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[发明专利]间隙填充方法-CN201811331123.8有效
发明人： J·F·卡梅伦;K·张;崔莉;D·格林;山田晋太郎 -专利权人：罗门哈斯电子材料有限责任公司
申请日： 2018-11-09 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明提供一种制造半导体装置的方法，其包括：提供半导体装置衬底，所述衬底的表面上具有浮雕图像，所述浮雕图像具有多个待填充的间隙；将涂层组合物施加至所述浮雕图像以提供涂层，其中所述涂层组合物包含(i)聚亚芳基寡聚物，其包含一种或多种具有两个或更多个环戊二烯酮部分的第一单体，和一种或多种具有芳香族部分和两个或更多个炔基部分的第二单体作为聚合单元；其中所述聚亚芳基寡聚物具有1000至6000Da的Mw、1至2的PDI，以及1:1的总第一单体比总第二单体的摩尔比；和(ii)一种或多种有机溶剂；固化所述涂层以形成聚亚芳基膜；使所述聚亚芳基膜图案化；以及将所述图案转移至所述半导体装置衬底。
间隙填充方法

[发明专利]液晶显示装置-CN202080038734.2有效
发明人：吉田幸生;前田温子;池中伸明;近藤克己;山下俊弘;中川英树;本保堇;竹场光弘;山田晋太郎 -专利权人：堺显示器制品株式会社
申请日： 2020-03-27 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： G02F1/1335 文献下载
摘要：液晶显示装置(10)具备：聚光型的背光源(1)；液晶面板(2)，其具有供来自背光源(1)的光入射的第一线性偏光器(21)和出射该光的第二线偏光器(23)；光散射膜(3)，其与第二线性偏光器(23)相对；以及第三线性偏光器(4)，其与光散射膜(3)相对，光散射膜(3)具备功能层(30)，该功能层(30)包含有机高分子化合物(32)和有机高分子化合物(32)所含有的光散射粒子(31)，第三线性偏光器(4)具有与第二线性偏光器(23)的偏光轴的方向相同的方向的偏光轴。
液晶显示装置

[发明专利]光致抗蚀剂底层组合物-CN202211555124.7在审
发明人： L-S·柯;A·查韦斯;山田晋太郎 -专利权人：罗门哈斯电子材料有限责任公司
申请日： 2022-12-06 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：一种形成图案的方法，该方法包括：在衬底上施加光致抗蚀剂底层组合物以提供光致抗蚀剂底层；在该光致抗蚀剂底层上形成光致抗蚀剂层；将该光致抗蚀剂层图案化；以及将图案从该图案化的光致抗蚀剂层转移到该光致抗蚀剂底层。该光致抗蚀剂底层组合物包括包含如本文所描述的由式1表示的重复单元的聚合物、包含如本文所描述的由式2表示的取代基的化合物、以及溶剂。
光致抗蚀剂底层组合

[发明专利]含硅底层-CN201811294466.1有效
发明人： C·A·卡特勒;崔莉;山田晋太郎;P·J·拉博姆;S·M·科莱;J·F·卡梅伦;D·格林 -专利权人：罗门哈斯电子材料有限责任公司
申请日： 2018-11-01 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： G03F7/11 文献下载
摘要：提供采用可湿法剥离的底层组合物制造电子器件的方法，所述组合物包含以下各项的缩合物和/或水解物：包含作为聚合单元的一种或多种具有可缩合含硅部分的第一不饱和单体的聚合物，其中所述可缩合含硅部分悬垂于所述聚合物主链上；和一种或多种可缩合硅单体。
底层

[发明专利]光致抗蚀剂底层组合物-CN202211113486.0在审
发明人： L-S·柯;A·查韦斯;山田晋太郎 -专利权人：罗门哈斯电子材料有限责任公司
申请日： 2022-09-13 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：公开了一种光致抗蚀剂底层组合物，其包含：包含两个或更多个羟基的第一材料；包含两个或更多个缩水甘油基的第二材料；添加剂，其中所述添加剂包含具有式(5)的化合物、具有式(6)的化合物、或其组合；以及溶剂，其中式(5)和(6)的结构如本文所公开。
光致抗蚀剂底层组合

[发明专利]外涂覆的光致抗蚀剂的经涂覆的底层-CN202210739913.X在审
发明人： A·查韦斯;柯佑晟;山田晋太郎 -专利权人：罗门哈斯电子材料有限责任公司
申请日： 2022-06-27 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： C09D133/14 文献下载
摘要：一种形成图案的方法，该方法包括在衬底上施加涂料组合物层；将施加的涂料组合物固化以形成经涂覆的底层；以及在经涂覆的底层上形成光致抗蚀剂层；其中该涂料组合物包含包含两个或更多个羟基的第一材料；包含两个或更多个缩水甘油基的第二材料；包含受保护的氨基的添加剂；以及溶剂。
外涂覆光致抗蚀剂经涂覆底层

