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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]功率放大用半导体装置-CN202180033776.1在审
发明人： 川岛克彦;神田裕介;宫岛贤一 -专利权人：新唐科技日本株式会社
申请日： 2021-05-12 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：功率放大用半导体装置(11)具有形成在包括第1氮化物半导体层(201)和第2氮化物半导体层(202)的半导体层叠体(220)之上的源极电极(204)、漏极电极(205)及栅极电极(206)、以及形成在栅极电极(206)与漏极电极(205)之间的半导体层叠体(220)之上且被提供与源极电极(204)相同的电位的源场板(209)；源场板(209)是台阶状，即使为了电场缓和而将上级的长度LF2延长，也能抑制在源场板(209)和2DEG面(230)中产生的寄生电容Cds的增大。
功率放大半导体装置

[发明专利]电力放大器-CN200710141398.0无效
发明人： 川岛克彦;前田昌宏;上谷昌稔 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2007-08-09 - 公布日： 2008-04-23 - 主分类号： H03F3/213 文献下载
摘要：一种电力放大器，既避免了电路的复杂化，又使比基本频率宽的频带的二次高频波阻抗控制成为可能。其做法是：使用于输入信号的基本频率的带宽在第一基本频率(F1)到第二基本频率(F2)的宽带的电力放大器用晶体管(102)的输出匹配电路，具有由感应器(108L)和电容器(108C)串联形成的且具有第一基本频率(F1)的两倍频率的共振频率的第一二次高频波串联共振电路(108)，和具有由感应器(109L)和电容器(109C)串联形成的且具有第二基本频率(F2)的两倍频率的共振频率的第二二次高频波串联共振电路(109)。
电力放大器

[发明专利]双极晶体管和功率放大器-CN200610101566.9无效
发明人： 川岛克彦;前田昌宏;村山启一;宫本裕孝 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2006-07-12 - 公布日： 2007-01-17 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：一种双极晶体管，其中将基极台面指(发射极凸出层15、基极层16和集电极层17)插入在两个集电极指(集电极电极13)之间，并且在该基极台面指上形成基极指(基极电极12)和该基极指两侧上的两个发射极指(发射极层14和发射极电极11)。这两个发射极指形成为相对于作为基准的基极指对称。
双极晶体管功率放大器

[发明专利]射频功率放大器-CN200610084725.9有效
发明人：榎本真悟;稻森正彦;小泉治彦;立冈一树;牧原弘和;松田慎吾;川岛克彦 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2006-05-19 - 公布日： 2006-11-22 - 主分类号： H03F1/30 文献下载
摘要：将射频信号RF经由电容器C1－Cn当中的相应电容器输入到每个晶体管TR1－TRn的基极被放大，并从每个晶体管TR1－TRn的集电极输出。每个晶体管TR1－TRn的发射极接地。将从偏置电路Bias提供的偏置电压DC经由电阻器Ra1－Ran当中的相应电阻器输送给每个晶体管TR1－TRn的基极。用于偏置电压DC的信号线以直流方式经由桥接电阻器R连接到用于射频信号RF的输入线。
射频功率放大器

[发明专利]晶体管集成电路装置及其制造方法-CN200480006662.4无效
发明人： 川岛克彦;前田昌宏;村山启一;宫本裕孝 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2004-10-08 - 公布日： 2006-04-12 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：提供了一种晶体管集成电路装置及制造该晶体管集成电路装置的方法，该晶体管集成电路装置减小了电路的集成面积，同时避免由于热失控导致的元件毁坏。阻断电容器(13)由上部电极和下部电极构成，该上部电极由布线金属形成且处于第一层，该下部电极由布线金属形成且处于第二层。偏置电阻器(12)由与阻断电容器(13)的下部电极相同的布线金属形成。该偏置电阻器(12)由制成薄膜的布线金属形成，以用作片电阻器，并且可以根据布线金属的厚度或宽度来随意设定偏置电阻器(12)的电阻值。
晶体管集成电路装置及其制造方法

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