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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]固态摄像器件和制造方法、半导体晶片及电子装置-CN201680011455.0有效
发明人： 岩渕寿章 -专利权人：索尼公司
申请日： 2016-02-26 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： H01L27/14 文献下载
摘要：本发明涉及能够提高良品率的固态摄像器件和制造方法、半导体晶片以及电子装置。在半导体晶片上形成有芯片区域和划线区域，在所述芯片区域中形成有构成固态摄像器件的像素等。所述划线区域包括测量区域和在将所述半导体晶片单片化时将被切割的切割线，在所述测量区域中形成有用于测量所述芯片区域的性能的检查电路以及测量焊盘。所述测量区域位于所述切割线与所述芯片区域之间。本发明可应用于固态摄像器件。
固态摄像器件制造方法半导体晶片电子装置

[发明专利]固态成像装置-CN201710229599.X有效
发明人： 岩渕寿章;清水正彦;小林宽隆 -专利权人：索尼公司
申请日： 2012-02-17 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种固态成像装置，包括：光电地转换通过透镜取入的光的固态成像器件；和遮蔽从所述透镜向所述固态成像器件入射的光的一部分的遮光构件，其中，所述遮光构件的边缘面与所述透镜的光轴方向之间形成的角度大于入射到所述遮光构件的边缘部的光的入射角。
固态成像装置

[发明专利]固态成像装置-CN201710223768.9有效
发明人： 岩渕寿章;清水正彦;小林宽隆 -专利权人：索尼公司
申请日： 2012-02-17 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种固态成像装置，包括：光电地转换通过透镜取入的光的固态成像器件；和遮蔽从所述透镜向所述固态成像器件入射的光的一部分的遮光构件，其中，所述遮光构件的边缘面与所述透镜的光轴方向之间形成的角度大于入射到所述遮光构件的边缘部的光的入射角。
固态成像装置

[发明专利]半导体装置和电子设备-CN201980055411.1在审
发明人：三桥生枝;岩渕寿章 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2019-12-03 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本发明的半导体装置包括第一半导体基板、第二半导体基板以及具有第一保护元件、第二保护元件和第三保护元件的至少一个保护结构。第一半导体基板和第二半导体基板在第一半导体基板的表面和第二半导体基板的表面之间的接合界面处彼此接合。第一保护元件在第一半导体基板中并且通过第一半导体基板的一部分与第三保护元件间隔开，第二保护元件在第二半导体基板中通过第二半导体基板的一部分与第三保护元件间隔开，并且第三保护元件包括在第一表面和第二表面中的用于将第一半导体基板接合到第二半导体基板的部分。
半导体装置电子设备

[发明专利]固态成像装置-CN201710223867.7有效
发明人： 岩渕寿章;清水正彦;小林宽隆 -专利权人：索尼公司
申请日： 2012-02-17 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种固态成像装置，包括：光电地转换通过透镜取入的光的固态成像器件；和遮蔽从所述透镜向所述固态成像器件入射的光的一部分的遮光构件，其中，所述遮光构件的边缘面与所述透镜的光轴方向之间形成的角度大于入射到所述遮光构件的边缘部的光的入射角。
固态成像装置

[发明专利]固态成像装置-CN201710223868.1有效
发明人： 岩渕寿章;清水正彦;小林宽隆 -专利权人：索尼公司
申请日： 2012-02-17 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种固态成像装置，包括：光电地转换通过透镜取入的光的固态成像器件；和遮蔽从所述透镜向所述固态成像器件入射的光的一部分的遮光构件，其中，所述遮光构件的边缘面与所述透镜的光轴方向之间形成的角度大于入射到所述遮光构件的边缘部的光的入射角。
固态成像装置

[发明专利]光学组件-CN201711224856.7有效
发明人： 岩渕寿章;江崎孝之;大出知志 -专利权人：索尼公司
申请日： 2013-04-16 - 公布日： 2020-08-18 - 主分类号： H04N5/225 文献下载
摘要：本发明提供一种能够抑制重影的出现的光学组件，其包括构造成拾取图像拾取对象的图像的传感器和构造成储存从所述传感器读出的像素数据并与所述传感器接合的存储芯片。所述存储芯片通过倒装芯片连接的连接部与基板连接。所述传感器可以与接合到所述传感器的所述存储芯片通过配线连接。此外，所述传感器可以以朝向所述基板的开口部突出的方式与所述存储芯片接合。本技术可以应用到相机模块。
光学组件

[发明专利]光学组件-CN201380019332.8有效
发明人： 岩渕寿章;江崎孝之;大出知志 -专利权人：索尼公司
申请日： 2013-04-16 - 公布日： 2017-12-22 - 主分类号： H04N5/225 文献下载
摘要：本发明提供一种能够抑制重影的出现的光学组件，其包括构造成拾取图像拾取对象的图像的传感器和构造成储存从所述传感器读出的像素数据并与所述传感器接合的存储芯片。所述存储芯片通过倒装芯片连接的连接部与基板连接。所述传感器可以与接合到所述传感器的所述存储芯片通过配线连接。此外，所述传感器可以以朝向所述基板的开口部突出的方式与所述存储芯片接合。本技术可以应用到相机模块。
光学组件

