专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]作为NK3受体拮抗剂的吡咯烷芳基-醚-CN200880103704.4无效
  • P·雅布翁斯基;川崎贤一;H·柯纳斯特;A·林博格;M·内特科文;H·拉特尼;C·雷默;吴希罕 - 弗·哈夫曼-拉罗切有限公司
  • 2008-08-12 - 2010-10-13 - C07D207/08
  • 本发明涉及通式(I)的化合物其中是芳基或者5或6元杂芳基;是6至9元单或二-杂环基团,其中X可以是碳原子、SO2或选自N或O的另外的杂原子;如果X是碳原子、O、SO2或未被取代的N,则R1是氢、羟基、氰基、-(CH2)q-OH、-(CH2)q-NRR’、-(CH2)q-CN、低级烷基、-S(O)2-低级烷基、-NR-S(O)2-低级烷基、-C(O)-低级烷基、-NR-C(O)-低级烷基、苯基,或者是选自哌啶基-2-酮的杂环基团;如果X是被R1取代的N-原子,则R1是氢、-(CH2)q-OH、-(CH2)q-NRR’、-(CH2)q-CN、低级烷基、-S(O)2-低级烷基、芳基或者5或6元杂芳基或-C(O)-低级烷基,前提是q是2或3。R/R’彼此独立地是氢或低级烷基;R2是氢、卤素、低级烷基、氰基、被卤素取代的低级烷氧基、被卤素取代的低级烷基或者是5或6元杂芳基;R3是氢或卤素;R4是氢或低级烷基;n是1或2;在n是2的情况下,R1可以相同或不同;o是1或2;在o是2的情况下,R2可以相同或不同;p是1或2;在p是2的情况下,R3可以相同或不同;q是1、2或3;s是0、1、2、3或4;或其有药学活性的盐,包括式(I)化合物的所有立体异构形式、各非对映异构体和对映体以及其外消旋和非外消旋混合物。已经发现本发明的化合物是用于治疗抑郁、疼痛、精神病、帕金森病、精神分裂症、焦虑和注意缺陷多动症(ADHD)的高潜能的NK-3受体拮抗剂。
  • 作为nk3受体拮抗剂吡咯烷
  • [发明专利]作为NK3受体拮抗剂的吡咯烷芳基-醚-CN200880102376.6无效
  • P·雅布翁斯基;川崎贤一;H·柯纳斯特;A·林博格;M·内特科文;H·拉特尼;C·雷默;吴希罕 - 弗·哈夫曼-拉罗切有限公司
  • 2008-07-29 - 2010-07-14 - C07D401/08
  • 本发明涉及通式I的化合物,或其药用活性盐,包括式I化合物的所有立体异构形式、单一非对映异构体和对映异构体以及其外消旋和非外消旋混合物,其中:Ar1是芳基或五或六元杂芳基;Ar2是芳基或五或六元杂芳基;R1是氢、卤素、低级烷基、低级烷氧基、卤素取代的低级烷基、卤素取代的低级烷氧基、S-低级烷基、-S(O)2-低级烷基、-S(O)2-二低级烷基氨基、-(CH2)qR、氰基、氨基、单或二低级烷基氨基、NHC(O)-低级烷基、环烷基,或者是任选地被低级烷基取代的五元杂芳基;其中R是氰基、二低级烷基氨基或吡咯烷-1-基;R2是氢、卤素、低级烷基、被卤素或氰基取代的低级烷基;R3是氢或低级烷基或CH2OH;R4是氢、卤素、低级烷基、被卤素或氰基取代的低级烷基;n是1、2或3;当n是2或3时,R1可以相同或不同;o是1、2或3;当o是2或3时,R2可以相同或不同;p是1、2或3;当p是2或3时,R4可以相同或不同;q是1或2。已经发现本发明化合物是高效的NK-3受体拮抗剂,用于治疗抑郁、疼痛、精神病、帕金森病、精神分裂症、焦虑或注意缺陷多动症(ADHD)。
  • 作为nk3受体拮抗剂吡咯烷

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