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[发明专利]锗单晶的生长方法-CN201711429251.1在审
发明人：狄聚青;朱刘;尹士平;胡智向;刘运连 -专利权人：广东先导先进材料股份有限公司
申请日： 2017-12-26 - 公布日： 2018-07-13 - 主分类号： C30B29/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种锗单晶的生长方法，该生长方法将原料熔化为熔体，然后抽真空，在真空氛围下利用籽晶在一定的温场梯度下经过引晶过程、放肩过程、等径生长过程、收尾过程、降温过程形成锗单晶；引晶过程中，控制晶体拉速为5‑10mm/h；控制晶体生长速度为10‑30g/h，晶体直径为20‑30mm；放肩过程中，维持拉速在0.1‑0.3mm/h，控制晶体生长速度由10‑30g/h逐步增加到500g/h；等径生长过程中，维持拉速在0.1‑0.3mm/h，控制晶体生长速度为500‑2000g/h；收尾过程中，手动控制拉速，拉速在10‑100mm/h；降温过程中，拉速为0，降温速率为20‑50℃/h。本发明锗单晶的生长方法，所制备得到的晶体尺寸大、结晶性能良好、成品率较高，且晶体无开裂、多晶等缺陷，推广该方法，能产生显著的经济效益。
拉速生长控制晶体锗单晶等径生长降温过程放肩引晶收尾结晶性能手动控制原料熔化真空氛围逐步增加成品率抽真空多晶熔体温场籽晶制备

[发明专利]智能变电站GOOSE虚拟二次回路图形化方法-CN201410302134.9在审
发明人：张洪;徐东升;郑义;皮志勇;孟慧;刘红云;尹士平;徐小林;罗皓文 -专利权人：国家电网公司;国网湖北省电力公司荆门供电公司
申请日： 2014-06-30 - 公布日： 2016-01-06 - 主分类号： G06Q50/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种智能变电站GOOSE虚拟二次回路图形化方法，它以SCD文件为基础，将文件内数量众多且连接关系复杂的GOOSE信息，按传统继电保护二次回路的概念，以图形的方式展现出来，通过GOOSE的开入开出信息建立虚拟连接图，其具有足够多的光接口，可一次性接入变电站高、中、低三个电压等级的A、B网的GOOSE信息，且各电压等级的A、B网间GOOSE光接口物理隔离互不影响，本发明优点是：大大提高了调试及运行维护的工作效率，消除了安全隐患，保证了供电可靠性，提升了相关技术人员的水平和智能变电站运行管理水平。
智能变电站 goose 虚拟二次回路图形方法

[实用新型]便携箱式画板-CN201120021007.3无效
发明人： 尹士平;刘景瑞 -专利权人： 尹士平
申请日： 2011-01-24 - 公布日： 2011-08-10 - 主分类号： B44D3/18 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种便携箱式画板，属于美术绘画用具领域。它的结构包括箱体和箱盖，其特征是，所述的箱盖与箱体的后侧板通过折页相连接，所述箱体的前侧面中央部位设有提手，所述箱体前侧面的两侧分别设有固定锁扣，所述的箱体左右侧板上分别设有活动锁扣，两个弹性带分别连接在所述的固定锁扣和活动锁扣上。该种便携箱式画板，结构简单，使用方便。箱式画板箱内可以盛放画纸和画笔等绘画工具，盒上箱盖时，箱盖表面可以当画板使用，可以通过弹性带来固定画纸。方便绘画者外出作画时使用，便于携带。
便携箱式画板

[实用新型]美工刀-CN201020014576.0无效
发明人： 尹士平 -专利权人： 尹士平
申请日： 2010-01-07 - 公布日： 2010-10-13 - 主分类号： B26B11/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种美工刀，主要解决普通美工刀削铅笔不安全和携带不够方便的问题。它包括刀身、刀柄和刀片，其特征是，在所述刀柄上设有一卷笔刀，在刀柄的后端设有一通孔，所述的通孔上挂有一腰扣。为了使用的舒适性和防止手在握持刀柄时被所述卷笔刀的刀片割伤，卷笔刀的刀片凹陷在矩形凹孔内且设有盖帽。与现有技术相比，本实用新型使用更加方便，安全性更好，设有腰扣更加便于携带。
美工刀

[发明专利]降埚直拉法生长低位错锗单晶工艺及装置-CN200710099557.5有效
发明人：苏小平;冯德伸;杨海;李楠;尹士平 -专利权人：北京有色金属研究总院;北京国晶辉红外光学科技有限公司
申请日： 2007-05-24 - 公布日： 2007-10-31 - 主分类号： C30B29/08 文献下载
摘要：本发明公开了属于生长单晶技术领域的一种降埚直拉法生长低位错锗单晶工艺及装置。该装置为直拉炉，在炉体内中央的坩埚杆顶部固定坩埚，主发热体和底发热体固定坩埚周围和底部，侧保温屏和上保温屏组成保温罩，罩在主加热体和底加热体周围，籽晶夹头挂在坩埚上方。采用降埚直拉法生长低位错锗单晶，工艺流程为将高纯锗原料放到坩埚内，将籽晶安装在籽晶夹头上，在拉晶过程中逐渐降低埚位，晶体是自上而下生长，实现在较小温度梯度热场条件下，在较高埚位进行缩颈然后降低埚位进行拉晶的关键技术，有效解决了缩颈和位错增殖之间的矛盾，生长成功大尺寸(4英寸以上)低位错锗单晶，满足空间高效GaAs/Ge太阳电池衬底片要求。
降埚直拉法生长低位错锗单晶工艺装置