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[发明专利]显示装置-CN202110208982.3在审
发明人： 崔宝京;金永锡;马韩娜;车善浩 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2021-02-24 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：公开了一种显示装置。所述显示装置包括：基底，包括包含主像素的第一显示区域以及包含辅助像素和透射部的第二显示区域；相机模块，在基底下面以在厚度方向上与第二显示区域叠置且包括图像传感器；控制电路板，在基底上且包括时序控制器；以及主处理器，将图像信号提供到时序控制器。相机模块通过连接单元直接连接到控制电路板。
显示装置

[发明专利]包括透光区域的显示装置和电子装置-CN202110075832.X在审
发明人： 崔宝京;金永锡;马韩娜;廉东烈 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2021-01-20 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： G09G3/3208 文献下载
摘要：公开了一种显示装置和电子装置。该显示装置包括：显示面板，具有显示区域，并且在显示区域的边缘部内包括与电子元件叠置的透光区域；面板驱动器，被配置为驱动显示面板，并且被配置为执行边缘调光操作，边缘调光操作在不降低透光区域的亮度的同时从显示区域的中心部到显示区域的边缘部逐渐降低显示区域的除了透光区域之外的区域的亮度。
包括透光区域显示装置电子装置

[发明专利]电子装置-CN202110184298.6在审
发明人： 崔宝京;金永锡;马韩娜 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2021-02-08 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： G06F1/16 文献下载
摘要：提供了一种电子装置。所述电子装置包括：显示模块，包括第一区域以及围绕第一区域并且具有比第一区域的透光率低的透光率的第二区域；相机模块，设置在显示模块上以与第一区域叠置；第一壳体，将显示模块容纳在其中，并且第一壳体包括相机模块容纳部分，相机模块容纳部分向外突出以与相机模块叠置；键盘；第二壳体，将键盘容纳在其中；以及铰链构件，将第一壳体和第二壳体相对于旋转轴可旋转地彼此连接。第一壳体和第二壳体处于第一折叠状态或处于第二折叠状态，在第一折叠状态下，第一壳体和第二壳体彼此叠置以使前表面彼此面对，在第二折叠状态下，第一壳体和第二壳体彼此叠置以使后表面彼此面对。
电子装置

[发明专利]显示装置、制造显示装置的方法以及修复显示装置的方法-CN201510128873.5有效
发明人： 崔宝京;郑胤谟;朴种力;徐晋旭;李东炫 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2015-03-24 - 公布日： 2019-09-03 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：提供了一种显示装置、一种制造该显示装置的方法以及修复该显示装置的方法。所述显示装置包括：基底；钝化层，位于所述基底上并且包括具有第一厚度的区域和具有比所述第一厚度小的第二厚度的区域；第一电极，位于所述钝化层上，并且包括通过具有两个端部的狭缝彼此分隔开的至少两个子电极；发光层，位于所述第一电极上；以及第二电极，位于所述发光层上。所述狭缝的两个端部位于所述钝化层的具有所述第二厚度的所述区域中。
显示装置制造方法以及修复

[发明专利]有机发光二极管显示器及其制造方法-CN201110291090.0有效
发明人：曹圭湜;崔埈厚;秋秉权;申旼澈;梁泰勋;李源规;李仑揆;崔宝京;朴容焕;文相皓 -专利权人：三星移动显示器株式会社
申请日： 2011-09-23 - 公布日： 2012-05-16 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种有机发光二极管显示器及其制造方法。所述有机发光二极管显示器包括：第一多晶硅层图案，位于基底上并且具有第一栅电极、第二栅电极和第一电容器电极；栅极绝缘层图案；第二多晶硅层图案，包括第一有源层、第二有源层和电容器多晶硅哑层；第三非晶硅层图案，包括位于第一有源层的预定区域上的第一源极抵抗接触层和第一漏极抵抗接触层、位于第二有源层的预定区域上的第二源极抵抗接触层和第二漏极抵抗接触层以及位于电容器多晶硅哑层上的电容器非晶哑层；数据金属层图案，包括第一源电极、第一漏电极、第二源电极、第二漏电极和第二电容器电极。
有机发光二极管显示器及其制造方法

