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[发明专利]成像元件和测距模块-CN202180010576.4在审
发明人：荒井英树;大竹悠介;村濑拓郎;山崎武 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2021-01-18 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H04N5/374 文献下载
摘要：本技术涉及能够减少寄生电容的成像元件和测距模块。本发明的测距模块包括：第一布线，将第一相邻像素中的预定晶体管彼此连接以及连接形成在第一相邻像素的一个像素中的通孔并且连接至形成在另一层中的布线；以及第二布线，将第二相邻像素中的预定晶体管彼此连接以及连接形成在与第二相邻像素中的一个像素相邻的像素中并且连接到形成在另一层中的布线的通孔，其中第一布线连接到冗长布线。例如，本技术可应用于执行距离测量的测距传感器。
成像元件测距模块

[发明专利]摄像元件、摄像装置和测距装置-CN202180008149.2在审
发明人：荒井英树;大竹悠介;村瀬拓郎;山崎武;诹访泰介 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2021-01-25 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： H04N5/3745 文献下载
摘要：本技术涉及能够以降低的噪声拍摄图像的摄像元件、摄像装置和测距装置。本发明包括：光电转换单元，其用于执行光电转换；电荷存储单元，其用于存储由所述光电转换单元获得的电荷；传输单元，其用于将电荷从所述光电转换单元传输到所述电荷存储单元；复位单元，其用于复位所述电荷存储单元；复位电压控制单元，其用于控制要施加到所述复位单元的电压；和附加控制单元，其用于控制所述电荷存储单元的容量添加，其中，所述电荷存储单元由多个区域构成。本技术能够应用于例如拍摄图像的摄像装置或进行测距的测距装置。
摄像元件装置测距

[发明专利]光接收装置和测距模块-CN202080012330.6在审
发明人：渡边竜太;山崎武;韩相万 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2020-03-16 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本技术涉及能够提高灵敏度的光接收装置和测距模块。光接收装置包括像素阵列单元，在所述像素阵列单元中，像素以矩阵状二维布置，所述像素分别具有第一分光器和第二分光器，所述第一分光器检测由光电转换单元进行光电转换的电荷，所述第二分光器检测由所述光电转换单元进行光电转换的电荷。所述第一分光器和所述第二分光器分别具有施加电压的电压施加单元，所述像素阵列单元具有通过从基板的光入射面侧挖到预定深度而形成的槽部，并且所述槽部被布置成在平面图中与所述电压施加单元的至少一部分重叠。本技术能够应用于例如间接ToF方案的测距传感器等。
接收装置测距模块

[发明专利]光接收元件、固态成像装置和测距装置-CN202080007364.6在审
发明人： 山崎武 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2020-01-08 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： H01L31/10 文献下载
摘要：本发明的目的是提高测距精度。根据本发明的实施方案的光接收元件包括：半导体基板(40)；和格子状像素分离部(46)，其将所述半导体基板分成以矩阵形式排列的多个像素区域。各个所述像素区域包括：第一半导体区域(30A)，其设置在所述半导体基板中的第一表面侧；第二半导体区域(30B)，其设置在所述半导体基板中的所述第一表面侧以与所述第一半导体区域分开；和第一阻挡区域(501)，其在所述半导体基板中的所述第一表面侧设置在所述第一半导体区域和所述第二半导体区域之间，并且具有与所述半导体基板不同的介电常数。
接收元件固态成像装置测距

