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[发明专利]一种具有强制p型表面态的InAs/GaSb二类超晶格光探测器-CN201910039088.0有效
发明人：詹健龙;宋禹析 -专利权人：浙江焜腾红外科技有限公司
申请日： 2019-01-16 - 公布日： 2022-02-15 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有强制p型表面态的InAs/GaSb二类超晶格光探测器，所述InAs/GaSb二类超晶格光探测器的吸收区为p型，所述吸收区的能带结构依次包括有超晶格导带、超晶格价带、体导带、体价带，在吸收区的能带结构中，吸收区的表面态位于超晶格价带顶的上方但与超晶格价带顶的间隙小于3kBT，或者表面态位于超晶格价带顶的下方，其中kB是玻尔兹曼常数，T是InAs/GaSb二类超晶格光探测器的工作温度。本发明的InAs/GaSb二类超晶格光探测器表面态位于与超晶格价带顶的上方但与超晶格价带顶的间隙小于3kBT，或者表面态位于与超晶格价带顶的下方，使得表面态转变为p型，与吸收区同型，从而消除表面SRH暗电流，提高探测器的性能。
一种具有强制表面 inas gasb 二类超晶格探测器

[实用新型]一种具有强制P型表面态的红外探测器-CN202120250962.8有效
发明人：詹健龙;宋禹析 -专利权人：浙江焜腾红外科技有限公司
申请日： 2021-01-29 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： G01J5/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有强制P型表面态的红外探测器，属于探测设备技术领域，包括底座，所述底座顶端可拆卸连接保护壳，所述保护壳顶端通过螺栓固定连接缓冲垫A，所述缓冲垫A顶端焊接连接有减震阻尼弹簧，所述减震阻尼弹簧一端固定连接缓冲垫B，所述缓冲垫B顶端通过粘贴连接支撑板，所述支撑板顶端固定连接海绵，所述海绵顶端开设有凹槽，所述海绵内侧可拆卸连接红外探测器，所述保护壳一侧固定连接加强筋，所述保护壳顶端通过铰链活动连接顶盖。本实用新型种具有强制P型表面态的红外探测器，通过缓冲垫组、减震阻尼弹簧和固定杆之间的相互配合，将红外探测器固定，减少其工作过程中的震动，提高红外探测器的实用性。
一种具有强制表面红外探测器

[发明专利]一种具有强制n型表面态的InAs/GaSb二类超晶格光探测器-CN201910039011.3有效
发明人：詹健龙;宋禹析 -专利权人：浙江焜腾红外科技有限公司
申请日： 2019-01-16 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有强制n型表面态的InAs/GaSb二类超晶格光探测器，所述InAs/GaSb二类超晶格光探测器的吸收区为n型，在吸收区的能带结构中，吸收区的表面态位于超晶格导带底的下方且与超晶格导带底之间的间隙小于3kBT，或者表面态位于超晶格导带底的上方，其中kB是玻尔兹曼常数，T是InAs/GaSb二类超晶格光探测器的工作温度。本发明的InAs/GaSb二类超晶格光探测器其能带结构中表面态与超晶格导带底的上方，或者位于超晶格导带底的下方但与超晶格导带底的距离小于3kBT，使得表面态转变为n型，与吸收区同型，从而消除表面SRH暗电流，提高探测器的性能。
一种具有强制表面 inas gasb 二类超晶格探测器

[发明专利]一种具有强制p型表面态的InAs/GaSb(Bi)二类超晶格光探测器-CN201910039087.6有效
发明人：詹健龙;宋禹析 -专利权人：浙江焜腾红外科技有限公司
申请日： 2019-01-16 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有强制p型表面态的InAs/GaSb(Bi)二类超晶格光探测器，所述光探测器的吸收区为p型，所述二类超晶格光探测器的吸收区包括有InAs层和GaSb层，所述GaSb层中凝入有Bi元素，Bi元素将吸收区的能带结构中超晶格价带顶抬升至距离表面态小于3kBT，或者高于表面态。本发明的有益效果是：本发明通过在传统的InAs/GaSb二类超晶格光探测器吸收区的GaSb层中凝入一定量的Bi元素，通过Bi元素使得吸收区中超晶格价带抬升至高于吸收区的表面态，从而使得表面态转变成与吸收区同型的p型，消除表面SRH暗电流，提高探测器的性能。
一种具有强制表面 inas gasb bi 二类超晶格探测器

