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- [发明专利]阵列基板及其制造方法-CN201911183195.7在审
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李治福;肖军城;艾飞;尹国恒
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武汉华星光电技术有限公司
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2019-11-27
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2020-04-10
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H01L27/12
- 本揭示公开一种阵列基板的制造方法,其藉由(1)在一光刻制程中,以一光阻图案作为掩膜,形成LTPS薄膜晶体管的第一栅极前体与氧化物薄膜晶体管的第二栅极前体,(2)以所述光阻图案作为掩膜进行离子重掺杂,使多晶硅层的两相对侧形成离子重掺杂区,(3)再蚀刻第一栅极前体及第二栅极前体,以形成第一栅极及第二栅极,(4)去除所述光阻图案,并以第一栅极作为掩膜,进行离子轻掺杂,使多晶硅层的两相对侧形成离子轻掺杂区,以及(5)在另一光刻制程中形成LTPS薄膜晶体管的两第一源漏极与氧化物薄膜晶体管的两第二源漏极,以在不影响LTPS薄膜晶体管制程和氧化物薄膜晶体管制程的兼容性下,减少所需的掩膜数量。本揭示还公开一种通过所述方法制成的阵列基板。
- 阵列及其制造方法
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