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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]发光元件以及显示装置-CN202080097850.1有效
发明人：北野圭辅;山本真树 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2020-03-26 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： G09F9/30 文献下载
摘要：发光元件包括:反射电极；透明电极；发光层，设于所述反射电极和所述透明电极之间，且包含量子点；以及选择性反射层，其相对于所述透明电极设置在所述发光层的相反侧，并具有反射率比其他波段高的反射波段，所述选择性反射层的反射波段的长波长端的波长(λt2)是:在所述量子点的电场发光的发光光谱的半峰值处比所述量子点的电场发光的发光光谱的峰值波长(λ0)靠短波长侧的波长(λ1)长，且是在比所述量子点的电场发光的发光光谱的半峰值处比所述量子点的电场发光的发光光谱的峰值波长(λ0)靠长波长侧的波长(λ2)短。
发光元件以及显示装置

[发明专利]量子点、电致发光元件及其制造方法、发光装置、显示装置及其控制方法-CN202180092241.1在审
发明人： 山本真树;后藤一辉;山田博久;上田雅也;小椋佑子;田中雅典;高崎幹大;高三潴由香;荷方惣一朗;伊藤哲二;渡边真由子 -专利权人：夏普株式会社;NS材料株式会社
申请日： 2021-01-28 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H05B33/14 文献下载
摘要：量子点(25)包括含有Zn和Se的核(25a)、和在核(25a)的表面与核(25a)邻接设置的由ZnS构成的壳(25b)，是发出蓝色光的无Cd的量子点，其粒径在3nm以上且20nm以下的范围内，且薄膜状态下的荧光寿命为50ns以下。
量子电致发光元件及其制造方法发光装置显示装置控制

[发明专利]发光元件以及发光器件-CN202080102811.6在审
发明人：北野圭辅;山本真树 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2020-08-04 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H05B33/14 文献下载
摘要：一种发光元件包括：第一发光层，其具有第一量子点，并发出包含第一峰值波长的第一光；第二发光层，其具有第二量子点，并发出包含第二峰值波长的第二光，第二峰值波长成为大于第一峰值波长的波长；基板，其在面上供第一发光层和第二发光层在第一方向上相邻配置；以及第一堤，其在基板上，以分隔第一发光层与第二发光层的方式设置，第一堤使第一光透射。
发光元件以及器件

[发明专利]发光装置-CN201980100677.3在审
发明人：榊原裕介;山本真树;上田吉裕 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2019-09-27 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： H05B33/14 文献下载
摘要：发光装置具备:第一子像素，设置有第一发光元件；以及第二子像素，设置有第二发光元件，与所述第一子像素一起构成多个像素中的一个像素，所述第一发光元件具有第一阴极、第一阳极以及第一发光层，所述第一发光层包含第一量子点且设于所述第一阴极和所述第一阳极之间，所述第二发光元件具有第二阴极、第二阳极以及第二发光层，所述第二发光层包含第二量子点且设置于所述第二阴极和所述第二阳极之间，所述第二量子点发出比所述第一量子点的发光波长长的光，所述第一发光层的厚度比所述第二发光层的厚度厚。
发光装置

[发明专利]发光元件及使用了该发光元件的显示装置-CN201980093140.9在审
发明人：吉川弘文;两轮达也;山本真树;土江贵洋 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2019-03-11 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H05B33/14 文献下载
摘要：发光元件(Xr)包括：供给空穴的阳极(22)、供给电子的阴极(25)、配置于所述阳极(22)与所述阴极(25)之间的发光层(24)，所述发光层(24)包含：多个量子点荧光体(41)以及p型掺杂剂(51)，多个量子点荧光体(41)伴随供给自所述阳极(22)的空穴与供给自所述阴极(25)的电子的结合进行发光。
发光元件使用显示装置

[发明专利]再生装置-CN202010556982.8有效
发明人：田岛秀春;山本真树;山田博久;中峻之;小西正人 -专利权人：夏普株式会社;忆术控股股份有限公司
申请日： 2014-04-08 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： G11B7/005 文献下载
摘要：再生装置(100)具备：向作为超分辨率介质的光盘(1)照射再生光的光拾取器(6)；将反射光变换为再生信号的RF信号处理电路(9)；对再生信号的质量进行评价的i‑MLSE检测部(141)；和利用再生信号的质量评价结果来校正球面像差的球面像差校正部(142)。
再生装置

[发明专利]再生装置-CN202010556955.0有效
发明人：田岛秀春;山本真树;山田博久;中峻之;小西正人 -专利权人：夏普株式会社;忆术控股股份有限公司
申请日： 2014-04-08 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： G11B7/005 文献下载
摘要：再生装置(100)具备：向作为超分辨率介质的光盘(1)照射再生光的光拾取器(6)；将反射光变换为再生信号的RF信号处理电路(9)；对再生信号的质量进行评价的i‑MLSE检测部(141)；和利用再生信号的质量评价结果来校正球面像差的球面像差校正部(142)。
再生装置

[发明专利]信息记录介质以及再现装置-CN201811084289.4有效
发明人：山田博久;中峻之;山本真树;足立佳久;田岛秀春;小西正人 -专利权人：夏普株式会社;忆术控股股份有限公司
申请日： 2014-04-08 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： G11B7/007 文献下载
摘要：光盘(100)具备：介质信息区域(101)，其按照规定的调制方式来形成比再现装置所具有的光学系统分辨极限的长度长的长度的凹以及/或者凸，从而记录种类识别信息，并通过第1地址数据格式来记录地址信息；和数据区域(102)，其按照规定的调制方式来形成包含比光学系统分辨极限的长度短的长度的凹以及/或者凸，从而记录内容数据，并通过第2地址数据格式来记录地址信息。
信息记录介质以及再现装置