[发明专利]有机发光显示装置及其制造方法-CN201110050250.2有效
发明人： 崔宝京;曹圭湜;文相皓;崔埈厚;柳春其;朴鲜;朴锺贤;李律圭 -专利权人：三星移动显示器株式会社
申请日： 2011-02-28 - 公布日： 2012-05-16 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本发明提供有机发光显示装置，包括：缓冲层，设置于基板上，并包括折射率不同的多个绝缘膜，所述多个绝缘膜中的至少一个在同一面上形成为不同的厚度；薄膜晶体管的活性层，形成于所述缓冲层的厚度较厚的区域；像素电极，形成于所述缓冲层的厚度较薄的区域；薄膜晶体管的栅电极、源电极以及漏电极，所述栅电极隔着栅绝缘膜形成于所述活性层上，所述薄膜晶体管的源电极以及漏电极连接至所述活性层；发光层，形成于所述像素电极上；以及相对电极，隔着所述发光层与所述像素电极相对地设置。
有机发光显示装置及其制造方法

[发明专利]用于沉积装置的罐及使用罐的沉积装置-CN201110006623.6无效
发明人：郑珉在;李基龙;洪钟元;罗兴烈;姜有珍;张锡洛;徐晋旭;梁泰勋;郑胤谟;苏炳洙;朴炳建;李东炫;李吉远;白原奉;朴钟力;崔宝京;伊凡·马伊达楚克;郑在琓 -专利权人：三星移动显示器株式会社
申请日： 2011-01-10 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： C23C16/448 文献下载
摘要：一种用于沉积装置的罐和使用罐的沉积装置，并且更为具体地，一种能够提供包含在供应到沉积室中的反应气体中的均匀量的原材料并且提高原材料供应的安全性的沉积装置的罐，以及使用罐的沉积装置。该沉积装置包括：沉积室；将反应气体供应到该沉积室的罐；以及用于将载气供应到罐的载气供应器，其中该罐包括主体、加热该主体的加热单元以及布置在该主体下方的温度测量单元。
用于沉积装置使用

[发明专利]显示装置及其制造方法-CN201110122884.4有效
发明人：曹圭湜;崔埈厚;崔宝京;文相皓 -专利权人：三星移动显示器株式会社
申请日： 2011-05-05 - 公布日： 2011-12-14 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供一种显示装置及其制造方法。所述显示装置包括：基板；半导体层，形成在基板上；有机绝缘层，形成在半导体层上；多条导线，形成在有机绝缘层上。有机绝缘层具有开口槽，所述开口槽形成在所述多条导线之间。
显示装置及其制造方法

[发明专利]使硅层晶化的方法、薄膜晶体管和有机发光显示装置-CN201110087389.4无效
发明人：郑胤谋;李基龙;徐晋旭;李吉远;崔宝京 -专利权人：三星移动显示器株式会社
申请日： 2011-04-06 - 公布日： 2011-10-19 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种使硅层晶化的方法、一种薄膜晶体管和一种有机发光显示装置。在基底上的缓冲层上形成非晶硅层。在非晶硅层上形成密度为大约1011原子/cm2至大约1015原子/cm2的催化剂金属层。随着催化剂金属层的催化剂金属扩散到非晶硅层中，在非晶硅层和缓冲层之间的界面上形成具有锥形形状的晶化晶种。对非晶硅层进行热处理，从而随着由晶化晶种长成硅晶体，形成多晶硅层。
使硅层晶化方法薄膜晶体管有机发光显示装置

[发明专利]薄膜晶体管和具有该薄膜晶体管的显示装置-CN201110094630.6无效
发明人：秋秉权;曹圭湜;李源规;朴容焕;文相皓;申旼澈;梁泰勋;崔埈厚;崔宝京;李仑揆 -专利权人：三星移动显示器株式会社
申请日： 2011-04-07 - 公布日： 2011-10-12 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：描述的技术总体涉及一种薄膜晶体管和一种包括该薄膜晶体管的显示装置，该薄膜晶体管包括栅电极、半导体层和源/漏电极，其中，源/漏电极设置在形成有半导体层的区域的范围内。因此，当前实施例可以提供这样一种薄膜晶体管，在该薄膜晶体管中，因为阈值电压的变化量小，所以可靠性优异。
薄膜晶体管具有显示装置

[发明专利]有机发光二极管显示器及其制造方法-CN201010573443.1有效
发明人：李源规;梁泰勋;崔宝京;秋秉权;文相皓;曹圭湜;朴容焕;崔埈厚;申旼澈;李仑揆 -专利权人：三星移动显示器株式会社
申请日： 2010-11-29 - 公布日： 2011-07-27 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本发明提供了一种有机发光二极管(OLED)显示器及其制造方法，所述OLED显示器包括：基底主体；绝缘层图案，形成在所述基底主体上，并包括第一厚度层和比所述第一厚度层薄的第二厚度层；金属催化剂，分散在所述绝缘层图案的第一厚度层上；多晶半导体层，形成在所述绝缘层图案上，并分为第一晶体区域和第二晶体区域，所述第一晶体区域与所述第一厚度层对应并与所述第二厚度层的与所述第一厚度层相邻的一部分对应，所述第二晶体区域与所述第二厚度层的剩余部分对应。所述多晶半导体层的第一晶体区域是通过所述金属催化剂结晶的，所述多晶半导体层的第二晶体区域通过固相结晶形成。
有机发光二极管显示器及其制造方法

