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[发明专利]一种主动驱动电路-CN202210391851.8在审
发明人：丁晓峰;宋心荣 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2022-04-14 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H03K17/60 文献下载
摘要：一种主动驱动电路，包括主三端子晶体管、开通控制电路和关断控制电路，开通控制电路和关断控制电路均与所述主三端子晶体管的控制极连接，开通控制电路用于接收开通控制信号后向主三端子晶体管的控制极输出开通信号，并能调节开通信号的电流大小；关断控制电路用于接收关断控制信号后向主三端子晶体管的控制极输出关断信号，并能调节关断信号的电流大小。本公开能够连续的改变主三端子晶体管的控制极的驱动电流，进而改变器件的开关轨迹与损耗。可以在主三端子晶体管的每个开关周期进行独立控制，动态性能良好。本驱动电路结构简单，不需要过多的附加电路。
一种主动驱动电路

[发明专利]一种结温调节电路及结温调节方法-CN202210161031.X在审
发明人：丁晓峰;宋心荣 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2022-02-22 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：一种结温调节电路及其结温调节方法，结温调节电路包括主三端子晶体管和电流控制电路，电流控制电路用于在所述主三端子晶体管导通时，基于所述主三端子晶体管上的负载电流，获得所述负载电流与预设的参考电流的电流差；当所述电流差小于预设的第一阈值电流时，减小输入至所述主三端子晶体管的控制极的开通关断信号的电流，当所述电流差大于预设的第二阈值电流时，增大输入至所述主三端子晶体管的控制极的开通关断信号的电流；所述第二阈值电流大于等于所述第一阈值电流。本公开中，电流控制电路不仅能调节三端子晶体管开通损耗，平滑结温波动，还能降低开通过程中的电压电流震荡，显著延长了三端子晶体管的期望寿命，进而提高系统的可靠性。
一种调节电路方法

[发明专利]一种门极驱动电路及其控制方法-CN202210155071.3在审
发明人：丁晓峰;宋心荣 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2022-02-21 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：一种门极驱动电路及其控制方法，包括主三端子晶体管和结温控制电路，结温控制电路用于在所述主三端子晶体管导通时，基于所述主三端子晶体管上的被测结温，获得所述被测结温与预设的参考结温的结温差；当所述结温差小于预设的第一阈值结温时，减小输入至所述主三端子晶体管的控制极的开通信号或关断信号的电流，当所述结温差大于预设的第二阈值结温时，增大输入至所述主三端子晶体管的控制极的开通信号或关断信号的电流。本公开中，结温控制电路能调节三端子晶体管开通关断损耗，平滑结温波动，进而实现主三端子晶体管的开通关断损耗的实时调节，实现结温控制。
一种驱动电路及其控制方法

[发明专利]适应高结温环境的门极驱动电路及其开通方法、关断方法-CN202210001610.8在审
发明人：丁晓峰;宋心荣 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2022-01-04 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H03K17/041 文献下载
摘要：一种适应高结温环境的门极驱动电路及其开通方法、关断方法，门极驱动电路包括主三端子晶体管、关断电路和辅助电路；增加的辅助电路用于当所述主三端子晶体管在开通过程和关断过程中，辅助电路在预设时间段内向所述主三端子晶体管的控制极产生与控制信号电流同向或反向的辅助电流信号。本公开能够在三端子晶体管的控制极产生对应的正向或反向的辅助电流信号；在导通过程，辅助电路可以在电流上升阶段在三端子晶体管的控制极产生反向的辅助电流信号，降低开通信号的驱动电流以减小did/dt，抑制开通过电流；在关断过程，辅助电路可以在电流下降段在三端子晶体管的控制极产生同向的辅助电流信号，增大关断信号的驱动电流，加快关断速度。
适应高结温环境驱动电路及其开通方法

[发明专利]一种混合门极驱动电路-CN202111549907.X在审
发明人：丁晓峰;宋心荣;崔慧峰 -专利权人：北京航空航天大学;北京航空航天大学宁波创新研究院
申请日： 2021-12-17 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：一种混合门极驱动电路，包括供电电路、开通关断电路、信号输入电路和MOSFET器件；开通关断电路与MOSFET器件连接，能够接收开通信号和关断信号，根据所述开通信号以电压源驱动的方式开通所述MOSFET器件，根据所述关断信号以电流源驱动的方式关断所述MOSFET器件；信号输入电路与开通关断电路连接，供电电路向所述MOSFET器件、所述开通关断电路和所述信号输入电路供电。本公开开通关断电路，能够接收开通信号和关断信号，根据开通信号以电压源驱动的方式开通MOSFET器件，根据关断信号以电流源驱动的方式关断MOSFET器件，能够使MOSFET器件可以在更高的温度内正常使用，降低了MOSFET的开通、关断损耗，使开关损耗尽可能地降到了最低，可以提升MOSFET的效率和可靠性。
一种混合驱动电路

[发明专利]改善关断特性的碳化硅MOSFET驱动电路及控制方法-CN202110276852.3在审
发明人：丁晓峰;宋心荣 -专利权人：北京航空航天大学;北京航空航天大学宁波创新研究院
申请日： 2021-03-15 - 公布日： 2021-07-02 - 主分类号： H03K17/16 文献下载
摘要：本发明提供一种改善关断特性的碳化硅MOSFET驱动电路及控制方法。驱动电路，包括：PWM驱动模块，用于基于接收的PWM信号，向碳化硅MOSFET发送驱动信号，还包括：电压变化率控制模块和/或电流变化率控制模块；本发明通过增加电压变化率控制模块，可在碳化硅MOSFET的关电过程的非过冲段通过电压变化率控制模块提高电压变化率，加快漏源极电压的变化速度，缩短漏源极电压变化时间，从而提升关断速度，降低关断损耗；通过电流变化率模块，可在碳化硅MOSFET的关电过程的非过冲段通过电流变化率控制模块提高电流变化率，加快漏极电流的变化速度，缩短漏极电流变化时间，从而提升关断速度，降低关断损耗。
改善特性碳化硅 mosfet 驱动电路控制方法

[发明专利]提高开通性能的碳化硅MOSFET驱动电路及控制方法-CN202110275343.9在审
发明人：丁晓峰;宋心荣 -专利权人：北京航空航天大学;北京航空航天大学宁波创新研究院
申请日： 2021-03-15 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：本发明提供了一种提高开通性能的碳化硅MOSFET驱动电路，包括：PWM驱动模块，用于基于接收的PWM信号，向碳化硅MOSFET发送驱动信号，以控制所述碳化硅MOSFET的通断；漏源极电压获取模块，用于获取所述碳化硅MOSFET的漏源极电压；漏极电流获取模块，用于获取所述碳化硅MOSFET的漏极电流；栅极电流控制模块，用于基于所述碳化硅MOSFET的漏源极电压和漏极电流的变化，改变栅极电流控制电路的通断状态，以改变所述碳化硅MOSFET的栅极电流的大小。本发明通过栅极电流控制模块，能够降低开通电流过冲，提升开通速度，降低开通损耗，提升碳化硅MOSFET的效率和可靠性。
提高开通性能碳化硅 mosfet 驱动电路控制方法

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