“岩村康弘”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果12个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]发热方法-CN202280005171.6在审
发明人： 岩村康弘;伊藤岳彦;吉野英树 -专利权人：绿净星球股份有限公司
申请日： 2022-01-21 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： F24V30/00 文献下载
摘要：本发明提供一种诱发发热体的发热反应的发热方法。诱发发热体的发热反应的发热方法包括：发热步骤41，其是利用加热器加热发热体而使所述发热体产生以第1发热量发热的第1发热反应，所述发热体具备包含储氢金属、储氢合金或质子导电体的基座、及设于所述基座的表面的多层膜，所述多层膜具有将包含储氢金属或储氢合金且厚度未达1000nm的第1层、及包含与所述第1层异种的储氢金属、储氢合金或陶瓷且厚度未达1000nm的第2层积层而得的构成；及诱发步骤42，其是于产生所述第1发热反应的状态下，对施加至所述加热器的输入电力赋予扰动而诱发所述发热体以大于所述第1发热量的第2发热量发热的第2发热反应。
发热方法

[发明专利]发热装置-CN202180021841.9在审
发明人： 岩村康弘;伊藤岳彦;吉野英树 -专利权人：绿净星球股份有限公司
申请日： 2021-03-29 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： F24V30/00 文献下载
摘要：本发明提供一种抑制热损失且能效优异的发热装置。发热装置10具备：中空容器11；发热体14，设置在容器11的内部；加热器12，对发热体14进行加热；导线部13，将容器11的壁部与加热器12连接；氢供给部15，对发热体14供给含有氢的氢系气体；及真空排气部16，对容器11的内部进行真空排气；当将加热器温度设为TH、将外界温度设为TW、将等效导热面积设为AHC、将等效导热率设为keq、将等效导热距离设为Leq、将样品辐射表面积设为AS、将样品表面温度设为TS、将等效辐射率设为εeq、将斯特藩‑玻耳兹曼常数设为σ、将维持动作所需的能量设为Pm、将发热体14产生的热能设为Hex时，满足下述数式(1)。此处，所述数式(1)中，ηeq为等效导热率除以等效导热距离所得的值(keq/Leq)。
发热装置

[发明专利]发热装置、热利用系统及膜状发热体-CN202080080722.6在审
发明人：小林淳志;岩村康弘;伊藤岳彦;笠木治郎太;吉野英树;平野章太郎 -专利权人：绿净星球股份有限公司
申请日： 2020-11-18 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： F28D20/00 文献下载
摘要：本发明提供一种利用廉价、清洁且安全的能量源的新的发热装置及热利用系统，以及作为廉价、清洁且安全的能量源的膜状发热体。发热装置10具备：中空的密闭容器11；筒体12，设置在由密闭容器11的内表面形成的中空部26；发热体13，设置在筒体12的外表面，通过供给到中空部26的氢系气体所包含的氢的吸藏与释放而产生热；及流路14，由筒体12的内表面形成，供与发热体13之间进行热交换的流体流通。发热体13具有：由储氢金属等形成的基座，及设置在基座的多层膜。多层膜具有：由储氢金属等形成且厚度未达1000nm的第1层，及由与第1层不同的储氢金属等形成且厚度未达1000nm的第2层。
发热装置利用系统

[发明专利]热利用系统及发热装置-CN201980081173.1有效
发明人： 岩村康弘;伊藤岳彦;笠木治郎太;吉野英树;平野章太郎;伊势雅英;茨城哲治 -专利权人：绿净星球股份有限公司
申请日： 2019-12-11 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： F24V30/00 文献下载
摘要：本发明提供一种利用廉价、清洁且安全的热能源的新颖的热利用系统及发热装置。热利用系统(10)具备：发热体(14)，通过氢的吸藏与释放而产生热；密闭容器(15)，具有由发热体(14)分隔的第1室(21)及第2室(22)；及温度调节部(16)，调节发热体(14)的温度。第1室(21)与第2室(22)的氢的压力不同。发热体(14)具有由多孔质体、氢透过膜及质子导电体中的至少任一个形成的支撑体、及支撑在支撑体的多层膜。多层膜具有：第1层，由氢吸藏金属或氢吸藏合金形成，且厚度小于1000nm；及第2层，由与第1层不同的氢吸藏金属、氢吸藏合金或陶瓷形成，且厚度小于1000nm。
利用系统发热装置