[发明专利]一种具有强制p型表面态的InAs/GaNSb二类超晶格光探测器-CN201910039000.5有效
发明人：詹健龙;宋禹析 -专利权人：浙江焜腾红外科技有限公司
申请日： 2019-01-16 - 公布日： 2020-10-13 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有强制p型表面态的InAs/GaNSb二类超晶格光探测器，光探测器的吸收区为p型，二类超晶格光探测器的吸收区包括有InAs层和GaSb层，GaSb层中凝入有N元素，N元素将吸收区的能带结构中超晶格价带顶抬升至高于吸收区的表面态，或者超晶格价带顶抬升至低于表面态但与表面态之间的距离小于3kBT。本发明通过在传统的InAs/GaSb二类超晶格光探测器吸收区的GaSb层中凝入一定量的N元素，通过N元素使得吸收区中超晶格价带抬升至高于吸收区的表面态，或者超晶格价带顶抬升至低于表面态但与表面态之间的距离小于3kBT，从而使得表面态转变成与吸收区同型的p型，消除表面SRH暗电流，提高探测器的性能。
一种具有强制表面 inas gansb 二类超晶格探测器

[实用新型]一种具有强制n型表面态的红外探测器-CN201920068640.4有效
发明人：詹健龙;宋禹析 -专利权人：浙江焜腾红外科技有限公司
申请日： 2019-01-16 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： G01V8/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有强制n型表面态的红外探测器，包括固定底座和壳体，固定底座的顶端表面安装有伸缩杆，伸缩杆的顶端安装有固定卡块，固定卡块的表面开有若干并排分布的第一插槽，固定卡块的外端卡接有套接座，套接座的一侧表面开有若干第二插槽，套接座的一侧设置有插块，插块的一侧表面设置有若干并排分布的插齿，壳体的顶端表面开有环形探测窗，探测窗的中间设置有报警指示灯。本实用新型通过固定卡块滑动套接在套接座的内部，再通过插块连接的插齿依次穿过第二插槽和第一插槽，使固定卡块固定安装在套接座的内部，防止固定卡块脱落，并可通过伸缩杆进行高度调节，使探测角度能够自由调整。
固定卡块套接座插槽伸缩杆插块本实用新型并排分布顶端表面固定底座探测窗插齿壳体报警指示灯红外探测器表面设置顶端安装高度调节滑动套接中间设置自由调整表面态卡接外端探测穿过

[实用新型]一种InAs/GaNSbT2SL红外探测器-CN201920068908.4有效
发明人：詹健龙;宋禹析 -专利权人：浙江焜腾红外科技有限公司
申请日： 2019-01-16 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： G01V8/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种InAs/GaNSbT2SL红外探测器，包括装置主体，装置主体的内部中央安装有红外传感器，红外传感器的一侧设置有防拆开关，防拆开关的底部设置有编码跳针，红外传感器的顶部设置有LED灯珠，LED灯珠的一侧设置有跳针调整装置，LED灯珠的另一侧设置有电池座，装置主体的外部设置有外壳，外壳的内表面涂覆有防潮层，外壳的外表面涂覆有隔热层。本实用新型通过在外壳内表面涂覆由活性炭材料制作而成的防潮层，从而可利用防潮层吸附湿气，避免探测器在潮湿天气受潮，同时通过在外壳外表面涂覆由陶瓷材料制作而成的隔热层，从而可利用隔热层阻止热量传导至探测器内，避免探测器因温度过高而出现故障。
涂覆红外传感器装置主体防潮层隔热层探测器本实用新型防拆开关跳针湿气红外探测器活性炭材料外壳内表面外壳外表面潮湿天气调整装置顶部设置热量传导陶瓷材料外部设置温度过高电池座内表面受潮吸附制作

[实用新型]一种生产红外探测器的外延生长装置-CN201920068907.X有效
发明人：詹健龙;宋禹析 -专利权人：浙江焜腾红外科技有限公司
申请日： 2019-01-16 - 公布日： 2019-10-29 - 主分类号： F16M11/38 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种生产红外探测器的外延生长装置，包括外延生长装置主体，外延生长装置主体的底部设置有装置盒，装置盒的内部一端安装有固定块，固定块的一侧中部设置有驱动电机，驱动电机的底部设置有传动带，传动带的一端连接有齿轮，齿轮的中部设置有固定座，固定座的一端连接有折叠杆，折叠杆的一端安装有转轴，折叠杆的另一端连接有红外探测器。本实用新型通过红外探测器的两侧折叠杆的转轴旋转调节折叠杆的高度，同时，齿轮的转动带动了安装在固定座两侧的折叠杆转移方向，从而使红外探测器转移方向进行探测工作。
折叠杆红外探测器外延生长装置一端连接固定座齿轮本实用新型驱动电机转移方向传动带固定块装置盒转轴旋转转轴转动探测生产

