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[发明专利]一种镧掺杂铪酸铅电介质薄膜的制备方法和应用-CN202211040406.3有效
发明人：詹倩;尔晓阔 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2022-08-29 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： C01G27/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种镧掺杂铪酸铅电介质薄膜的制备方法和应用，属于微电子技术领域。其化学通式为Pb1‑xLaxHfO3。制备过程包括：1)配制Pb1‑xLaxHfO3前驱体溶液并陈化；2)将溶胶旋涂在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上，得到湿膜；3)对湿膜进行热解和烧结处理；4)重复旋涂，热解和烧结处理，得到预设厚度的薄膜；5)将预设厚度的薄膜在空气氛围下进行退火，得到所述Pb1‑xLaxHfO3薄膜。本发明通过在PbHfO3基反铁电薄膜中进行A位掺杂，通过调整镧离子的掺杂量，从而获得显著增强的储能性能的电介质薄膜，应用于电容式储能装置中。
一种掺杂铪酸铅电介质薄膜制备方法应用

[发明专利]一种带氧化锆ZrO2-CN202310305928.X在审
发明人：詹倩;卞振旭;陈鹏;尔晓阔 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2023-03-27 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： C01F17/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种带氧化锆ZrO2插层的铈铪氧Hf1‑xCexO2薄膜、制备方法及应用，方法包括：制备Hf1‑xCexO2(HCO)溶胶和ZrO2溶胶；将所述HCO溶胶和ZrO2溶胶按照不同次序旋涂于基板上，得到湿膜；对湿膜进行热解以及最后的退火结晶处理，得到带氧化锆插层的铈铪氧Hf1‑xCexO2薄膜。本发明通过在HCO薄膜中引入高介电ZrO2插层，并调整插层位置得到不同ZrO2‑HCO叠层的高性能的薄膜。本发明相较于现有技术，在重掺Si基板上所制得的薄膜的铁电性能和/或漏电性能有了显著的提高；在柔性云母基板上，ZrO2插层的加入同样能够显著改善薄膜的铁电性能；且本发明的制备方法简单，加入的元素含量灵活可控，薄膜制备的成功率高，可重复性好，适合批量化生产。
一种氧化锆 zro base sub