[发明专利]促进粘附的光致抗蚀剂底层组合物-CN202111515012.4在审
发明人： J·凯茨;杨可;张可人;崔莉;J·F·卡梅伦;D·B·米尔沃德;山田晋太郎 -专利权人：罗门哈斯电子材料有限责任公司
申请日： 2021-12-13 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： C09D171/00 文献下载
摘要：公开了一种光致抗蚀剂底层组合物，其包含：聚(亚芳基醚)；具有式(14)的添加剂：D‑(L1‑Ar‑[X]n)m(14)；以及溶剂，其中，在式(14)中，D是取代或未取代的C1‑60有机基团，任选地其中D是所述取代或未取代的C1‑60有机基团的有机酸盐；每个L1独立地是单键或二价连接基团，当L1是单键时，D可以是任选地与Ar稠合的取代或未取代的C3‑30环烷基或取代或未取代的C1‑20杂环烷基，每个Ar独立地是单环或多环的C5‑60芳香族基团，每个X独立地是‑OR30、‑SR31、或‑NR32R33，m是1至6的整数，每个n独立地是0至5的整数，前提是所有n的总和是2或更大，并且R30至R33是如本文所提供的。
促进粘附光致抗蚀剂底层组合

[发明专利]光致抗蚀剂底层组合物及图案化方法-CN202111453047.X在审
发明人： J·凯茨;M·芬奇;P·J·拉博姆;山田晋太郎;S·M·科莱 -专利权人：罗门哈斯电子材料有限责任公司
申请日： 2021-12-01 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： G03F7/09 文献下载
摘要：一种在衬底上形成图案的方法，该方法包括：在该衬底的表面上形成光致抗蚀剂底层，该光致抗蚀剂底层由包含具有小于110℃的玻璃化转变温度的聚合物和溶剂的组合物形成；对该光致抗蚀剂底层进行金属前体处理，其中该金属前体浸渗该光致抗蚀剂底层的自由体积；以及将金属前体处理的光致抗蚀剂底层暴露于氧化剂以提供金属化光致抗蚀剂底层。
光致抗蚀剂底层组合图案方法

[发明专利]光致抗蚀剂底层组合物及图案化方法-CN202111444330.6在审
发明人： J·凯茨;M·芬奇;P·J·拉博姆;山田晋太郎;S·M·科莱 -专利权人：罗门哈斯电子材料有限责任公司
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： G03F7/09 文献下载
摘要：一种在衬底上形成图案的方法，所述方法包括：在所述衬底的表面上形成光致抗蚀剂底层，其中所述光致抗蚀剂底层由包含聚合物和溶剂的组合物形成，并且所述光致抗蚀剂底层具有大于47at％的碳含量；用金属前体处理所述光致抗蚀剂底层，其中所述金属前体渗入所述光致抗蚀剂底层的自由体积；以及将所述经金属前体处理的光致抗蚀剂底层暴露于氧化剂以提供金属化的光致抗蚀剂底层。
光致抗蚀剂底层组合图案方法

[发明专利]用于光致抗蚀剂底层的涂料组合物-CN202110934022.5在审
发明人： J·凯茨;刘盛;崔莉;山田晋太郎;S·M·科莱;L-S·科 -专利权人：罗门哈斯电子材料有限责任公司
申请日： 2021-08-13 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： C09D165/00 文献下载
摘要：一种光致抗蚀剂底层组合物，其包含聚合物，所述聚合物包含具有式(1)的重复单元：其中Ar是单环或多环C5‑60芳香族基团，其中所述芳香族基团包含一个或多个芳香族环杂原子、包含杂原子的取代基、或其组合；R1是氢、取代或未取代的C1‑30烷基、取代或未取代的C1‑30杂烷基、取代或未取代的C3‑30环烷基、取代或未取代的C2‑30杂环烷基、取代或未取代的C2‑30烯基、取代或未取代的C2‑30炔基、取代或未取代的C6‑30芳基、取代或未取代的C7‑30芳基烷基、取代或未取代的C7‑30烷基芳基、取代或未取代的C3‑30杂芳基、或取代或未取代的C4‑30杂芳基烷基；并且R2是取代或未取代的C1‑30烷基、取代或未取代的C1‑30杂烷基、取代或未取代的C3‑30环烷基、取代或未取代的C2‑30杂环烷基、取代或未取代的C2‑30烯基、取代或未取代的C2‑30炔基、取代或未取代的C6‑30芳基、取代或未取代的C7‑30芳基烷基、取代或未取代的C7‑30烷基芳基、取代或未取代的C3‑30杂芳基、或取代或未取代的C4‑30杂芳基烷基，其中R1和R2可以任选地一起形成环。
用于光致抗蚀剂底层涂料组合