[实用新型]一种InAs/GaSbBiT2SL红外探测器-CN201920068922.4有效
发明人：詹健龙;宋禹析 -专利权人：浙江焜腾红外科技有限公司
申请日： 2019-01-16 - 公布日： 2019-10-11 - 主分类号： G01V8/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种InAs/GaSbBiT2SL红外探测器，包括探测器主体，探测器主体的表面中央固定安装有报警显示灯，探测器主体的四角均安装有接地螺钉，探测器主体的一端固定安装有防爆电缆接头，探测器主体和防爆电缆接头之间安装有O型密封圈，探测器主体的另一端固定安装有声光报警器，探测器主体的底部固定安装有底座，底座的内部安装有传感器，控制线路板的一侧设置有显示电路板，且控制线路板和显示电路板均安装在探测器主体的内部。本实用新型通过在探测器的底部通过探测器底盖安装底座，在底座的外端安装套接座，从而可方便使用者利用套接座上的固定孔将底座与套接座固定安装，以此保证使用者可利用套接座将探测器固定。
探测器主体底座套接座探测器本实用新型红外探测器控制线路板显示电路板防爆电缆报警显示灯声光报警器安装底座表面中央接地螺钉内部安装安装套固定孔传感器底盖接座外端保证

[实用新型]一种II类超晶格红外探测器-CN201920068659.9有效
发明人：詹健龙;宋禹析 -专利权人：浙江焜腾红外科技有限公司
申请日： 2019-01-16 - 公布日： 2019-08-23 - 主分类号： G01J5/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种II类超晶格红外探测器，包括安装板，安装板的顶端表面安装有探测单元，探测单元的一侧连接有热敏单元，热敏单元的顶端表面连接有半导体制冷器，安装板的底端表面一侧安装有承接环，固定座的内表面开有容槽，容槽的内部嵌有滑杆，滑杆的表面一侧中央连接有支撑杆，支撑杆的顶端与承接环转动连接，滑杆的两侧顶端均活动连接有螺杆，螺杆的顶端设置有转动块。本实用新型通过连接杆将安装板的一侧与固定座相连接，并通过支撑杆对承接环提供支撑力，使安装板的另一侧进行抬高，从而对安装板上的探测单元朝向进行调整，同时通过半导体制冷器降低探测器的温度，从而减少暗电流，降低噪音。
安装板探测单元承接环支撑杆滑杆半导体制冷器本实用新型红外探测器顶端表面热敏单元超晶格固定座螺杆容槽活动连接有顶端设置降低噪音中央连接转动连接暗电流连接杆内表面支撑力探测器底端嵌有转动抬高

[发明专利]一种能够缩减吸收区厚度的二类超晶格光探测器-CN201910039012.8在审
发明人：詹健龙;宋禹析 -专利权人：浙江焜腾红外科技有限公司
申请日： 2019-01-16 - 公布日： 2019-05-17 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本发明公开了一种能够缩减吸收区厚度的二类超晶格光探测器，所述二类超晶格光探测器的吸收区包括有InAsBi层和GaSbBi层。所述InAsBi层和GaSbBi层中Bi元素含量均小于15％。吸收区的结构为：7ML InAs_0.95Bi_0.05/10ML GaSb_0.95Bi_0.05。本发明通过在传统的InAs/GaSb二类超晶格光探测器的InAs层和GaSb层中凝入Bi元素，形成InAsBi层和GaSbBi层，从而在不改变探测器截止波长及探测器性能的前提下，能够有效降低二类超晶格光探测器材料的周期厚度以及材料总厚度，减少材料使用成本及分子束外延生长成本。同时还能提高材料的整体吸收系数，减少整个器件体积。
光探测器超晶格吸收区分子束外延改变探测器减少材料截止波长整体吸收传统的探测器生长

[发明专利]一种具有低点缺陷密度的二类超晶格光探测器-CN201910039014.7在审
发明人：詹健龙;宋禹析 -专利权人：浙江焜腾红外科技有限公司
申请日： 2019-01-16 - 公布日： 2019-05-17 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有低点缺陷密度的二类超晶格光探测器，所述二类超晶格光探测器为InAs/GaSb二类超晶格光探测器，所述InAs/GaSb二类超晶格光探测器的吸收区包括有InAs层和GaSb层，GaSb层中凝入有Bi元素。本发明通过在分子束外延生长GaSb层时凝入一定量的Bi元素，能够有效减少吸收区中的空位或者反位存在，降低探测器的缺陷密度，使得SRH复合减少，器件暗电流下降，载流子的扩散速度增加，器件的量子效率增加，提高InAs/GaSb T2SL光探测器的性能。
光探测器超晶格吸收区低点载流子分子束外延量子效率速度增加有效减少空位暗电流探测器复合扩散生长

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