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[发明专利]紫外线照射装置-CN201180027275.9有效
发明人：川上养一;船户充;大音隆男;R·G·伯纳尔;山口真典;片冈研;羽田博成 -专利权人：国立大学法人京都大学;优志旺电机株式会社
申请日： 2011-05-30 - 公布日： 2013-04-17 - 主分类号： H01J63/06 文献下载
摘要：提供一种能够以小型、高效率发射紫外线的紫外线照射装置。该紫外线照射装置具备在以负压状态密封内部的、具有紫外线透过窗的容器内，具备半导体多层膜元件以及向该半导体多层膜照射电子束的电子束辐射源。另外，半导体多层膜元件具备由InxAlyGal-x-yN（0≤x＜1，0＜y≤1，x+y≤1）组成的单一量子阱结构或者多量子阱结构的活性层，通过来自上述电子束辐射源的电子束照射在上述半导体多层膜元件上的活性层上，紫外线从该半导体多层膜元件经由上述紫外线透过窗向外部辐射。另外，在假设电子束的加速电压为V（kV），上述活性层的厚度为t（nm）时，满足下式（1）。式（1）：4.18×V1.50≤t≤10.6×V1.54。
紫外线照射装置

[发明专利]电子束激励式光源装置-CN201210258405.6无效
发明人：前岨刚;山口真典;片冈研 -专利权人：优志旺电机株式会社
申请日： 2012-07-24 - 公布日： 2013-02-06 - 主分类号： H01S5/028 文献下载
摘要：提供一种电子束激励式光源装置，能够将来自电子束源装置的电子束效率良好地照射到半导体发光元件的一面上，并能够获取高光输出。该电子束激励式光源装置为，在真空容器的内部配置电子束源装置和半导体发光元件，该半导体发光元件被从该电子束源装置放射的电子束激励，从而放射紫外光，且构成为，在上述半导体发光元件上，设置有用于去除来自上述电子束源装置的电子束所入射的一面上的电荷的导电性的除电部件。
电子束激励光源装置

[发明专利]光处理装置及光处理方法-CN201110029588.X有效
发明人：中岛明信;杉冈晋次;山口真典;藤次英树 -专利权人：优志旺电机株式会社
申请日： 2011-01-24 - 公布日： 2011-10-19 - 主分类号： B08B7/00 文献下载
摘要：提供一种光处理装置及光处理方法，能够抑制被处理物的温度上升的同时进行紫外线照射处理。本发明的光处理装置，具备具有紫外线透过窗的框体以及配置于该框体内的准分子灯，其特征为：在上述紫外线透过窗的周围，具有与冷却用气体供给机构或冷却用气体吸气机构连接的气体流通口。并且，上述准分子灯具有：整体为扁平板状的放电容器；配置于该放电容器的一面的高电压侧电极；以及配置于该放电容器的另一面的接地侧电极，并且优选以上述放电容器的配置有上述高电压侧电极的一面与上述紫外线透过窗相对的方式配置。
处理装置方法

[发明专利]硅薄膜的处理方法及闪光灯照射装置-CN201010537862.X无效
发明人： 山口真典;横森岳彦 -专利权人：优志旺电机株式会社
申请日： 2010-11-04 - 公布日： 2011-06-22 - 主分类号： C23C16/24 文献下载
摘要：提供一种即使在基板与非晶硅薄膜之间局部地配置有金属层，也可得晶粒尺寸均匀且没有裂缝的多晶硅薄膜的硅薄膜的处理方法及用于该方法的闪光灯照射装置。该硅薄膜的处理方法，是将来自点亮时的脉宽为50～200μsec的闪光灯的光，照射于隔着局部地配置的金属层而形成于基板上的厚度为30～100nm的非晶硅的薄膜，从而形成多晶硅薄膜的硅薄膜的处理方法，其特征为：具有经由使长波长侧的光截止的截波滤波器而将来自闪光灯的光照射于非晶硅薄膜的工序，被截波滤波器截止的光的波长区域的短波长侧一端的波长为650nm以下，照射于非晶硅薄膜的光的照射能量为2.00～3.10J/cm2。
薄膜处理方法闪光灯照射装置