“山下胜重”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网_中国专利网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果5个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]半导体装置-CN201480040051.5有效
发明人： 山下胜重;西村兼一;山本敦也;青木成刚 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2014-07-02 - 公布日： 2019-02-19 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：半导体装置具有：硅基板，具有包含第一导电型杂质的高浓度层；低浓度成，形成在高浓度层之上，包含第一导电型杂质；第一电极以及第二电极，形成在低浓度层之上；纵型半导体元件，在第二电极与高浓度层之间流过电流；以及第一沟槽部，使第一电极与高浓度层之间电导通。第一沟槽部具有包含第一导电型的杂质的第一多晶硅、和在平面视图中包围第一多晶硅的含有第一导电型杂质的扩散层。第一多晶硅形成为将低浓度层贯通并到达高浓度层，第一多晶硅和扩散层的第一导电型杂质浓度在从低浓度层至高浓度层的方向上是一定的。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201480038882.9有效
发明人： 山下胜重;青木成刚 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2014-07-02 - 公布日： 2018-11-16 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：半导体装置具有形成于主体区域内部并与主体区域电连接的第二导电型的背栅电极，进行从漏极区域向源极区域和从源极区域向漏极区域的双向的电流控制，背栅电极的薄膜电阻值小于主体区域的薄膜电阻值，源极区域和漏极区域以即使对源极区域和漏极区域之间施加最大动作电压时在源极区域和背栅电极之间也不产生击穿现象的间隔配置。
半导体装置

[发明专利]耐高压的绝缘体上的硅型半导体器件-CN200410097819.0无效
发明人：上本康裕;山下胜重;三浦孝 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2000-08-30 - 公布日： 2005-07-13 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种SOI型半导体器件，夹置绝缘层地层积半导体衬底和作为有源层的第一半导体层，同时在第一半导体层的表面上，形成第二半导体层和有与该第二半导体层不同导电型的第三半导体层，在所述第一半导体层和所述绝缘层的界面上形成有与第一半导体层不同导电型的第四半导体层。该第四半导体层被这样设定，平均单位面积的杂质量大于3×10¹²/cm²，以便即使在第二和第三半导体层之间施加反向偏置电压，也不会完全耗尽。
高压绝缘体半导体器件

[发明专利]SOI型半导体装置及其制造方法-CN03102938.8有效
发明人： 山下胜重;西村久治;山崎浩務;井上真幸;佐藤嘉展 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2003-01-24 - 公布日： 2003-08-06 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：提供一种小型SOI型半导体装置。它是一种至少包括在绝缘膜(2)上形成的包含半导体层(3)的SOI基板(50)，和在半导体层3上形成的能动型半导体元件(60)的SOI型半导体装置(1000)。在SOI型半导体装置上的能动型半导体元件(60)，形成在由为斑点状分离半导体层(3)的分离区域(4)所包围的元件形成区域(70)内，在形成了能动型半导体元件(60)的元件形成区域(70)以外的半导体层(3)的一部分(80)上，形成了含有高浓度不纯物的吸收层(9)，并且，在形成了能动型半导体元件(60)的元件形成区域(70)内不形成吸收层(9)。
soi 半导体装置及其制造方法

[发明专利]耐高压的绝缘体上的硅型半导体器件-CN00131700.8无效
发明人：上本康裕;山下胜重;三浦孝 -专利权人：松下电子工业株式会社
申请日： 2000-08-30 - 公布日： 2001-03-21 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：一种SOI型半导体器件,夹置绝缘层地层积半导体衬底和作为有源层的第一半导体层,同时在第一半导体层的表面上,形成第二半导体层和有与该第二半导体层不同导电型的第三半导体层,在所述第一半导体层和所述绝缘层的界面上形成有与第一半导体层不同导电型的第四半导体层。该第四半导体层被这样设定,平均单位面积的杂质量大于3×1012/cm2,以便即使在第二和第三半导体层之间施加反向偏置电压,也不会完全耗尽。
高压绝缘体半导体器件

1
共 5 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top