[发明专利]发热装置及发热方法-CN201880039403.3有效
发明人： 岩村康弘;伊藤岳彦;笠木治郎太;吉野英树;服部真尚 -专利权人：绿净星球股份有限公司
申请日： 2018-06-07 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： F24V30/00 文献下载
摘要：本公开提出了一种能够产生过剩热量的发热装置和发热方法。在该发热装置中，从氢系气体导入路向容器内部导入氢气，使氢吸留于发热体(5)，然后利用加热器对发热体(5)进行加热并抽真空。由此，在发热装置中，氢通过量子扩散而透过第一层(23)与第二层(24)之间的异种物质界面(26)，从而能够产生加热温度以上的过剩热量。因此，发热装置可通过使氢透过多层膜(25)的第一层(23)和第二层(24)来产生过剩热量。
发热装置方法

[发明专利]热利用系统及发热装置-CN201980081164.2在审
发明人： 岩村康弘;伊藤岳彦;笠木治郎太;吉野英树;平野章太郎;伊势雅英;茨城哲治 -专利权人：绿净星球股份有限公司
申请日： 2019-12-11 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： F24V30/00 文献下载
摘要：本发明提供一种利用廉价、清洁且安全的热能源的新颖的热利用系统及发热装置。热利用系统(10)具备：密闭容器(15)，被供给氢系气体；发热结构体(20)，收容在密闭容器(15)，且具有通过氢系气体中所含的氢的吸藏与释放而产生热的发热体；及热利用装置(12)，利用通过发热体的热而加热的热介质作为热源。发热体具有由氢吸藏金属、氢吸藏合金或质子导电体形成的基座、及设置在基座的多层膜。多层膜具有：第1层，由氢吸藏金属或氢吸藏合金形成，且厚度小于1000nm；及第2层，由与第1层不同的氢吸藏金属、氢吸藏合金或陶瓷形成，且厚度小于1000nm。
利用系统发热装置

[发明专利]发热系统-CN201780057187.0有效
发明人： 岩村康弘;伊藤岳彦;笠木治郎太;吉野英树;服部真尚 -专利权人：绿净星球股份有限公司
申请日： 2017-09-25 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： F24V30/00 文献下载
摘要：本发明提供一种发热系统，在利用吸氢金属或吸氢合金产生热的发热体单元中，比现有技术能够更稳定地获得热。在本发明的发热系统(1)中，在循环装置(3)中设置用于去除抑制发热反应的氢系气体中的杂质的过滤器(43)。由此，在发热系统(1)中，在通过发热反应产生过剩热的发热体单元(2)中，在从氢系气体中去除抑制发热反应的杂质的同时使所述氢系气体循环，从而能够增加和/或维持过剩热的输出，因此能够比现有技术更稳定地获得热。
发热系统

[发明专利]发热系统-CN201910757312.X有效
发明人： 岩村康弘;伊藤岳彦;笠木治郎太;吉野英树;服部真尚 -专利权人：绿净星球股份有限公司
申请日： 2016-12-12 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： F24V30/00 文献下载
摘要：本发明涉及的发热系统(1)，在多个发热体单元(16)中进行过剩热输出控制以增加通过发热反应放出过剩热的发热体单元(16)的发热反应部位等，由此即使另有因发热反应不充分而不放出过剩热的发热体单元(16)，也可以通过可靠发生发热反应的其他发热体单元(16)来补充相应量的热的输出回收，因此使用通过储氢金属或储氢合金来放出过剩热的发热体单元(16)能够稳定地获得热。
发热系统

