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[发明专利]半导体模块、及使用该半导体模块的电力变换装置-CN202010103600.6有效
发明人：土持真悟;岩桥清太 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2020-02-20 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体模块，其具备多个半导体元件、以及与多个半导体元件电连接的第一电力端子、第二电力端子和第三电力端子。多个半导体元件具有在第一电力端子与第二电力端子之间电连接的至少一个上臂开关元件、以及在第二电力端子与第三电力端子之间电连接的至少一个下臂开关元件。而且，至少一个上臂开关元件的数量与至少一个下臂开关元件的数量不同。
半导体模块使用电力变换装置

[发明专利]功率半导体装置和半导体功率模块-CN202310804059.5在审
发明人：大塚拓一;岩桥清太;畑野舞子;渡边龙太;吉原克彦 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2018-05-10 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L23/14 文献下载
摘要：本发明提供功率半导体装置和半导体功率模块。该功率半导体装置具备平板状的厚铜基板、部分地配置在所述厚铜基板上的导电性的接合层、配置于所述接合层上的半导体功率器件、以及与所述半导体功率器件的电极电连接的外部连接用端子，所述厚铜基板的维氏硬度为50以下。
功率半导体装置模块

[发明专利]功率半导体装置及其制造方法-CN201880031217.5有效
发明人：大塚拓一;岩桥清太;畑野舞子;渡边龙太;吉原克彦 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2018-05-10 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L23/14 文献下载
摘要：一种功率半导体装置(1)，具备平板状的第1厚铜层(14)、配置于第1厚铜层(14)上的绝缘片层(16)、配置于绝缘片层(16)上且形成了图案的第2厚铜层(18A)、配置于第2厚铜层(18A)上的导电性的接合层(20)、以及配置于接合层(20)上的半导体功率器件(22)，半导体功率器件(22)与接合层(20)接合，同时，第2厚铜层(18A)的维氏硬度比第1厚铜层(14)的维氏硬度小，为50以下。提供一种功率半导体装置，能够不增加热阻而提高接合的可靠性。
功率半导体装置及其制造方法

[发明专利]功率模块及其制造方法-CN201780021453.4有效
发明人： 岩桥清太;济藤匡男 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2017-03-31 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：功率模块(100)具备：第1绝缘基板(10)，其具备第1导电层(14D)；第1半导体器件(Q4)，其配置在第1导电层(14D)上，且主电极的一方与第1导电层(14D)连接；第2绝缘基板(20)，其在第1绝缘基板(10)上方与第1半导体器件(Q4)对置地配置，且在表面以及背面具备第2导电层(6U)以及第3导电层(14U)；第1柱状电极(16)，其连接第1导电层(14D)和第2导电层(6U)；以及第2柱状电极(17)，其连接第1半导体器件(Q4)的主电极的另一方和第3导电层(14U)。这里，第2导电层(6U)连接于向第1半导体器件(Q4)供给电源的正极图案或者负极图案的任意一方，第3导电层(14U)连接于另一方。本发明提供能够小型化且可靠性高的功率模块及其制造方法。
功率模块及其制造方法