[发明专利]制造多晶硅层的方法、薄膜晶体管、显示装置及制造方法-CN201010517117.9有效
发明人：李东炫;李基龙;徐晋旭;梁泰勋;郑胤谟;朴炳建;李吉远;朴钟力;崔宝京;苏炳洙 -专利权人：三星移动显示器株式会社
申请日： 2010-10-15 - 公布日： 2011-06-01 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种制造多晶硅层的方法、一种使用该多晶硅层的薄膜晶体管、一种包括该多晶硅层的有机发光二极管显示装置及它们的制造方法。制造多晶硅层的方法包括：将缓冲层形成在基底上；将金属催化剂层形成在缓冲层上；使金属催化剂层中的金属催化剂扩散到缓冲层中；去除金属催化剂层；将非晶硅层形成在缓冲层上；对基底进行退火以使非晶硅层结晶成多晶硅层。薄膜晶体管包括：基底；缓冲层，设置在基底上；半导体层，设置在缓冲层上；栅绝缘层，设置在基底的上方并设置在半导体层上；栅电极，设置在栅绝缘层上；源电极和漏电极，均电连接到半导体层；金属硅化物，设置在缓冲层和半导体层之间。
制造多晶方法薄膜晶体管显示装置

[发明专利]有机发光二极管显示装置及其制造方法-CN201010542442.0有效
发明人：李源规;曹圭湜;梁泰勋;秋秉权;文相皓;崔宝京;朴容焕;崔埈厚;申旼澈;李仑揆 -专利权人：三星移动显示器株式会社
申请日： 2010-11-10 - 公布日： 2011-05-25 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种有机发光二极管(OLED)显示装置及其制造方法。所述OLED显示装置包括多条扫描线、多条数据线和设置在扫描线与数据线交叉的区域中的多个像素，其中，多个像素中的每个像素包括：开关晶体管，包括第一栅电极、设置在第一栅电极上方的第一半导体层、设置在第一栅电极和第一半导体层之间的第一栅极绝缘层、以及第一源电极和第一漏电极；驱动晶体管，包括第二半导体层、设置在第二半导体层上方的第二栅电极、设置在第二栅电极和第二半导体层之间的第二栅极绝缘层、以及第二源电极和第二漏电极；有机发光二极管，与驱动晶体管的第二源电极和第二漏电极中的一个电极电连接，其中，第一半导体层和第二半导体层由相同的材料通过同一工艺形成。
有机发光二极管显示装置及其制造方法

[发明专利]用于沉积装置的罐以及利用该罐的沉积装置和方法-CN201010224415.9有效
发明人：罗兴烈;李基龙;徐晋旭;郑珉在;洪钟元;姜有珍;张锡洛;梁泰勋;郑胤谟;苏炳洙;朴炳建;伊凡·马伊达楚克;李东炫;李吉远;白原奉;朴钟力;崔宝京;郑在琓 -专利权人：三星移动显示器株式会社
申请日： 2010-07-07 - 公布日： 2011-01-12 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本发明公开一种用于沉积装置的罐和一种利用该罐的沉积装置和方法，所述罐在原料通过原子层沉积被沉积在基板上时能够保持包含在供应到沉积室的反应气体中的原料的预定量，该罐包括：主体、被配置为存储原料的原料存储器、设置在所述主体的外侧的加热器以及被配置为控制所述原料从所述原料存储器供应到所述主体的第一供给控制器。
用于沉积装置以及利用方法

[发明专利]基板处理设备-CN201010128599.9有效
发明人：罗兴烈;李基龙;徐晋旭;郑珉在;洪钟元;姜有珍;张锡洛;郑胤谟;梁泰勋;苏炳洙;朴炳建;李东炫;李吉远;朴钟力;崔宝京;伊凡·迈丹丘克;白原奉;郑在琓 -专利权人：三星移动显示器株式会社
申请日： 2010-03-03 - 公布日： 2010-10-20 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本发明公开一种基板处理设备，其通过均匀地加热基板，在多个基板上形成薄膜和热处理基板。该基板处理设备包括处理室、其中堆叠基板的船形器皿、位于处理室外部的外部加热器、将船形器皿移进和移出处理室的输送器、位于输送器下方的下部加热器、和位于船形器皿中间的中间加热器。
处理设备

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