[发明专利]发热系统-CN201680069178.9有效
发明人： 岩村康弘;伊藤岳彦;笠木治郎太;吉野英树;服部真尚 -专利权人：绿净星球股份有限公司
申请日： 2016-12-12 - 公布日： 2019-08-27 - 主分类号： F24V30/00 文献下载
摘要：本发明涉及的发热系统(1)，在多个发热体单元(16)中进行过剩热输出控制以增加通过发热反应放出过剩热的发热体单元(16)的发热反应部位等，由此即使另有因发热反应不充分而不放出过剩热的发热体单元(16)，也可以通过可靠发生发热反应的其他发热体单元(16)来补充相应量的热的输出回收，因此使用通过储氢金属或储氢合金来放出过剩热的发热体单元(16)能够稳定地获得热。
发热体单元发热反应发热系统储氢合金储氢金属输出回收热输出补充

[发明专利]核素转换方法及核素转换装置-CN201380007232.3有效
发明人： 岩村康弘;伊藤岳彦;牟田研二;鹤我薰典 -专利权人：三菱重工业株式会社
申请日： 2013-01-29 - 公布日： 2017-03-08 - 主分类号： G21G7/00 文献下载
摘要：本发明提供一种核素转换装置及核素转换方法，与加速器或反应堆等大规模的装置相比，能够以规模相对较小的装置进行核素转换，使核素转换量增大。本发明的核素转换装置具备结构体(1)、从两侧夹入结构体(1)而配置的氘高浓度部(2)及氘低浓度部(3)，向氘高浓度部(2)供给包含重水的电解液(16)，将电解液(16)电解而产生氘，在结构体(1)的氘高浓度部(2)侧的表面附近形成氘浓度高的状态，同时，使氘低浓度部(3)形成氘浓度低于氘高浓度部(2)的状态，使氘从氘高浓度部(2)向氘低浓度部3透过结构体(1)，在结构体(1)中，使实施核素转换的物质在氘的作用下发生核素转换。
核素转换方法装置

[发明专利]中子减速器和中子照射方法以及危险物质检测装置-CN200780038606.2有效
发明人：糠塚重裕;岩村康弘;加藤道男;西村和哉;泽村英范 -专利权人：三菱重工业株式会社
申请日： 2007-09-21 - 公布日： 2009-09-09 - 主分类号： G21K5/02 文献下载
摘要：一种中子减速器和中子照射方法以及危险物质检测装置，设置能够把检查对象物(A)插入和排出的检查室(21)，且在该检查室(21)的周围设置热中子吸收材料(15)，一方面在检查室(21)内与检查对象物(A)相对而配置中子发生源(11)，另一方面相对中子发生源(11)而在检查对象物(A)的相反侧配置中子减速材料(12)，把中子减速材料(12)周围用伽马射线遮蔽材料(13、14)覆盖，设置检测从检查对象物(A)发生的伽马射线的Ge检测器(24)和BGO检测器(25)，因此，能够减低产生的二次伽马射线而把必要的高速中子和热中子取出，能够与危险物质构成元素无关地高精度检测该危险物质。
中子减速器照射方法以及危险物质检测装置

[发明专利]半导体激光器件-CN200480001367.X无效
发明人：渡边将司;本多正治;岩村康弘;清水源;井上哲郎 -专利权人：三洋电机株式会社;鸟取三洋电机株式会社
申请日： 2004-04-23 - 公布日： 2005-12-07 - 主分类号： H01S5/022 文献下载
摘要：提供了一种半导体激光器件(1)，包括在气密密封的封装(2)之中的半导体激光器元件(3)，所述半导体激光器元件具有由基于AlGaAs的晶体、基于AlGaInP的晶体、基于AlGaN的晶体、或基于InGaN的晶体组成的有源区。封装(2)中的环境气体是含氧的气体。半导体激光器元件(3)在激光发射表面具有介电氧化膜。环境气体是氧和氮的混合物，并且氧的含量被设定在20％或更高。
半导体激光器

1
共 12 条