专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]地砖加工用烧结装置-CN202321696171.3有效
  • 张国良;蒋文杰;董振;耿佳琪;崔国梁;高琪 - 淄博强强建陶有限公司
  • 2023-06-30 - 2023-08-08 - F27B17/00
  • 地砖加工用烧结装置,属于地砖烧结设备技术领域。燃烧装置设置在窑炉主体(1)的底部,燃气储罐(14)与燃烧装置的燃气入口连通,风机(13)的进风口与换热器(10)的管程出口连通,风机(13)的出风口与燃烧装置的助燃风入口连通,换热器(10)的管程入口与大气连通,换热器(10)的壳程入口与窑炉主体(1)的顶部连通,换热器(10)的壳程出口与大气连通。本地砖加工用烧结装置既能够保证助燃风的温度高,避免助燃风温度低而造成窑炉主体内的温度波动,还能够对排出的气体的热量进行回收,提高了能量利用率,且能够避免排出的气体温度过高而对环境造成污染,燃气和助燃风均送入到燃烧装置内,保证燃气燃烧充分。
  • 地砖工用烧结装置
  • [实用新型]一种瓷砖生产加工切割装置-CN202321695918.3有效
  • 张国良;蒋文杰;董振;耿佳琪;崔国梁;高琪 - 淄博强强建陶有限公司
  • 2023-06-30 - 2023-08-04 - B28D1/22
  • 一种瓷砖生产加工切割装置,属于瓷砖切割设备技术领域。输送机构设置在切割台的中部,切割机构安装在切割台上,切割机构上设置有两个切割部,两切割部分别设置在输送机构的两侧,对中机构安装在切割台的上侧,对中机构和切割机构沿输送方向依次设置。本瓷砖生产加工切割装置的输送机构能够持续对瓷砖进行输送,对中机构能够对待切割的瓷砖进行对中,在对瓷砖对中后,随着输送机构对瓷砖的输送,切割机构的两切割部同时对瓷砖相对的两侧进行切割,保证切割后的瓷砖的尺寸更加精确,工作人员只需要将瓷砖放置到输送机构上即可,使瓷砖的切割速度快。
  • 一种瓷砖生产加工切割装置
  • [实用新型]一种地板砖生产原料粉碎装置-CN202321689768.5有效
  • 张国良;蒋文杰;董振;耿佳琪;崔国梁;高琪 - 淄博强强建陶有限公司
  • 2023-06-30 - 2023-07-28 - B02C4/08
  • 一种地板砖生产原料粉碎装置,属于粉碎设备技术领域。其特征在于:粉碎机构和筛分机构由上至下依次设置在主体(1)内,主体(1)上设置有与筛分机构的粗料出口连通的粗料输出槽(8),以及与细料出口连通的细料输出槽(9);两粉碎辊(3)上均安装有传动齿轮(14),粉碎电机的输出轴上安装有主动齿轮(15),主动齿轮(15)通过过载保护机构与任意一个传动齿轮(14)连接。本地板砖生产原料粉碎装置将粉碎后的原料按照粒度分级,在原料球磨时能够将不同粒度的原料进行分别研磨,从而保证了研磨效果好;当粉碎辊被大块原料卡住时,过载保护机构断开传动,能够避免粉碎电机由于过载而损坏,提高了粉碎电机的使用寿命。
  • 一种地板砖生产原料粉碎装置
  • [实用新型]一种地板砖输送暂存装置-CN202321597023.6有效
  • 张国良;蒋文杰;董振;耿佳琪;崔国梁;高琪 - 淄博强强建陶有限公司
  • 2023-06-21 - 2023-07-25 - B65G47/26
  • 一种地板砖输送暂存装置,属于地砖输送设备技术领域。升降装置上由下至上间隔设置有若干组承托组件(10),每组承托组件(10)均包括沿输送方向间隔设置的若干个,各承托组件(10)上均可转动的安装有承托部。本地板砖输送暂存装置实现了地砖的暂存,承托部与承托组件之间可转动的连接,在地砖与输送装置上的地砖底部接触时,承托部随地砖的输送而同步转动,使承托部与地砖的底部之间不存在相对运动,进而避免对地砖的底部造成摩擦,既能够避免承托部磨损而影响设备的使用寿命,又能够避免对地砖的底部造成磨损或划痕。
  • 一种地板砖输送暂存装置
  • [发明专利]一种制备大单晶过渡金属硫族化合物的方法-CN202110216125.8有效
  • 崔国梁;张晓闻;唐志列;王恩科;徐小志 - 华南师范大学
  • 2021-02-26 - 2022-08-30 - C30B29/46
  • 本发明涉及一种制备大单晶过渡金属硫族化合物的方法,该方法包括如下步骤:将装有三氧化钼粉末的带盖石墨盒、衬底和硫粉放置于气相沉积管式炉中加热进行反应,得到生长在所述衬底上的二硫化钼;其中,所述带盖石墨盒中,顶部的盖子开设有通孔,其余部分密闭;所述衬底置于所述带盖石墨盒外并位于所述通孔的正上方;所述三氧化钼粉末置于所述带盖石墨盒内并位于所述通孔的正下方;所述硫粉位于所述带盖石墨盒外;所述硫粉放置于所述气相沉积管式炉中的上游处,所述带盖石墨盒、三氧化钼粉末和衬底放置于所述气相沉积管式炉中的下游处。本发明所述方法可以制得尺寸大的单晶过渡金属硫族化合物。
  • 一种制备大单晶过渡金属化合物方法
  • [发明专利]用于产生调节性CD4+-CN202080044749.X在审
  • 崔国梁;马思聪 - 德国癌症研究中心
  • 2020-06-18 - 2022-02-15 - A61K31/685
  • 本发明涉及式(I)的物质,其中R1为具有6至20个碳原子的烷基或烯基;R2为H或缺失,其中O通过双键结合,R3为H或酰基‑C(O)R5,其中R5为具有1至10个碳原子的烷基或亚烷基,并且R4为H或磷酸基,所述物质用作药剂和用于预防或治疗患有自身免疫疾病的受试者的方法。本发明进一步涉及一种用于体外产生调节性T细胞(Treg细胞)的方法,其包括以下步骤:提供前体CD4+T细胞,在如本文所定义的物质存在下培养步骤1)中所提供的所述前体CD4+T细胞,以及任选地,分离产生的调节性T细胞(Treg细胞)。
  • 用于产生调节cd4basesup

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