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[发明专利]接合体的制造方法以及接合体-CN201580011169.X有效
发明人：南智之;曻和宏;川尻哲也 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2015-03-05 - 公布日： 2020-08-07 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：在工序(a)中，将包含热膨胀系数大于陶瓷基体(12)的金属的钎料(56)、热膨胀系数比钎料(56)小的多孔体(54)以及供电端子(40)，按照供电端子(40)的接合面(43)与陶瓷基体(12)的接合面(13)对置的方式配置于接合面上(13)。在工序(b)中，使钎料(56)熔融，使钎料(56)渗透到多孔体(54)的气孔内而形成包含钎料(56)和多孔体(54)的接合层，介由接合层将陶瓷基体(12)的接合面(13)与供电端子(40)的接合面(43)进行接合。
接合制造方法以及

[发明专利]接合体的制造方法-CN201580012245.9有效
发明人：南智之;曻和宏;川尻哲也 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2015-03-05 - 公布日： 2019-12-27 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：在工序(a)中，将保护环(60)按照由陶瓷基体(12)(第2部件)的接合面(13)堵住贯通孔(61)的一侧开口方式配置于陶瓷基体(12)上。在工序(b)中，将包含金属的钎料(56)、包含热膨胀系数比钎料(56)小的材料的粉末(54)、供电端子(40)插入于贯通孔(61)的内部，使得陶瓷基体(12)的接合面(13)与供电端子(40)的接合面(43)对置且钎料(56)和粉末(54)位于陶瓷基体(12)与供电端子(40)之间。在工序(c)中，使钎料(56)熔融，使钎料(56)含浸于粉末(54)之间而形成包含钎料(56)和粉末(54)的接合层，介由接合层将接合面(13)与接合面(43)进行接合。
接合制造方法

[发明专利]陶瓷部件与金属部件的接合体及其制法-CN201580023187.X有效
发明人：南智之;川尻哲也 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2015-04-13 - 公布日： 2019-11-01 - 主分类号： C04B37/02 文献下载
摘要：本发明的接合体(10)是在设置于板状的氧化铝或氮化铝的陶瓷部件(12)上的凹部(12a)上，介由接合层(16)接合了具有Ni被膜、Au被膜或Ni‑Au被膜(基底为Ni)的Mo或Ti制的端子(14)的接合体。接合层(16)含有Au、Sn、Ag、Cu以及Ti，并与凹部(12a)的侧面的至少一部分(此处是全部)以及底面相接。在该接合层(16)中的与陶瓷部件(12)的接合界面中富含Ti。此外，将接合体(10)在接合体(10)的厚度方向上切断时，气孔的截面积的总和在接合层(16)的截面积中所占的比例(气孔率)为0.1～15％。
陶瓷部件金属接合及其制法

[发明专利]晶片保持台及其制法-CN201580001957.0有效
发明人：矢纳拓弥;大场教磨;川尻哲也;鹤田英芳 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2015-09-04 - 公布日： 2018-10-02 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明提供晶片保持台(10)，其在陶瓷制的静电卡盘(12)与金属制的冷却板(14)之间具备树脂制的粘接层(16)。粘接层(16)包含与静电卡盘(12)接触的第一层(16a)、与冷却板(14)接触的第二层(16b)、以及位于第一层(16a)和第二层(16b)之间的中间层(16c)。第一层(16a)和中间层(16c)的耐热性比第二层(16b)的耐热性高，第二层(16b)的柔软性比第一层(16a)和中间层(16c)的柔软性高，各层气密地接触。
晶片保持及其制法

[发明专利]半导体制造装置用部件-CN201410100477.7有效
发明人：大场教磨;川尻哲也;片居木俊 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2014-03-18 - 公布日： 2018-04-17 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明的课题是提供一种半导体制造装置用部件，其为将陶瓷零件与金属零件通过热固化片进行接合的半导体制造装置用部件，其能够充分耐受在高温时的应用。本发明的半导体制造装置用部件（10）为将氧化铝制的静电卡盘（12）与铝制的冷却板（14）通过热固化片（16）进行接合的半导体制造装置用部件。热固化片（16）是使环氧‑丙烯酸系混合的粘结剂固化而成的热固化片。粘结剂含有（A）能够进行氢转移型加聚的环氧树脂、（B）丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯的聚合物、（C）固化剂。
半导体制造装置部件