[发明专利]光接收元件和电子设备-CN201980073989.X在审
发明人：矶谷优治;渡辺竜太;山崎武 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2019-11-12 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本技术涉及可以减小泄漏电流以减少电流消耗的光接收元件和电子设备。光接收元件包括具有以矩阵形式二维地布置的像素的像素阵列部。每个像素包括两个抽头：第一抽头，其检测通过光电转换部的光电转换获得的电荷；及第二抽头，其检测由光电转换部的光电转换获得的电荷。除了两个抽头和像素晶体管区域之外，每个像素中的平坦区域包括作为抽头的外围部分的抽头外围区域和靠近像素晶体管区域的像素晶体管邻近区域。在抽头外围区域中，在基板的与光入射表面相对的表面上形成有嵌入氧化膜，且在嵌入氧化膜的光入射表面侧上形成有具有与基板相同的导电类型并且具有高于基板浓度的杂质浓度的第一半导体区域。在像素晶体管邻近区域中形成有具有与基板相同的导电类型并且具有高于基板浓度的杂质浓度的第二半导体区域。例如，本技术适用于执行测距的光接收元件。
接收元件电子设备

[实用新型]受光元件和测距模块-CN201921012547.8有效
发明人：井本努;矶谷优治;丸山卓哉;村瀬拓郎;渡辺竜太;山崎武 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2019-07-01 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：受光元件包括片上透镜、配线层和布置在片上透镜和配线层之间的半导体层。半导体层包括被施加第一电压的第一电压施加单元、被施加不同于第一电压的第二电压的第二电压施加单元、布置在第一电压施加单元的周边处的第一电荷检测、布置在第二电压施加单元的周边处的第二电荷检测单元以及设置在有效像素区域外侧的电荷排出区域。例如，本技术可应用于在ToF方法中生成距离信息的受光元件等。
元件测距模块

[发明专利]受光元件和测距模块-CN201910584603.3在审
发明人：井本努;矶谷优治;丸山卓哉;村瀬拓郎;渡辺竜太;山崎武 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2019-07-01 - 公布日： 2020-01-31 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：受光元件包括片上透镜、配线层和布置在片上透镜和配线层之间的半导体层。半导体层包括被施加第一电压的第一电压施加单元、被施加不同于第一电压的第二电压的第二电压施加单元、布置在第一电压施加单元的周边处的第一电荷检测、布置在第二电压施加单元的周边处的第二电荷检测单元以及设置在有效像素区域外侧的电荷排出区域。例如，本技术可应用于在ToF方法中生成距离信息的受光元件等。
电压施加单元半导体层片上透镜受光元件配线层周边处施加电荷检测单元有效像素区域电荷检测距离信息排出区域电荷应用

[发明专利]高速缓存的数据替换系统和确定方法-CN200410073831.8无效
发明人： M·N·戴;H·P·霍夫斯蒂;C·R·约翰斯;J·A·卡尔;D·希比;T·Q·特吕翁;山崎武 -专利权人：国际商业机器公司;索尼电脑娱乐公司
申请日： 2004-09-02 - 公布日： 2005-08-31 - 主分类号： G06F12/12 文献下载
摘要：本发明提供了根据替换管理表和最近最少使用功能有选择地覆盖写高速缓存的组的技术。根据地址未命中产生类标识符。用替换管理表来读取类标识符，以产生标签替换控制标记。包括多个组的高速缓存用来根据标签替换控制标记禁止对所述多组中的至少一个组执行数据替换。
高速缓存数据替换系统确定方法

[外观设计]编织细绳-CN90301828.4无效
发明人： 山崎武 -专利权人：大连桑扶兰丝绸服装有限公司
申请日： 1990-06-20 - 公布日： 1991-02-20 - 主分类号： 05-04-B0435 文献下载
摘要：因该外观设计为“编织细绳”，故它的后视、俯视、和仰视照片均与主视图相对称，故省略后视图、俯视图和仰视图的照片，左、右视图均为细绳两端的无限长，即省略左视图和右视图。
编织细绳

[外观设计]编织细绳-CN90301829.2无效
发明人： 山崎武 -专利权人：大连桑扶兰丝绸服装有限公司
申请日： 1990-06-20 - 公布日： 1991-02-13 - 主分类号： 05-04-B0435 文献下载
摘要：省略其它视图。
编织细绳

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