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[发明专利]单晶棒的提段方法与采用该方法形成的单晶棒-CN201510075236.6有效
发明人：周浩;尹东坡;司佳勇 -专利权人：英利集团有限公司;英利能源（中国）有限公司;保定天威英利新能源有限公司;河北流云新能源科技有限公司
申请日： 2015-02-11 - 公布日： 2018-05-18 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种单晶棒的提段方法与采用该方法形成的单晶棒。该提段方法包括：步骤S1，单晶棒断棱长度为10～20mm时开始提段；步骤S2，对单晶棒进行提段。该方法中的步骤S1在单晶棒的断棱长度为10～20mm时开始提段，使得热量不会不断地由液面向晶棒传输，不稳定的单晶结构再次被破坏的可能性较小，使得单晶棒的反延长度较小，为直径值的70％～80％，比采用现有提段方法制得的单晶棒的反延长度小很多，使得单晶棒的可切片的数量有所增多、单晶棒的可利用率增高，降低了单晶棒的制作成本。
单晶棒方法采用形成

[实用新型]一种单晶棒引晶和放肩装置及单晶炉-CN201621105765.2有效
发明人：周浩;尹东坡;司佳勇 -专利权人：英利能源（中国）有限公司
申请日： 2016-10-09 - 公布日： 2017-04-19 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种单晶棒引晶和放肩装置及单晶炉，属于单晶硅制造技术领域，单晶棒引晶和放肩装置，包括位于坩埚上方的重锤，在所述重锤的靠近籽晶连接端的侧壁上固定有反射盖，所述反射盖呈锥面形，锥顶角度为150°至180°，锥面朝向硅液；单晶炉包括所述的单晶棒引晶和放肩装置。本实用新型能够大大提高引晶和放肩的成功率，缩短引晶和放肩时间。
一种单晶棒引晶装置单晶炉

[发明专利]一种单晶棒引晶和放肩装置、单晶炉及其工艺方法-CN201610879784.9在审
发明人：周浩;尹东坡;司佳勇 -专利权人：英利能源（中国）有限公司
申请日： 2016-10-09 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶棒引晶和放肩装置、单晶炉及其工艺方法，属于单晶硅制造技术领域，单晶棒引晶和放肩装置，包括位于坩埚上方的重锤，在所述重锤的靠近籽晶连接端的侧壁上固定有反射盖，所述反射盖呈锥面形，锥顶角度为150°至180°，锥面朝向硅液；单晶炉包括所述的单晶棒引晶和放肩装置；单晶棒引晶和放肩的工艺方法，利用上述所述的单晶炉进行，步骤包括：引晶步骤：坩埚转速为8～12rpm，籽晶转速为10～13rpm，引晶长度为120～200mm，细晶的直径为4～8mm；放肩步骤：坩埚转速为10～12rpm，籽晶转速为10～13rpm，放肩提拉速度0.5～0.8mm/min。本发明能够大大提高引晶和放肩的成功率，缩短引晶和放肩时间。
一种单晶棒引晶装置单晶炉及其工艺方法

[发明专利]形成单晶棒的直拉系统与生长单晶棒的工艺方法-CN201510083137.2在审
发明人：周浩;尹东坡;司佳勇 -专利权人：英利集团有限公司;英利能源（中国）有限公司;保定天威英利新能源有限公司;河北流云新能源科技有限公司
申请日： 2015-02-15 - 公布日： 2015-05-20 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种形成单晶棒的直拉系统与生长单晶棒的工艺方法。该直拉系统包括：坩埚、保温环与导流筒，上述保温环设置在所述坩埚的上方；上述导流筒设置在所述保温环的上方。该形成单晶棒的直拉系统中具有保温环，并且保温环与坩埚距离较近，即距离单晶硅的生长界面较近，可以有效抑制晶棒表面的散热，减小单晶棒表面与中心散热的速率差，从而减小了单晶棒表面与中心的结晶速率差，进而可减小改变生长界面的凸凹程度，使得单晶棒中心与表面的电阻率的差值较小，可以有效改善单晶棒的径向电阻率的均匀性。
形成单晶棒系统生长工艺方法

[发明专利]多晶硅料复投方法-CN201410012263.4有效
发明人：乔松;尹东坡;司佳勇;郭凯 -专利权人：英利集团有限公司
申请日： 2014-01-10 - 公布日： 2014-04-30 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种多晶硅料复投方法。该多晶硅料复投方法包括：步骤S1：在拉制单晶硅棒的坩埚内的熔硅表面结晶形成托盘；步骤S2：向坩埚内投放多晶硅料，并使多晶硅料位于托盘上；步骤S3：在投放的多晶硅料达到预定量之后，保持预定时间，然后将托盘和托盘上的多晶硅料完全熔化在坩埚内以拉制单晶硅棒。根据本发明，能够将多晶硅料携带的气体蒸发掉，防止气体在多晶硅料熔化过程中膨胀而使得熔硅飞溅，从而避免熔硅飞溅对拉制单晶硅棒的装置造成损害，降低了企业的生产成本。
多晶硅料复投方法

