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[发明专利]显示装置及其制造方法-CN202110484940.2在审
发明人：金璱基;崔升夏;金承来;金贤;尹甲洙;李光洙;李在贤;赵正京 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2021-04-30 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本发明为了一种显示装置及其制造方法，其防止配置有像素电极的绝缘层的表面损坏，防止发生薄膜封装层损坏引起的发光元件的劣化，保护焊盘部表面并防止焊盘部的表面损坏，提供一种显示装置，具备：基板，包括显示区域以及围绕所述显示区域的周边区域；薄膜晶体管，配置于与所述显示区域对应的所述基板上；焊盘部，配置于与所述周边区域对应的所述基板上；第一绝缘层，包括配置于所述薄膜晶体管上的第一部分和从所述第一部分延伸的第二部分，所述第一绝缘层暴露所述焊盘部；以及发光元件，配置于所述第一绝缘层的所述第一部分上，并与所述薄膜晶体管电连接，所述第一绝缘层的上面具有所述第一部分和所述第二部分之间的台阶。
显示装置及其制造方法

[发明专利]显示装置及制作显示装置的方法-CN202010732862.9在审
发明人：金璱基;孙升锡;尹甲洙;李禹根;郑守正;崔升夏 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2020-07-27 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本公开涉及一种显示装置及制作显示装置的方法，显示装置包括：具有显示区和焊盘区的基板；设置在基板上的栅极导电层，包括栅极导电金属层和栅极覆层，并形成在显示区中的栅极电极和在焊盘区中的被焊盘开口暴露的布线焊盘；设置在栅极导电层上的层间绝缘膜，覆盖栅极电极；在显示区中设置在层间绝缘膜上的数据导电层，包括源极电极和漏极电极；设置在数据导电层上的钝化层，覆盖源极电极和漏极电极；通路层，设置在钝化层上；像素电极，设置在通路层上，通过穿透通路层和钝化层的接触孔连接到源极电极；通路层包括在显示区中与像素电极交叠的第一区域和在显示区中与像素电极不交叠且具有比第一区域的高度小的高度的第二区域。
显示装置制作方法

[发明专利]显示装置-CN201610890759.0在审
发明人：金贤;金璱基;崔升夏;韩仑锡;尹甲洙;许政旭 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2016-10-12 - 公布日： 2017-06-09 - 主分类号： G02F1/1339 文献下载
摘要：提供了一种显示装置。所述显示装置包含包含第一基部基板的第一基板，位于第一基部基板上的绝缘层，以及位于绝缘层上的阻挡层；面对第一基板的第二基板；液晶层，其位于第一基板与第二基板之间；以及第一间隔体，其位于第一基板与第二基板之间，并且与第一基板接触，其中第一基板还包含第二间隔体，其位于阻挡层上，并且与第一间隔体重叠。
显示装置

[发明专利]薄膜晶体管显示面板及其制造方法-CN201110150778.7有效
发明人： 崔升夏;郑卿在;李禹根 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2011-06-07 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供一种具有高的电荷迁移率且对于大面积显示器能获得均匀电特性的薄膜晶体管显示面板及其制造方法。TFT显示面板包括：栅电极，形成在绝缘基板上；第一栅绝缘层，由SiNx形成在该栅电极上；第二栅绝缘层，由SiOx形成在该第一栅绝缘层上；氧化物半导体层，形成得交叠该栅电极且具有沟道部分；以及钝化层，由SiOx形成在该氧化物半导体层和该栅电极上，该钝化层包括暴露漏电极的接触孔。该接触孔具有这样的形状，其中横截面积从在该漏电极处的底表面向上增大。
薄膜晶体管显示面板及其制造方法

[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及其制造方法-CN201110229094.6有效
发明人：柳慧英;李禹根;崔永柱;郑卿在;李进元;崔升夏;卞喜准;尹弼相 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2011-08-11 - 公布日： 2012-03-14 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供了薄膜晶体管阵列基板及其制造方法，该薄膜晶体管阵列基板能够减小由于氧化物半导体图案的退化引起的器件的退化。该薄膜晶体管阵列基板可以包括：绝缘基板，栅极电极形成在其上；栅极绝缘膜，形成在绝缘基板上；氧化物半导体图案，设置在栅极绝缘膜上；抗蚀刻图案，形成在氧化物半导体图案上；以及源极电极和漏极电极，形成在抗蚀刻图案上。氧化物半导体图案可以包括位于源极电极与漏极电极之间的边缘部分，该边缘部分可以包括至少一个导电区域和至少一个不导电区域。
薄膜晶体管阵列及其制造方法

[发明专利]薄膜晶体管基板及其制造方法-CN200910162048.1无效
发明人： 崔升夏;金湘甲;崔新逸;李基晔;杨东周;秦洪基;丁有光 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2009-08-10 - 公布日： 2010-02-10 - 主分类号： H01L21/84 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜晶体管(TFT)基板，其制造简单且成本降低，以及提供一种制造TFT基板的方法。该TFT基板包括：绝缘基板；在绝缘基板上沿第一方向延伸的栅极布线；在栅极布线上沿第二方向延伸且包括下层和上层的数据布线；以及设置在数据布线下方且除了沟道区之外与数据布线具有基本相同形状的半导体图案，其中数据布线顶表面的均方根粗糙度是3nm或更低。
薄膜晶体管及其制造方法