[发明专利]底层组合物及图案化方法-CN202110946464.1在审
发明人： J·凯茨;刘盛;崔莉;山田晋太郎;J·F·卡梅伦;E·阿卡德;L-S·科;S·M·科莱 -专利权人：罗门哈斯电子材料有限责任公司
申请日： 2021-08-18 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： C08G8/04 文献下载
摘要：公开了一种底层组合物，其包含聚合物，所述聚合物包含具有式(1)的重复单元，其中Ar是单环或多环的C5‑60芳香族基团，其中所述芳香族基团包含一个或多个芳香族环杂原子、包含杂原子的取代基、或其组合；X是C或O；R1、R2、Ra和Rb是如本文所提供的；任选地，R1和R2可以一起形成5元至7元环；任选地，R11至R13中的一个可以与R1一起形成5元至7元环；其中Ra和Rb任选地可以一起形成5元至7元环；其中Ra或Rb中的一个任选地可以与R2一起形成5元至7元环；并且当X是O时，Ra和Rb是不存在的。
底层组合图案方法

[发明专利]光散射膜和液晶显示装置-CN202080039320.1在审
发明人： 山田晋太郎;吉田幸生;前田温子;本保堇;中川英树;竹场光弘;山下俊弘;近藤克己 -专利权人：堺显示器制品株式会社
申请日： 2020-03-27 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： G02B5/02 文献下载
摘要：提供一种光散射膜(3)及具备光散射膜(3)的液晶显示装置(10)，该光散射膜(3)将在受光面(3a)接收到的光在内部转换为散射光，接着将该散射光从出光面(3b)释放到外部。光散射膜(3)具备包含有机高分子化合物(32)和光散射粒子(31)的透光性组合物作为功能层(30)。功能层具有接收光的第一面(受光面)和出射散射光的第二面(出光面)，光散射粒子的平均粒子尺寸为1.5μm以上，在功能层(30)中，光散射粒子(31)的60容积％以上形成沿着第一面扩展且沿着与第一面垂直的方向浓缩的粒子层。
散射液晶显示装置

[发明专利]涂层组合物及形成电子装置的方法-CN202110438835.5在审
发明人：刘盛;J·F·卡梅伦;山田晋太郎;I-S·科;张可人;S·M·科莱;崔莉;P·J·拉博姆;王德岩 -专利权人：罗门哈斯电子材料有限责任公司
申请日： 2021-04-22 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： G03F7/025 文献下载
摘要：涂层组合物包含：可固化化合物，所述可固化化合物包含：核；以及三个或更多个具有式(1)的取代基；聚合物；以及一种或多种溶剂，其中总溶剂含量是基于所述涂层组合物的50至99wt％。还提供了用所述涂层组合物形成的经涂覆的基底以及使用所述组合物形成电子装置的方法。所述组合物、经涂覆的基底及方法特别适用于制造半导体装置。
涂层组合形成电子装置方法

[发明专利]涂覆组合物和形成电子装置的方法-CN202110462902.7在审
发明人：刘盛;J·F·卡梅伦;柯佑昇;山田晋太郎;崔莉 -专利权人：罗门哈斯电子材料有限责任公司
申请日： 2021-04-22 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：一种涂覆组合物和形成电子装置的方法。涂覆组合物包含：一种或多种化合物的B阶段反应产物，所述化合物包含选自C6‑50碳环芳香族、C2‑50杂环芳香族、C1‑20脂肪族、C1‑20杂脂肪族、C3‑20脂环族和C2‑20杂脂环族的核；附接到核的两个或更多个式(1)取代基，其中Ar1是独立选自C6‑50碳环芳香族和C2‑50杂芳香族的芳香族基团；Z独立选自OR1、受保护羟基、羧基、受保护羧基、SR1、受保护巯基、‑O‑C(＝O)‑C1‑6烷基、卤素和NHR2；每个R1独立选自H、C1‑10烷基、C2‑10不饱和烃基和C5‑30芳基；每个R2独立选自H、C1‑10烷基、C2‑10不饱和烃基、C5‑30芳基、C(＝O)‑R1和S(＝O)2‑R1；x是1至Ar1中可用芳香族环原子总数的整数；*指示与核的附接点；以及一种或多种溶剂。所述方法包括提供电子装置基底，涂覆所述涂覆组合物，固化。
组合形成电子装置方法

[发明专利]硅基硬掩模-CN201810573028.2有效
发明人： S·M·科莱;P·J·拉博姆;山田晋太郎;C·W·卡里尔;崔莉;B·波普尔 -专利权人：罗门哈斯电子材料有限责任公司
申请日： 2018-06-06 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： C08G77/20 文献下载
摘要：硅基硬掩模。提供了用于形成较薄的含硅抗反射涂层的组合物和使用这些组合物制造电子装置的方法。由这些组合物形成的含硅抗反射涂层可以在加工期间容易地去除，而不需要单独的去除步骤。
硅基硬掩模

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