μm～37μm，一对应力赋予部（12、12）间的间隔是8.6μm～15.4μm，纤芯（11）与包层（13）的相对折射率差是0.35%～0.45%，截止波长在400nm以下。
偏光

[发明专利]保偏光纤以及使用了该保偏光纤的光纤传感器-CN201080011996.6无效
发明人：大道浩儿;寺田佳弘;远藤丰;林和幸;井添克昭;爱川和彦;工藤学 -专利权人：株式会社藤仓
申请日： 2010-11-22 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： G02B6/44 文献下载
摘要：本发明的保偏光纤具有：纤芯(1)，该纤芯(1)由掺杂有锗的石英玻璃形成；应力赋予部(3)，该应力赋予部(3)由掺杂有硼的石英玻璃形成；包层(2)，该包层(2)由纯石英玻璃形成；以及由聚酰亚胺形成的被覆层(4)，该被覆层(4)被设置在所述包层的外周，其膜厚为10μm以下。
偏光以及使用光纤传感器

[发明专利]石英类单芯光纤、石英类多芯光纤及其制造方法-CN200810186745.6有效
发明人： 工藤学;林和幸;妻沼孝司 -专利权人：株式会社藤仓
申请日： 2008-12-12 - 公布日： 2009-10-07 - 主分类号： G02B6/036 文献下载
摘要：本发明的石英类单芯光纤、石英类多芯光纤及其制造方法，可以提高石英类多芯光纤的荧光诊断精度，并在来自观察组织的荧光检测、发光检测、光谱分析等方面改善石英类单芯光纤的S/N比。石英类单芯光纤的纤芯中具有Ge浓度15重量％以上、F浓度0.05重量％以上且2重量％以下，以在入射具有波长400nm～650nm的激发光时抑制波长600nm～800nm处的发光。石英类多芯光纤包括多个纤芯，该纤芯具有GeO₂-SiO₂类玻璃，该GeO₂-SiO₂类玻璃包括Ge浓度15重量％以上、F浓度0.05重量％以上且2重量％以下，包层与纤芯的相对折射率差为3％以上且包层直径与纤芯直径之比为1.02～3.0，在入射400～650nm的激发光时，抑制600～800nm处的发光。
石英类单芯光纤类多芯及其制造方法

[发明专利]多芯光纤-CN200710165726.0有效
发明人： 工藤学;爱川和彦;妻沼孝司 -专利权人：株式会社藤仓
申请日： 2007-11-06 - 公布日： 2008-05-14 - 主分类号： G02B6/036 文献下载
摘要：公开一种多芯光纤装置。该多芯光纤装置包括具有石英的包层，以及嵌入该包层内的多个芯。每个芯具有的直径(D)在1.3μm到2.0μm范围内，数值孔径(NA)为0.35到0.45，折射率分布系数(α)为2.0到4.0。每个芯的中心具有的锗含量为20wt％到30wt％。相邻的芯的间距为3.0μm或更大。
光纤

[发明专利]保偏光纤和光纤陀螺-CN200610090558.9无效
发明人：爱川和彦;井添克昭;林和幸;工藤学 -专利权人：株式会社藤仓
申请日： 2006-06-27 - 公布日： 2007-01-10 - 主分类号： G02B6/02 文献下载
摘要：一种保偏光纤包括：芯；一对应力施加部分，在该芯的每侧设置一个；以及包层，围绕该芯和应力施加部分；其中当该保偏光纤用在0.81μm到0.87μm的波长时，以2m的纤长度测得的截止波长长于所使用的波长，并且当具有1000m长度的纤缠绕在具有40mm直径的卷轴上时偏振串扰等于或小于－35dB/100m。
偏光光纤陀螺

[发明专利]电子器件的制造方法和半导体器件的制造方法-CN200410042921.0无效
发明人： 工藤学;小原治 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2004-05-27 - 公布日： 2005-02-09 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：提供一扫会在减小中间存在着层间绝缘膜地叠层起来的布线间的寄生电容时产生的缺憾，构成简便而且可靠性高的电子器件。本发明的电子器件，具备在衬底10上形成的半导体层22，在该半导体层22上形成的栅绝缘层31，在该栅绝缘层31上形成的规定图形的栅电极32，把该栅电极上覆盖起来地形成的层间绝缘膜33，在该层间绝缘膜33上形成的源电极36和漏电极37，其特征在于：层间绝缘膜33的构成为以氮浓度在2原子％以上的氮氧化硅为主体。
电子器件制造方法半导体器件

1
共 12 条