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[发明专利]薄膜晶体管基板及其制造方法-CN201680052503.0有效
发明人：井上和式;今村谦;津村直树;小田耕治 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2016-09-08 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： G02F1/1368 文献下载
摘要：本发明涉及TFT基板，像素具有：栅极电极，其选择性地配置在基板之上；栅极绝缘膜，其将栅极电极覆盖；半导体沟道层，其选择性地配置在栅极绝缘膜之上；保护绝缘膜，其配置在半导体沟道层之上；第1层间绝缘膜，其设置在基板之上；源极电极及漏极电极，它们经过将第1层间绝缘膜及保护绝缘膜贯通的接触孔，相互分离地与半导体沟道层接触；以及像素电极，其是从漏极电极延伸出的，在俯视观察时，以至少与沟道区域重叠的方式在保护绝缘膜之上配置有第1遮光膜，在俯视观察时，以与半导体沟道层及所1遮光膜重叠的方式在源极电极之上及漏极电极之上配置有第2遮光膜。
薄膜晶体管及其制造方法

[发明专利]非线性元件、阵列基板以及阵列基板的制造方法-CN201710086113.1有效
发明人： 小田耕治 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2017-02-17 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明的目的是提供能够提高二极管电阻且实现窄边框化的非线性元件及阵列基板。本发明所涉及的非线性元件的特征是，具有：第1绝缘膜(5)，其形成为将遮光体(30)覆盖；氧化物半导体膜(31)，其形成于第1绝缘膜之上，俯视观察时与遮光体重叠；源极电极(7)及漏极电极(10)，它们形成为在氧化物半导体膜之上具有彼此分离的分离部分；第2绝缘膜(11)，其形成为将氧化物半导体膜、源极电极以及漏极电极覆盖；以及第1背电极(24)，其形成于第3绝缘膜(12)之上，经由第1接触孔(13)与源极配线(9)连接，第1背电极(24)形成为，俯视观察时与源极电极(7)和氧化物半导体膜(31)之上的分离部分的一部分重叠。
非线性元件阵列以及制造方法

[发明专利]薄膜晶体管基板、薄膜晶体管基板的制造方法、液晶显示装置-CN201680005079.4有效
发明人：平野梨伊;中川直纪;村上隆昭;井上和式;小田耕治 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2016-01-05 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明涉及构成液晶显示装置的薄膜晶体管基板，具备薄膜晶体管、第一电极、栅极布线以及源极布线，所述薄膜晶体管具有：栅电极；栅极绝缘膜，覆盖栅电极；半导体层，设置于隔着栅极绝缘膜而与栅电极相向的位置；沟道保护膜，覆盖半导体层；保护膜，覆盖沟道保护膜上；以及源电极和漏电极，经由以贯通保护膜及沟道保护膜的方式设置的第一接触孔而与半导体层相接，所述第一电极与漏电极电连接，所述栅极布线从栅电极延伸，所述源极布线与源电极电连接，源极布线和源电极以及第一电极和漏电极分别经由贯通保护膜的第二接触孔而电连接，第一电极和源极布线具有在第一绝缘膜上形成的第一透明导电膜，第一绝缘膜用与沟道保护膜相同的材料形成。
薄膜晶体管制造方法液晶显示装置

[发明专利]液晶显示装置及其制造方法-CN201580027053.5有效
发明人：山县有辅;岩川学;山下敏广;小田耕治;井上和式 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2015-05-25 - 公布日： 2019-05-28 - 主分类号： G02F1/1343 文献下载
摘要：本发明的液晶显示装置具有设置于支撑基板(10)之上的电极构成层(7A)，该电极构成层(7A)包括具有交替地配置的多个电极区域(RE)和多个绝缘体区域(RI)的条状区域(SRA)，对用一种材料构成的层部分性地进行还原或者氧化处理来控制导电性，从而制作所述电极区域(RE)以及所述绝缘体区域(RI)。而且，所述电极区域(RE)包含于液晶显示装置的像素电极以及对置电极中的至少任意电极。
液晶显示装置及其制造方法

[发明专利]TFT阵列基板及其制造方法-CN201410131136.6有效
发明人： 小田耕治;井上和式;石贺展昭;宫川修 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2014-04-02 - 公布日： 2017-06-13 - 主分类号： G02F1/1368 文献下载
摘要：针对在平坦化绝缘膜上方配置有共通电极及像素电极这种构造的液晶显示装置，防止接触孔中的连接不良和电阻增大。TFT阵列基板具有使用感光性有机树脂材料形成的有机绝缘膜（10）。在有机绝缘膜上方形成共通电极（12）及引出配线（11），在共通电极的上方隔着层间绝缘膜（15）而形成有像素电极（16）。像素电极经由形成在层间绝缘膜中的接触孔（35）而与引出配线连接。引出配线（11）及共通电极（12）分别通过形成在有机绝缘膜中的接触孔（31、32）而与漏极电极（8）及共通配线（3）连接。在形成在有机绝缘膜中的接触孔（31、32）内，在共通电极（12）及引出配线（11）的上方设置有金属覆盖膜（13、14）。
tft 阵列及其制造方法