[发明专利]单晶棒的生产方法-CN201310327097.2有效
发明人： 尹东坡 -专利权人：英利能源（中国）有限公司
申请日： 2013-07-30 - 公布日： 2013-11-20 - 主分类号： C30B35/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种单晶棒的生产方法，包括以下步骤：步骤S10：向坩埚内投入第一批硅料，加热坩埚以熔化第一批硅料，然后使熔化后的第一批硅料结晶以得到第一根单晶棒，并且取出第一根单晶棒；步骤S20：向坩埚内投入第二批硅料，并加热坩埚以熔化第二批硅料，然后使熔化后的第二批硅料结晶以得到第二根单晶棒。本发明的单晶棒的生产方法提高了坩埚的使用率，进而降低了单晶棒的生产成本。
单晶棒生产方法

[实用新型]单晶炉-CN201220665628.X有效
发明人：司佳勇;乔松;周浩;尹东坡;唐磊 -专利权人：英利能源（中国）有限公司
申请日： 2012-12-04 - 公布日： 2013-05-29 - 主分类号： C30B35/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种单晶炉。该单晶炉具有加热器，还包括设置在加热器下方的反射部件，其中反射部件为金属钼片。通过在单晶炉内的加热器的下方位置上设置金属钼片作为反射部件，利用金属钼片优良的反射性能与保温性能，将加热器所散发出的部分热能通过镜面反射原理，折射到石英坩埚内部，同时利用其良好的保温性能将加热区域与炉底区域隔离开，增强炉底保温性能、降低运行功率与减少热场石墨件消耗，从而达到减少热损失率以及单晶棒氧沉积的目的。
单晶炉

[发明专利]一种生产单晶硅的熔料工艺-CN201310051893.8有效
发明人： 尹东坡 -专利权人：英利集团有限公司
申请日： 2013-02-17 - 公布日： 2013-05-01 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种熔料工艺，包括以下步骤：调节氩气流量为70L/min-100L/min，加热器功率在0KW-80KW内上升，石英坩埚的转速为0.5rpm/min-1rpm/min；保持功率为77KW-83KW，至原料硅发生塌料；将功率降至67KW-73KW，使石英坩埚上升，石英坩埚的转速升至2rpm/min-3rpm/min；原料硅全部熔化；氩气流量调整至40L/min-60L/min，功率调为引晶功率，石英坩埚升至平口以下35mm-45mm处并保持8min-12min，坩埚位置升至平口位置并保持4min-6min，熔料工序完成。本发明的熔料工艺，能够提高单晶硅的生产质量并降低发生事故的风险。
一种生产单晶硅工艺

[发明专利]N型直拉单晶硅的制备方法-CN201210553674.5无效
发明人：乔松;司佳勇;周浩;唐磊;尹东坡;郭凯 -专利权人：英利能源（中国）有限公司
申请日： 2012-12-18 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种N型直拉单晶硅的制备方法，等径过程包括等径初期采用的工艺条件包括，在所述等径初期的平均拉速为1.2~1.6mm/min。这样，当投料量增加时，有效降低了单晶硅棒等径部分头部的氧含量，提高了少子寿命，从而提高了单晶硅棒的利用率，降低了成本。
型直拉单晶硅制备方法

[实用新型]导流筒和单晶炉-CN201220512704.3有效
发明人： 尹东坡 -专利权人：英利能源（中国）有限公司
申请日： 2012-10-08 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种导流筒和单晶炉。导流筒包括：内筒，内筒包括真空腔；外筒，外筒与内筒连接。由于导流筒内壁设置了真空腔，所以导流筒在工作过程中，能有效的隔绝热量透过导流筒辐射到晶体表面，从而减少了热场的热量损失，起到了隔热保温的作用。
导流单晶炉

[实用新型]一种粒状多晶硅的除尘装置-CN201220432674.5有效
发明人：乔松;司佳勇;周浩;唐磊;尹东坡;郭凯 -专利权人：英利能源（中国）有限公司
申请日： 2012-08-28 - 公布日： 2013-02-20 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种粒状多晶硅的除尘装置，包括壳体和真空源装置，所述壳体的顶部设有入料口，底部设有出料口，所述壳体的侧壁由上至下开设有一个或多个吸附口；且所有所述吸附口均与所述真空源装置相连接。如此设置，本实用新型公开的粒状多晶硅的除尘装置，其能够有效降低多晶硅中的粉尘含量。
一种粒状多晶除尘装置

[实用新型]单晶炉热场加热器及包括该单晶炉热场加热器的单晶炉-CN201220313158.0有效
发明人：郭凯;高文宽;乔松;尹东坡;周浩 -专利权人：英利能源（中国）有限公司
申请日： 2012-06-29 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： C30B15/14 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种单晶炉热场加热器及包括该单晶炉热场加热器的单晶炉。其中单晶炉热场加热器包括：加热器主体(10)以及固定设置在加热器主体(10)上的加热器脚(20)，加热器主体(10)与加热器脚(20)可拆卸地连接。采用本实用新型的单晶炉热场加热器及包括该单晶炉热场加热器的单晶炉，可以只更换磨损的加热器脚，而保留加热器主体，降低维修成本。
单晶炉热场加热器包括单晶炉

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