[发明专利]信息记录介质以及再现装置-CN201811084441.9有效
发明人：山田博久;中峻之;山本真树;足立佳久;田岛秀春;小西正人 -专利权人：夏普株式会社;忆术控股股份有限公司
申请日： 2014-04-08 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： G11B7/007 文献下载
摘要：光盘(100)具备：介质信息区域(101)，其按照规定的调制方式来形成比再现装置所具有的光学系统分辨极限的长度长的长度的凹以及/或者凸，从而记录种类识别信息，并通过第1地址数据格式来记录地址信息；和数据区域(102)，其按照规定的调制方式来形成包含比光学系统分辨极限的长度短的长度的凹以及/或者凸，从而记录内容数据，并通过第2地址数据格式来记录地址信息。
信息记录介质以及再现装置

[发明专利]信息记录介质以及再现装置-CN201811084326.1有效
发明人：山田博久;中峻之;山本真树;足立佳久;田岛秀春;小西正人 -专利权人：夏普株式会社;忆术控股股份有限公司
申请日： 2014-04-08 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： G11B20/12 文献下载
摘要：光盘(100)具备：介质信息区域(101)，其按照规定的调制方式来形成比再现装置所具有的光学系统分辨极限的长度长的长度的凹以及/或者凸，从而记录种类识别信息，并通过第1地址数据格式来记录地址信息；和数据区域(102)，其按照规定的调制方式来形成包含比光学系统分辨极限的长度短的长度的凹以及/或者凸，从而记录内容数据，并通过第2地址数据格式来记录地址信息。
信息记录介质以及再现装置

[发明专利]信息记录介质以及再现装置-CN201811084288.X有效
发明人：山田博久;中峻之;山本真树;足立佳久;田岛秀春;小西正人 -专利权人：夏普株式会社;忆术控股股份有限公司
申请日： 2014-04-08 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： G11B20/12 文献下载
摘要：光盘(100)具备：介质信息区域(101)，其按照规定的调制方式来形成比再现装置所具有的光学系统分辨极限的长度长的长度的凹以及/或者凸，从而记录种类识别信息，并通过第1地址数据格式来记录地址信息；和数据区域(102)，其按照规定的调制方式来形成包含比光学系统分辨极限的长度短的长度的凹以及/或者凸，从而记录内容数据，并通过第2地址数据格式来记录地址信息。
信息记录介质以及再现装置

[发明专利]光信息记录介质以及再生方法-CN201810164419.9有效
发明人：中峻之;山田博久;山本真树;田岛秀春;小西正人 -专利权人：夏普株式会社;忆术控股股份有限公司
申请日： 2014-04-08 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： G11B7/007 文献下载
摘要：本发明为光信息记录介质以及再生方法。在将根据从第1坑点串的最长坑点(P1max)或最长间隙(S1max)获得的反射光量而算出的反射率设为第1反射率、将根据从第2坑点串的最长坑点(P2max)或最长间隙(S2max)获得的反射光量而算出的反射率设为第2反射率的情况下，第1坑点串被形成为第1反射率与第2反射率大致相同。
信息记录介质以及再生方法

[发明专利]信息记录介质以及再现装置-CN201811084327.6有效
发明人：山田博久;中峻之;山本真树;足立佳久;田岛秀春;小西正人 -专利权人：夏普株式会社;忆术控股股份有限公司
申请日： 2014-04-08 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： G11B7/007 文献下载
摘要：光盘(100)具备：介质信息区域(101)，其按照规定的调制方式来形成比再现装置所具有的光学系统分辨极限的长度长的长度的凹以及/或者凸，从而记录种类识别信息，并通过第1地址数据格式来记录地址信息；和数据区域(102)，其按照规定的调制方式来形成包含比光学系统分辨极限的长度短的长度的凹以及/或者凸，从而记录内容数据，并通过第2地址数据格式来记录地址信息。
信息记录介质以及再现装置

[发明专利]再生装置-CN201480039922.1有效
发明人：田岛秀春;山本真树;山田博久;中峻之;小西正人 -专利权人：夏普株式会社;忆术控股股份有限公司
申请日： 2014-04-08 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： G11B7/126 文献下载
摘要：再生装置(100)具备：向作为超分辨率介质的光盘(1)照射再生光的光拾取器(6)；将反射光变换为再生信号的RF信号处理电路(9)；对再生信号的质量进行评价的i‑MLSE检测部(141)；和利用再生信号的质量评价结果来校正球面像差的球面像差校正部(142)。
再生装置

[发明专利]光信息记录介质以及再生方法-CN201810164318.1有效
发明人：中峻之;山田博久;山本真树;田岛秀春;小西正人 -专利权人：夏普株式会社;忆术控股股份有限公司
申请日： 2014-04-08 - 公布日： 2020-06-02 - 主分类号： G11B7/007 文献下载
摘要：一种光信息记录介质以及再生方法。在将根据从第1坑点串的最长坑点(P1max)或最长间隙(S1max)获得的反射光量而算出的反射率设为第1反射率、将根据从第2坑点串的最长坑点(P2max)或最长间隙(S2max)获得的反射光量而算出的反射率设为第2反射率的情况下，第1坑点串被形成为第1反射率与第2反射率大致相同。
信息记录介质以及再生方法

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