[发明专利]陶瓷部件与金属部件之间的接合体以及其制造方法-CN201310541164.0有效
发明人：南智之;川尻哲也 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2013-11-05 - 公布日： 2017-08-25 - 主分类号： C04B37/02 文献下载
摘要：本发明提供一种接合体及其制造方法，充分提高了将陶瓷部件和金属部件接合而得到的接合体的强度。接合体（10）在设置于板状的氧化铝或氮化铝的陶瓷部件（12）的凹部（12a）上，通过接合层（16）接合具有Ni覆膜、Au覆膜或基底为Ni的Ni－Au覆膜的Mo或Ti制的端子（14）。接合层（16）含有Au、Ge、Ag、Cu以及Ti，且与凹部（12a）的侧面的至少一部分（在这里是全部）以及底面接合。在该接合层（16）的与陶瓷部件（12）的接合界面上，Ti富集存在。另外，在将接合体（10）沿接合体（10）的厚度方向剖切时，气孔剖面面积的总和占接合层（16）剖面面积的比例（气孔率）为0.1～15％。
陶瓷部件金属之间接合及其制造方法

[发明专利]基板载放台-CN200710162724.6有效
发明人： 川尻哲也;相原靖文;藤井知之 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2007-10-08 - 公布日： 2008-04-23 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：一种基板载放台，具备：一个面为基板载放面的板状的陶瓷基体；在与基板载放面相反的面上借由接合材料与陶瓷基体接合的在多孔质陶瓷的气孔内充填有金属的气孔率大于0％不足5％的板状的复合材料基体；以及在复合材料基体的与接合陶瓷基体的面相反的面上借由接合材料与复合材料基体接合的金属板。
基板载放台

[发明专利]带加热器的静电吸盘以及带加热器的静电吸盘的制造方法-CN200710146598.5有效
发明人：曻和宏;川尻哲也;服部亮誉;森冈育久 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2007-08-22 - 公布日： 2008-02-27 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明提供吸附特性、热均匀性和耐绝缘破坏性优良的带加热器的静电吸盘。带加热器的静电吸盘(1)具备由包含氧化铝的烧结体做成的基体(2)、在基体中的上侧设置的ESC电极(3)、埋在基体中的下侧而设置的电阻发热体(4)，基体由从ESC电极到基体的上表面(2a)的电介质层(21)、从ESC电极到基体的下表面(2b)的支撑部件(22)构成。支撑部件在与电介质层相接的ESC电极附近区域(22a)和比该ESC电极附近区域(22a)更下方的下方区域(22b)的碳含量不同，电介质层中的碳含量在100wtppm以下，ESC电极附近区域的碳含量在0.13wt％以下，下方区域的碳含量在0.03wt％以上，并且，该ESC电极附近区域的碳含量比下方区域的碳含量更小。电阻发热体(4)含有铌或铂。
加热器静电吸盘以及制造方法

[发明专利]带加热器静电卡盘-CN200710136117.2有效
发明人：曻和宏;川尻哲也;服部亮誉 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2007-07-18 - 公布日： 2008-01-23 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明提供一种带加热器静电卡盘，具备：由包含氧化铝的烧结体构成的基体；设在该基体中的上部侧的电极；以及埋设在基体中的下部侧的电阻发热体，上述基体包括从电极到基体上表面的电介质层和从电极到基体下表面的支撑部件。该带加热器静电卡盘的特征在于，上述电介质层中的含碳量为100ppm以下，上述支撑部件中的含碳量为0.03～0.25wt％，上述电阻发热体形成为线圈状且主要成分为铌。
加热器静电卡盘

[发明专利]静电吸盘-CN200610169238.2有效
发明人：森冈育久;鹤田英芳;川尻哲也;鸟越猛 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2006-12-21 - 公布日： 2007-06-27 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明是利用库仑力的静电吸盘，其提供在维持吸附力的状态下，减少附着在基板上的颗粒的静电吸盘。静电吸盘(10)具备：基体(11)；形成于该基体(11)上并产生库仑力的电极(12)；在对基板(1)进行支撑的一侧的第1主面上具有以突起上面支撑该基板(1)的多个突起(13a)的电介质层(13)，突起(13a)之间的间隔大致均等地设置，突起上面的表面粗糙度(Ra)在0.5μm以下，突起(13a)的高度为5～20μm，使第1主面每单位面积100cm²的所述突起(13a)的数目为A(个/100cm²)，所述突起(13a)的高度为B(μm)时，满足数式A^1/2×B²＞200的关系。
静电吸盘

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