“宫濑贵也”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网_中国专利网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果4个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]碳化硅外延晶片-CN201880055130.1有效
发明人：堀勉;宫濑贵也;本家翼;山本裕史;冲田恭子 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2018-08-28 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳化硅外延晶片，所述碳化硅外延晶片包含：4H多型的单晶碳化硅衬底，所述单晶碳化硅衬底具有相对于{0001}面以角度θ向11‑20方向倾斜的主面；和形成在所述主面上的厚度为t的碳化硅外延层，其中所述单晶碳化硅衬底的直径大于或等于150mm，其中所述角度θ大于0°且小于或等于6°，其中在所述碳化硅外延层的表面中存在螺旋位错坑和距所述坑的距离为t/tanθ的对角线缺陷的一个以上的对，并且其中所述坑和所述对角线缺陷的对的密度小于或等于2对/cm2。
碳化硅外延晶片

[发明专利]碳化硅外延衬底及碳化硅半导体器件-CN201980041859.8在审
发明人：堀勉;塩见弘;宫濑贵也 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2019-08-08 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：碳化硅外延层包括第一碳化硅层、第二碳化硅层、第三碳化硅层以及第四碳化硅层。第二碳化硅层的氮浓度随着从第一碳化硅层朝向第三碳化硅层而增加。从第三碳化硅层的氮浓度减去第一碳化硅层的氮浓度而得到的值除以第二碳化硅层的厚度所得的值为6×1023cm‑4以下。在将第三碳化硅层的氮浓度设为Ncm‑3、将第三碳化硅层的厚度设为Xμm的情况下，X和N满足数学式1。
碳化硅外延衬底半导体器件

[发明专利]碳化硅外延衬底和制造碳化硅半导体器件的方法-CN201980030451.0在审
发明人： 宫濑贵也;堀勉 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2019-03-15 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：一种碳化硅外延衬底包括碳化硅衬底、碳化硅外延膜和复合缺陷。复合缺陷包括扩展缺陷和基面位错。扩展缺陷包括从位于碳化硅衬底与碳化硅外延膜之间的边界处的起点起在11‑20方向上延伸的第一区域和沿着1‑100方向延伸的第二区域。第一区域在1‑100方向上具有从起点起朝向第二区域增加的宽度。基面位错包括连续到起点并沿着1‑100方向延伸的第三区域和沿着与1‑100方向相交的方向延伸的第四区域。当主表面的面积是第一面积并且外接于复合缺陷的四边形的面积是第二面积时，通过将第二面积除以第一面积而获得的值不大于0.001。
碳化硅外延衬底制造半导体器件方法

[发明专利]碳化硅外延基板和制造碳化硅半导体器件的方法-CN201880003964.8有效
发明人：神原健司;宫濑贵也;本家翼 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2018-07-20 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：碳化硅外延膜具有圆弧状或环状的多个基面位错和多个贯通位错。当从垂直于主表面的方向观察时，所述多个贯通位错具有被所述多个基面位错包围的第一贯通位错和未被所述多个基面位错包围的第二贯通位错。所述多个基面位错和所述第一贯通位错构成环状缺陷。所述主表面中的所述多个贯通位错的面密度为50cm‑2以上。通过将当从垂直于所述主表面的方向观察时所述环状缺陷的面密度除以所述主表面中的所述多个贯通位错的面密度而获得的值为0.00002以上且0.004以下。
碳化硅外延制造半导体器件方法

1
共 4 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top