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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体装置和半导体装置的制造方法-CN202280018147.6在审
发明人：洼内源宜;吉村尚;泽雄生;山口省吾 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2022-09-15 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置，具备：第一导电型的漂移区，其设置在半导体基板；第一导电型的缓冲区，其设置在比漂移区更靠半导体基板的背面侧的位置，且具有掺杂浓度的第一峰；以及第一晶格缺陷区，其在半导体基板的深度方向上设置在比第一峰更靠半导体基板的正面侧的位置，且具有复合中心，缓冲区具有氢化学浓度分布为峰的氢峰，其设置在比第一晶格缺陷区靠半导体基板的正面侧的位置，在半导体基板的深度方向上，沿从漂移区的上端起到氢峰为止的方向对掺杂浓度进行积分而得的积分浓度为临界积分浓度以上。
半导体装置制造方法

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