[发明专利]固态成像装置-CN201210035863.3有效
发明人： 岩渕寿章;清水正彦;小林宽隆 -专利权人：索尼公司
申请日： 2012-02-17 - 公布日： 2017-05-03 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种固态成像装置，包括光电地转换通过透镜取入的光的固态成像器件；和遮蔽从所述透镜向所述固态成像器件入射的光的一部分的遮光构件，其中，所述遮光构件的边缘面与所述透镜的光轴方向之间形成的角度大于入射到所述遮光构件的边缘部的光的入射角。
固态成像装置

[发明专利]照相机模块及其制造装置和方法-CN201210260113.6无效
发明人： 岩渕寿章;古泽俊洋;东堤良仁 -专利权人：索尼公司
申请日： 2012-07-25 - 公布日： 2013-02-06 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种照相机模块及其制造装置和制造方法，该照相机模块包括成像传感器、供电电极、第一导电构件和第一密封构件。成像传感器包括接收由透镜聚集的光的光接收表面。供电电极形成到包括成像传感器的包括光接收表面的面，并且供电电极构造为进行供电。第一导电构件构造为电连接供电电极和驱动电极。驱动电极提供到驱动部，驱动部构造为根据供电驱动透镜。第一密封构件通过密封第一导电构件而形成。
照相机模块及其制造装置方法

[发明专利]固态摄像设备-CN201210252481.6有效
发明人： 岩渕寿章 -专利权人：索尼公司
申请日： 2012-07-20 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种固态摄像设备，包括基板和固态摄像装置。基板包括开口部分。该固态摄像装置在基板的下表面并在开口部分的周围被安装为倒装芯片，并且该固态摄像装置接收并光电转换由设置在基板的上表面上的透镜获取且从开口部分进入的光。基板的开口部分的周围比基板的其他部分薄。
固态摄像设备

[发明专利]固态成像装置及其制造方法-CN201210035864.8无效
发明人：清水正彦;岩渕寿章 -专利权人：索尼公司
申请日： 2012-02-17 - 公布日： 2012-08-22 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本公开涉及固态成像装置及其制造方法。所述固态成像装置包括：成像部分，具有用于接收来自物体的光的受光部以使所述物体成像；和基板，在其上设置所述成像部分，其中在所述基板上设置于所述受光部附近的预定构件被部分地或者整体地涂覆成黑色。
固态成像装置及其制造方法

[发明专利]半导体设备，制造设备和制造方法-CN201210029542.2无效
发明人： 岩渕寿章;清水正彦 -专利权人：索尼公司
申请日： 2012-02-10 - 公布日： 2012-08-22 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本公开涉及半导体设备，制造设备和制造方法。所述半导体设备包括：布置有成像器件的受光面和第一连接端子的第一板状部件，所述成像器件通过从布置在上面的收集外部光的光收集部分接收入射光来产生图像；设置有将连接到第一连接端子的第二连接端子的第二板状部件；由导电材料制成并与第一连接端子接合的导电接合部分；和连接导电接合部分和第二连接端子的接合线，其中接合线沿着第一板状部件的平面布置，以致来自接合线的反射光不会入射到受光面。
半导体设备制造设备方法

[发明专利]半导体器件及其测试方法和装置-CN200710087933.9有效
发明人：池辺信彰;岩渕寿章;佐藤充弘;山形裕二 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2007-01-15 - 公布日： 2007-08-15 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件及该半导体器件的测试方法和装置，该半导体器件包括：电路板；半导体芯片，以其间具有预定间隙地安装到电路板上方并通过突起电极电连接到电路板；第一树脂材料，填充到电路板和半导体芯片之间的间隙中；第二树脂材料，密封安装到电路板上方的半导体芯片；第一反射器，形成于半导体芯片侧上的电路板的表面上并反射预定的测试光；和第二反射器，形成于在电路板侧上的半导体芯片的表面上并反射预定的测试光。
半导体器件及其测试方法装置

[发明专利]显示装置及其制造方法-CN02801322.0有效
发明人：大畑丰治;中嶋英晴;柳泽喜行;岩渕寿章 -专利权人：索尼公司
申请日： 2002-02-20 - 公布日： 2003-12-10 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种显示装置以及制造这种装置的方法，其中微小半导体发光装置被固定于该显示装置的基片的表面并与之有一定间隙，该显示装置成本低并具有足够的亮度。一用环氧树脂第一绝缘层(21)在除其具有引出电极(18)、(19)的上端区域和下端面以外的区域充填的通过选择性生长获得的基于GaN的微小半导体发光装置(11)被固定在基体(31)的上表面上并有一间隙。半导体发光装置(11)与第一绝缘层(21)一起被涂覆以形成一环氧树脂第二绝缘层(34)。一所需的连接孔被钻取以将电极(18)、(19)引至第二绝缘层(34)的上表面。进一步，一连接孔在第二绝缘层(34)中被钻取以将电极(18)引至设置在基体(31)上的连接电极(32)。
显示装置及其制造方法

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