[发明专利]显示装置及其制造方法-CN200880004975.4有效
发明人：中畑匠;井上和式;小田耕治;中川直纪;石贺展昭 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2008-02-04 - 公布日： 2009-12-23 - 主分类号： G02F1/1368 文献下载
摘要：本发明的显示装置(1B)包括：在衬底(3)上形成的金属导电层(21)；在同一衬底上形成的与上述金属导电层接合的透明导电膜(39)；把金属导电层(21)与透明导电膜(39)隔离的层间绝缘膜(25)。金属导电层(21)具有：由铝或铝合金构成的下层铝层(40a)；由含有杂质的铝或铝合金构成的、在下层铝层(40a)的上表面的大致整个表面上形成的中间杂质含有层(41a)；由铝或铝合金构成的、在中间杂质含有层(40a)上形成的上层铝层(42a)，在层间绝缘膜(25)和上层铝层(42a)中以局部地露出中间杂质含有层(41a)的方式贯通设置接触孔(27)，透明电极膜(39)通过从接触孔(27)露出的中间杂质含有层(41a)与金属导电层(21)接合。
显示装置及其制造方法

[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法和显示装置-CN200810178050.3有效
发明人： 小田耕治;中川直纪;大野岳;内田祐介 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2008-12-19 - 公布日： 2009-06-24 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供良好地保持特性并且可靠性较高的薄膜晶体管及其制造方法和搭载了该薄膜晶体管的显示装置。本发明一实施方式的薄膜晶体管的制造方法具备在栅电极(2)上形成栅极绝缘膜(3)的工序，栅极绝缘膜(3)至少具备与氢化非晶硅膜(4)接触的第一区域(11)和与该第一区域(11)相比位于下层的第二区域(12)，第一区域(11)以及第二区域(12)使用由NH₃、N₂、SiH₄构成的原料气体、和H₂或由H₂与He构成的气体形成，对于第一区域(11)来说，使NH₃和SiH₄的流量比(NH₃/SiH₄)为11以上且14以下进行成膜，对于第二区域(12)来说，使NH₃和SiH₄的流量比(NH₃/SiH₄)为4以下进行成膜。
薄膜晶体管及其制造方法显示装置

[发明专利]有机电致发光元件及其制造方法-CN200410036690.2有效
发明人：渕上宏幸;山吉一司;入住智之;小田耕治 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2004-04-28 - 公布日： 2004-11-03 - 主分类号： H05B33/26 文献下载
摘要：一种有机电致发光元件，具备：衬底(1)；在衬底(1)的上侧用绝缘体形成的阳极分离膜(3)；在由阳极分离膜(3)所划分的区域内在衬底(1)的上面形成的阳极导电层(2)；以及用绝缘体形成的元件分离膜(4)，该元件分离膜包围阳极分离膜(3)并且向下变宽。进而，在阳极分离膜(3)的上面还形成与阳极导电层(2)相同种类的导电层(7)，该导电层(7)还被元件分离膜(4)所覆盖。最好是，阳极分离膜(3)的上面比下面大。
有机电致发光元件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN02130352.5无效
发明人：泽田真人;飞松博;小田耕治;上浦有纪;芝田耕治;川田宏幸 -专利权人：三菱电机株式会社;菱电半导体系统工程株式会社
申请日： 2002-08-16 - 公布日： 2003-07-16 - 主分类号： H01L21/314 文献下载
摘要：本发明的课题是可以用HDP－CVD(高密度等离子体化学汽相淀积)法毫无问题地在密集配置的布线间的间隙中充填绝缘膜的半导体器件的制造方法。该制造方法包括：在半导体衬底上形成半导体元件的工序；为了对上述半导体元件进行电连接，在半导体元件上并排地形成附有上部保护层(4)的多条布线(3)的工序；用HDP－CVD以外的CVD法，在上述布线的侧面和布线之间的间隙底面形成保护绝缘膜(5)的工序；以及用HDP－CVD法形成绝缘膜(6)，以便覆盖上述保护绝缘膜，并且掩埋被保护绝缘膜覆盖的布线之间的间隙的工序。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN02130351.7无效
发明人：上浦有纪;飞松博;小田耕治;泽田真人;芝田耕治;川田宏幸 -专利权人：三菱电机株式会社;菱电半导体系统工程株式会社
申请日： 2002-08-16 - 公布日： 2003-07-02 - 主分类号： H01L21/312 文献下载
摘要：本发明的课题是提供一种半导体装置的制造方法，在该方法中，在用热处理对聚酰亚胺膜进行了亚胺化的情况下，防止聚酰亚胺膜从被进行各向同性刻蚀的膜剥离下来，而且防止因各向异性刻蚀而附着的淀积物在各膜的侧壁上剥离。将被形成了规定的图形的聚酰亚胺膜5用作掩模，对氮化硅膜4进行各向同性刻蚀。然后，在对氧化硅膜3进行各向异性刻蚀之前，用热处理对聚酰亚胺膜5进行亚胺化。此时，由于因显示出各向异性的干法刻蚀而发生的淀积物没有附着到各膜的侧壁上，故在用热处理对聚酰亚胺膜5进行了亚胺化的情况下，聚酰亚胺膜5不从氮化硅膜4剥离下来。此外，在该淀积物附着到各膜的侧壁上后，该淀积物不剥离。
半导体装置制造方法

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