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[发明专利]一种触控传感器及制备方法-CN201710151640.6有效
发明人：陈龙龙;陈鑫;岳致富;张建华;李喜峰 -专利权人：上海大学
申请日： 2017-03-15 - 公布日： 2019-08-13 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：本发明公开一种触控传感器及制备方法，所述触控传感器包括基板、左电极、右电极、压阻薄膜、支撑层、压力柱和柔性层；所述左电极和所述右电极立于所述基板上，所述左电极和所述右电极高度相同；所述压阻薄膜覆盖在所述左电极和所述右电极上方，所述压阻薄膜连接所述左电极和所述右电极；所述支撑层覆盖于所述压阻薄膜表面；所述压力柱直立于所述支撑层上；所述柔性层平铺于所述压力柱上方。本发明公开的触控传感器及制备方法在保证精确检测压力位置和大小的基础上，优化了传感器的性能，降低了传感器的制造成本。
一种传感器制备方法

[发明专利]薄膜晶体管的制备方法及具有导电孤岛的薄膜晶体管-CN201710019770.4有效
发明人：李喜峰;杨祥;岳致富;姜姝;许云龙;陈龙龙;张建华 -专利权人：上海大学
申请日： 2017-01-12 - 公布日： 2019-04-12 - 主分类号： H01L21/34 文献下载
摘要：本发明公开一种薄膜晶体管的制备方法，制备方法包括：设置基板，在基板上制备栅极薄膜；对栅极薄膜依次进行涂胶、烘烤、光刻、显影、刻蚀和去胶，形成栅电极；在栅电极上制备绝缘层，并在绝缘层上制备源漏电极层；对源漏电极层依次进行涂胶、烘烤、光刻、显影、刻蚀和去胶，同时形成漏电极、源电极和导电孤岛，其中导电孤岛位于漏电极及源电极之间；在漏电极、源电极及导电孤岛之间的间隙内制备半导体层。本发明提供的薄膜晶体管的制备方法，在刻蚀源漏电极的同时，能在源漏电极沟道间制备得到纳米级的导电孤岛，简化了制备薄膜晶体管的工艺步骤，降低了薄膜晶体管的制备成本，而且大幅度提升了薄膜晶体管的稳定性和开态电流。
薄膜晶体管制备方法具有导电孤岛

[发明专利]降低溶液法成膜退火温度的方法-CN201610022919.X有效
发明人：李喜峰;许云龙;高娅娜;董盼盼;岳致富 -专利权人：上海大学
申请日： 2016-01-14 - 公布日： 2018-08-17 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种降低溶液法成膜退火温度的方法，首先按照溶质金属化合物和有机溶剂的混合摩尔比，将溶质金属化合物溶解于有机溶剂中，进行混合，搅拌，待混合溶液澄清后，得到前驱体溶液；然后按照在所述步骤a中制备的前驱体溶液与过氧化氢叔丁醇的摩尔比≤1:1的混合比例，在前驱体溶液中加入过氧化氢叔丁醇，配制成混合溶液，然后将混合溶液进行加热，制成溶胶。本发明用来制备溶胶，作为氧化物半导体薄膜，应用于半导体薄膜与器件领域。本发明在配制有源层或绝缘层溶液中加入适量的过氧化氢叔丁醇溶液，来降低成膜的退火温度，尤其适合应用于基于柔性基板的半导体器件的制备。
降低溶液法成膜退火温度方法

[实用新型]调节薄膜晶体管阈值电压的阳极还原反应装置-CN201620033361.0有效
发明人：李喜峰;董盼盼;许云龙;高娅娜;张建华;岳致富 -专利权人：上海大学
申请日： 2016-01-14 - 公布日： 2016-06-29 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种调节薄膜晶体管阈值电压的阳极还原反应装置，由反应容器、电源、阳极金属片和电解液组成阳极还原反应装置，电源的正极连接阳极金属片，电源的负极连接薄膜晶体管的源漏电极，将薄膜晶体管器件和阳极金属片浸入反应容器内的电解液中，使阳极金属片与薄膜晶体管的源漏电极保持平行，还使阳极金属片与源漏电极的两电极间距离可调，使阳极还原反应在电解液中进行。本实用新型通过阳极还原反应，在不影响器件其他性能的前提下，改变电场强度，能有效起到调节薄膜晶体管阈值电压的作用，对薄膜晶体管器件在实际中的应用具有非常重要的意义。
调节薄膜晶体管阈值电压阳极还原反应装置