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[实用新型]一种适用于小儿的震动排痰器-CN202122498172.4有效
发明人：王荣;季林燕 -专利权人：南通大学附属医院
申请日： 2021-10-17 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： A61H23/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种适用于小儿的震动排痰器，包括马甲，所述马甲的表面设置有缓冲层，所述缓冲层上安装有震动机构，所述马甲上开口两侧分别设置有魔术贴一体绑带和束缚框，所述魔术贴一体绑带的外壁和束缚框的内壁相互贴合，所述马甲的表面分别设置有正魔术贴带和副魔术贴块。该适用于小儿的震动排痰器，通过马甲、缓冲层、震动机构、魔术贴一体绑带、束缚框和医用软袋等零件的相互配合，使得装置可以快速穿戴，且适用于不同身材大小的儿童，并且装置较为轻便，便于使用者的活动，增强了装置的实用性。
一种适用于小儿震动排痰器

[实用新型]一种改良型小儿雾化排痰器-CN202022333283.5有效
发明人： 季林燕;张晓蒙;陈宏伟 -专利权人：南通大学附属医院
申请日： 2020-10-20 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： A61M11/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种改良型小儿雾化排痰器，包括外管，外管内滑动连接有内管，外管底部固定连接有两组分叉软管，外管中间滑动连接有控制杆，控制杆穿过外管底部转动连接有两组分叉杆，分叉杆分别与分叉软管转动连接，控制杆顶部固定连接有联动圈，联动圈与外管之间固定连接有回复弹簧，内管顶部固定连接有两组外接管，外接管底部分别连通有外雾化管和吸痰管，外雾化管和吸痰管端部均连通有U形管，且分叉端分别位于分叉软管内；本实用新型不会抵触在两气管的汇合处，致使吸痰失败，能作用较深部位，减轻患者痛苦和医护人员劳动强度，方便使用，提高吸痰效率。
一种改良小儿雾化排痰器

[发明专利]ESD保护电路、ESD保护结构及其形成方法-CN201710229090.5有效
发明人：雷玮;李宏伟;罗婵;季林燕 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2017-04-10 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供一种ESD保护电路、ESD保护结构及其形成方法，其中，电路包括：功能器件，功能器件包括器件输出端、器件输入端和连接端第一半导体晶体管，第一半导体晶体管包括第一输入端和第一输出端，第一输入端与所述器件输出端连接，第一输出端与所述器件输入端连接，当第一输出端电位高于第一输入端电位，且第一输出端与所述第一输入端的电位差大于第一半导体晶体管的阈值导通电压时，所述第一半导体晶体管导通；第二半导体晶体管；第三半导体晶体管。ESD包括电路包括第一半导体晶体管。当第一焊盘上的电荷量较大时，第一焊盘上的电荷可以通过第一半导体晶体管释放，从而能够增加电荷释放的通路，提高ESD保护电路的性能。
esd 保护电路结构及其形成方法

[发明专利]一种半导体器件和电子装置-CN201510176176.7有效
发明人：钟雷;李宏伟;罗婵;季林燕;程惠娟 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2015-04-14 - 公布日： 2019-07-26 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件和电子装置，涉及半导体技术领域。包括P型半导体衬底；第一N阱位于P型半导体衬底内；第二N阱位于P型半导体衬底内与第一N阱间隔；P阱位于半导体衬底内与第二N阱相邻且接触并与第一N阱间隔；第一N+注入区和第一P+注入区彼此间隔位于第一N阱内；第二P+注入区和第二N+注入区彼此间隔位于第二N阱内；第三P+注入区、第四P+注入区和第三N+注入区彼此间隔位于P阱内，其中，第二P+注入区为半导体器件的阳极，第四P+注入区和第三N+注入区为阴极，第一N+注入区和第三P+注入区相连接，第一P+注入区和第二N+注入区相连接。该半导体器件可实现优异的ESD防护性能及对SCR器件的快速触发。
一种半导体器件电子装置

[发明专利]一种FinFET电路-CN201710217778.1在审
发明人：李宏伟;雷玮;罗婵;季林燕 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2017-04-05 - 公布日： 2018-10-23 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供一种FinFET电路，所述FinFET电路包括：第一电压域电路，包括第一电源总线以及第一地电平总线；第二电压域电路，包括第二电源总线以及第二地电平总线；传输总线，连接所述第二电压域电路和所述第一电压域电路；所述第二电压域电路还包括第一单向单元和第二单向单元，所述第一单向单元电连接所述传输总线和所述第二电源总线，以提供所述传输总线至所述第二电源总线的单向通路；所述第二单向单元电连接所述传输总线和所述第二地电平总线，以提供所述第二地电平总线至所述传输总线的单向通路。本发明提供的技术方案中FinFET电路的静电保护效果更好。
电路传输总线电压域单向单元电源总线总线地电平单向通路电连接静电保护