[发明专利]薄膜晶体管面板和所述薄膜晶体管面板的制造方法-CN200910126213.8无效
发明人：秦洪基;崔新逸;金湘甲;吴旼锡;丁有光;崔升夏;杨东周 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2009-03-09 - 公布日： 2009-09-09 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜晶体管阵列面板，所述薄膜晶体管阵列面板包括：形成在衬底上并包括栅电极的栅极线；形成在衬底的具有栅极线的表面上的半导体层；数据线，所述数据线形成在半导体层上，与栅极线绝缘地相交，并且包括设置在栅电极上的源电极；漏电极，所述漏电极通过沟道与源电极分离，设置在栅电极上，并由与数据线的层相同的层形成；钝化层，所述钝化层形成在数据线和漏电极上，并具有暴露漏电极的第一接触孔；和像素电极，所述像素电极形成在钝化层上，并通过第一接触孔接触漏电极。数据线和漏电极可以包括第一层和形成在第一层上的第二层，第一层的平坦边缘从第二层的平坦边缘突出，并且第一层通过干蚀刻形成，而第二层通过湿蚀刻形成。
薄膜晶体管面板制造方法

[发明专利]金属布线层及其制造方法-CN200810174806.7有效
发明人：杨东周;崔新逸;金湘甲;吴旼锡;秦洪基;李基晔;丁有光;崔升夏 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2008-11-05 - 公布日： 2009-05-13 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明提供金属布线层及其制造方法。金属布线层的制造方法包括在衬底上形成电介质层，通过蚀刻部分电介质层而在所述衬底上形成多个电介质层图案和在电介质层图案中的孔，所述电介质层图案中的孔的横截面积随着远离所述衬底的距离增大而减小并且所述的孔暴露所述衬底，通过蚀刻经过电介质层图案中的孔所暴露的衬底的一部分而形成沟槽，并且形成填充所述沟槽和电介质层图案中的孔的金属层。由此，通过在电介质层图案中的多个横截面积随着远离所述衬底的距离增大而减小的孔中形成金属层，可以防止边缘堆积现象的发生。因此，可以防止液晶层的透光度由于不能适当填充所述液晶层中的液晶分子而降低，并且由此增加显示器的品质。
金属布线及其制造方法

[发明专利]液晶显示器的制造方法-CN200710306900.9有效
发明人： 崔升夏;吴旼锡;金湘甲;崔在镐;丁有光 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2007-09-05 - 公布日： 2008-07-16 - 主分类号： H01L21/84 文献下载
摘要：本发明提供了一种制造包括几个区域的液晶显示设备的方法。在形成栅极线层、栅极绝缘体、半导体层、数据层和光刻胶层之后，使用掩模限定光刻胶层的多个区域。某些区域在显影后具有不同厚度的光刻胶层。当曝光栅极垫和数据垫时，同时对栅极垫和数据垫应用刻蚀处理。然后，钝化层被沉积在通过接触孔暴露的栅极垫和数据垫之上。当在覆盖层中形成其它接触孔时，数据垫和栅极垫可被暴露以在相同的时间段内进行刻蚀处理。
液晶显示器制造方法

[发明专利]制造薄膜晶体管基板的方法和使用该方法的制造系统-CN200710194464.0无效
发明人：吴旼锡;金湘甲;秦洪基;丁有光;崔升夏;金基铉;宋仁虎 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2007-11-05 - 公布日： 2008-05-07 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明提供一种制造薄膜晶体管基板的方法和使用该方法的制造系统，其中在制造薄膜晶体管基板的工艺期间减少了腐蚀性物质的产生。该方法包括提供蚀刻单元和其上已沉积有薄金属膜的绝缘基板，且干法蚀刻该绝缘基板以形成预定电路图案；为等待被清洁的该绝缘基板提供等待单元；在该绝缘基板等待时通过具有多个喷嘴的清洁单元执行初步清洁操作，且检查该初步清洁操作；以及基于检查结果对该绝缘基板执行主清洁操作。
制造薄膜晶体管方法使用系统

[发明专利]制造薄膜晶体管基板的方法-CN200710167104.1无效
发明人： 崔升夏;金湘甲;吴旼锡;崔新逸;金大玉;秦洪基;丁荣镐;丁有光 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2007-10-18 - 公布日： 2008-04-23 - 主分类号： H01L21/84 文献下载
摘要：本发明涉及薄膜晶体管基板的制造方法，包括：在绝缘基板上顺序形成栅互连、栅绝缘层、有源层、用于数据互连的导电层、及包括第一区域和第二区域的光致抗蚀剂图案；利用该光致抗蚀剂图案蚀刻该导电层从而形成用于源/漏电极和数据线的导电层图案；利用该光致抗蚀剂图案蚀刻该有源层从而形成有源层图案；去除该光致抗蚀剂图案的第二区域；使用该光致抗蚀剂图案和蚀刻气体干法蚀刻该第二区域下的该用于源/漏电极的导电层图案；利用该光致抗蚀剂图案蚀刻该有源层图案的一部分；及使用反应副产物去除剂使得外力施加到该导电层图案的蚀刻气体和反应副产物而物理去除所述反应副产物。
制造薄膜晶体管方法

[发明专利]薄膜晶体管阵列面板及其制造方法-CN200610142803.6有效
发明人： 崔升夏;吴旼锡;秦洪基;金湘甲;丁有光 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-10-26 - 公布日： 2007-08-01 - 主分类号： H01L21/84 文献下载
摘要：本发明提供了一种薄膜晶体管(TFT)阵列面板及其制造方法。该方法包括在栅线上形成半导体层和欧姆接触层、在欧姆接触层上形成导电层、在导电层上形成第一光敏层图案、使用该第一光敏层图案作为蚀刻掩模来蚀刻导电层、使用第一光敏层图案作为蚀刻掩模通过含氟气体、含氯气体和氧气来蚀刻欧姆接触层和半导体层、除去第一光敏层图案到预定深度以形成第二光敏层图案、和使用第二光敏层图案作为蚀刻掩模蚀刻导电层以暴露出一部分欧姆接触层。
薄膜晶体管阵列面板及其制造方法

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