专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]红外线光设备-CN202310309038.6在审
  • 安田大贵;藤田浩己 - 旭化成微电子株式会社
  • 2023-03-28 - 2023-09-29 - H01L31/16
  • 提供制造容易、并且在中红外长波长区域抑制了吸收损耗的高性能的红外线光设备。红外线光设备具备在中心波长λ具有峰的光接收和发射特性,所述红外线光设备具备半导体基板和薄膜层叠部,所述薄膜层叠部依次具有:形成在半导体基板上的第1反射层、活性层、p型半导体层、以及第1电极层,第1反射层和p型半导体层与活性层直接连接,第1反射层通过低折射率层与折射率高于低折射率层的高折射率层的层叠而构成,所述低折射率层为n型半导体层,所述低折射率层配置在第1反射层中最靠近活性层侧,活性层及p型半导体层的折射率高于低折射率层,中心波长λ在室温下为7μm以上。
  • 红外线设备
  • [发明专利]红外线光设备-CN202211327557.7在审
  • 藤田浩己;诸原理;安田大贵 - 旭化成微电子株式会社
  • 2022-10-27 - 2023-05-02 - H01L31/16
  • 本发明提供一种高性能的红外线光设备,其具备能够在中红外区域广泛利用的反射层结构。红外线光设备具备在中心波长λ具有峰的光接收和发射特性,所述红外线光设备具备半导体基板和薄膜层叠部,所述薄膜层叠部依次具有形成在半导体基板上的第一反射层、具有第一导电型的下部半导体层、光接收和发射层、具有第二导电型的上部半导体层、以及第二反射层,第一反射层包含构成材料含有AlGaInAsSb(0≤Al+Ga≤0.5、0≤As≤1.0)且杂质浓度不同的多个层,中心波长λ在室温下为2.5μm以上。
  • 红外线设备
  • [发明专利]光学元件和光学式浓度测定装置-CN202210172758.8在审
  • 安田大贵;古屋贵明 - 旭化成微电子株式会社
  • 2022-02-24 - 2022-08-30 - G01N21/3504
  • 本发明提供一种光学元件和光学式浓度测定装置,提供不使芯片尺寸变大而使有效的受光面或者发光面变大并实现耐变动性高的气体传感器的光学元件。关于光学元件,内部布线部将一个单位元件的第一接触电极部与其它单位元件的第二接触电极部电连接,第二区域、活性层以及第二导电型半导体层构成台面构造,焊盘电极以覆盖多个单位元件的方式配置,并且与第一接触电极部和第二接触电极部中的至少一方电连接,第一绝缘部配置于焊盘电极与台面构造的侧面之间以及焊盘电极与第一导电型半导体层的第一区域之间,外接于焊盘电极与连接部相接触的区域的圆的直径为基板的短边的长度的15%以上。
  • 光学元件浓度测定装置

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