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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]固化设备-CN201210554688.9无效
发明人：许在烈;权五晙;柳京伯;康训硕;宋钟镐 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2012-12-19 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种固化设备，该固化设备包括：箱盒；设置在所述箱盒中的灯具；具有灯具容纳部的灯罩，所述灯具容纳部设置在所述箱盒内，以容纳所述灯具；以及单独地设置以便与所述灯具容纳部的位置对应的窗板。
固化设备

[发明专利]批处理式基板处理装置-CN201180046507.5无效
发明人： 宋钟镐;康浩荣 -专利权人：泰拉半导体株式会社
申请日： 2011-02-25 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：公开了一种批处理式基板处理装置。本发明的一实施例涉及的批处理式基板处理装置（1），包括：基板处理部（400），用于处理基板（10）；移送部（200、300），用于移送基板（10）；以及冷却部（500），用于冷却完成基板（10）处理的基板（10）；基板处理部（400）包括：腔室（430），提供对基板（10）进行基板（10）处理的空间；晶舟（440），设置在腔室（430）内部，用于以多层方式装载基板（10）；支架（450），以多层方式可拆装地设置在晶舟（440）上，用于支承基板（10）；以及多个基板支承柱（460），形成在支架（450）上，用于支承基板（10）。
批处理式基板处理装置

[发明专利]基板处理装置-CN201180020406.0无效
发明人：康浩荣;宋钟镐 -专利权人：泰拉半导体株式会社
申请日： 2011-04-29 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本发明公开一种基板处理装置。本发明的基板处理装置，仅在必须使用基板托架的工序中利用基板托架，因此，提高了基板处理工艺的效率。此外，由于同时处理多个基板，所以能够提高基板处理工艺的生产率。此外，能够最大限度地活用用于冷却基板的冷却部的空间。此外，在基板和基板托架的分离过程中，能够防止因基板托架的贯通孔和基板支撑销未对齐而产生的基板及/或基板托架破损的现象。
处理装置

[发明专利]多晶硅形成装置及其方法-CN201080051430.6无效
发明人：李炳一;朴暻完;许官善;康浩荣;宋钟镐 -专利权人：泰拉半导体株式会社
申请日： 2010-11-09 - 公布日： 2012-08-15 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本发明公开一种多晶硅形成装置。本发明涉及的装置，对基板上形成的非晶硅进行热处理而形成多晶硅，其特征在于，包括：预热部（200），用于预热非晶硅；以及热处理部（300），对在预热部（200）预热的非晶硅进行结晶化热处理。
多晶形成装置及其方法

[发明专利]蒸镀气体供给装置-CN201080037560.4无效
发明人：李炳一;朴暻完;康浩荣;金彻镐;宋钟镐 -专利权人：泰拉半导体株式会社
申请日： 2010-08-25 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明公开蒸镀气体供给装置，该蒸镀气体供给装置在用于制造半导体元件或平板显示器的薄膜蒸镀工序时，在每个蒸镀工序能够供给均匀量的蒸镀气体。本发明的蒸镀气体供给装置(100)，包括：蒸镀物质储藏部(200)，用于储藏蒸镀物质；蒸镀物质蒸发部(300)，用于对蒸镀物质加热而产生蒸镀气体；以及载气供给部(400)，用于供给载气，该蒸镀气体供给装置还包括蒸镀物质供给部(500)，该蒸镀物质供给部配置在蒸镀物质储藏部(200)和蒸镀物质蒸发部(300)之间，蒸镀物质供给部(500)在每个蒸镀工序，向蒸镀物质蒸发部(300)供给恒定量的蒸镀物质。
气体供给装置

[发明专利]源气体供给装置-CN200980138274.4无效
发明人：李炳一;张锡弼;朴暻完;宋钟镐 -专利权人：泰拉半导体株式会社
申请日： 2009-09-30 - 公布日： 2011-08-24 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：一种采用化学气相沉积法进行薄膜蒸镀时将源物质进行气化并供给蒸镀室的源气体供给装置。该源气体供给装置(200)包括：源气体生成部(210)，加热源物质而生成源气体；源气体凝结部(240)，使在源气体生成部生成的源气体流入并被凝结；在此，使源气体从源气体生成部(210)流入源气体凝结部(240)，并且在源气体凝结部(240)凝结源气体，直至在源气体凝结部(240)凝结的源气体的凝结量达到饱和凝结量为止；当在源气体凝结部(240)内凝结的源气体的凝结量达到饱和凝结量之后，阻断源气体从源气体生成部(210)流入源气体凝结部(240)，使在源气体凝结部(240)内凝结的源气体流入蒸镀室(250)。
气体供给装置

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