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[发明专利]一种高精地图更新方法、装置及设备-CN202310737496.X在审
发明人：宁哲;张建平;赖晗;李兴涛;吴复争;孙祥乐;周明明 -专利权人：西安四维图新信息技术有限公司
申请日： 2023-06-20 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： G01C21/00 文献下载
摘要：本说明书实施例中公开了一种高精地图更新方法、装置及设备。该方案可以包括：获取第一车道处的历史车道线数据以及第二车道处的目标车道线数据，其中历史车道线数据为高精地图中的第一车道处的待更新车道线数据，目标车道线数据是根据采集到的第二车道处的道路感知数据生成的车道线数据。根据历史车道线数据与目标车道线数据中的至少一种相同类型的数据，判断历史车道线数据与目标车道线数据是否归属于同一车道，若历史车道线数据与目标车道线数据归属于同一车道，则利用目标车道线数据对高精地图中的历史车道线数据进行更新，得到更新后高精地图。该方案可以提升针对高精度地图中的车道线进行更新的准确性及实时性。
一种地图更新方法装置设备

[发明专利]高精地图的绘制方法、装置、设备、介质及程序产品-CN202310187029.4在审
发明人：周明明;赖晗;李兴涛;张建平;吴复争;孙祥乐;宁哲 -专利权人：西安四维图新信息技术有限公司
申请日： 2023-03-01 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G06T17/05 文献下载
摘要：本申请提供一种高精地图的绘制方法、装置、设备、介质及程序产品，该方法包括：获取从原始点云中框选出的包含有待生成地图要素的局部点云；对所述局部点云进行过滤，以获取属于所述待生成地图要素对应的要素点云；对所述要素点云进行平面轮廓拟合，并获取拟合后的几何形状的轮廓和中心坐标；基于所述轮廓和中心坐标对所述要素点云进行渲染，以生成所述待生成地图要素的矢量要素，并基于所述矢量要素绘制高精地图。本申请通过框选出的局部点云并进行过滤，获取目标要素点云，然后针对要素点云生成对应的矢量要素，替代人工采用地图编辑工具频繁进行绘制交互，有效降低了人工交互难度，同时提高了高精地图的绘制效率。
地图绘制方法装置设备介质程序产品

[发明专利]停车场地图数据的高程确定方法、装置及设备-CN202310232511.5在审
发明人： 孙祥乐;赖晗;李兴涛;张建平;吴复争;周明明;宁哲 -专利权人：武汉四维图新科技有限公司
申请日： 2023-03-06 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G01C5/00 文献下载
摘要：本申请提供一种停车场地图数据的高程确定方法、装置及设备，其中，该方法包括：遍历停车场地图数据中的所有道路线和/或中心线，并获取每条道路线和/或中心线上的待赋值几何点；分别确定每条道路线和/或中心线上的待赋值几何点的高程；对每条道路线和/或中心线上的待赋值几何点的高程进行平滑处理，并获取经过平滑处理后的所有高程的高程平均值，以根据所述高程平均值确定所述停车场地图数据的最终高程。通过上述方法，用户在没有楼层信息或楼层信息错误的情况下，可以基于停车场地图数据的高程信息快速、准确判断出停车场的位置，有效提升了用户的停车体验。
停车场地图数据高程确定方法装置设备

[发明专利]一种在高精度地图中绘制障碍物的方法、设备及介质-CN202310077010.4在审
发明人：吴复争;赖晗;李兴涛;张建平;孙祥乐;周明明;宁哲 -专利权人：西安四维图新信息技术有限公司
申请日： 2023-02-07 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： G06T17/05 文献下载
摘要：本说明书实施例公开了一种在高精度地图中绘制障碍物的方法，包括：获取障碍物在下方道路两侧的垂直投影点；基于所述垂直投影点，获取包含所述障碍物的目标区域；将位于所述目标区域内的点投影到水平面，得到所述目标区域内的点在所述水平面上的水平区域投影点；从所述水平区域投影点中，获取所述障碍物在所述水平面上的形状投影点；获取所述目标区域内的点的最大高程和最小高程；基于所述形状投影点，以及所述最大高程和所述最小高程，绘制障碍物。本实施例从障碍物所在目标区域内的点在水平面上的水平区域投影点中，获取障碍物的形状投影点，再基于形状投影点以及目标区域内的点的最大高程和最小高程绘制障碍物，绘制出的障碍物更准确。
一种高精度地图绘制障碍物方法设备介质

[发明专利]观察InSb半导体器件p-n结微观结构的样品及方法-CN201911350855.6在审
发明人： 孙祥乐;太云见;秦勇;信思树;叶薇;白兰艳;袁俊;曾祥明;杜润来;杨文运;黄晖 -专利权人：云南北方昆物光电科技发展有限公司
申请日： 2019-12-24 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： G01N23/2251 文献下载
摘要：本发明涉及一种观察锑化铟半导体器件p‑n结微观结构的样品及方法，属于半导体技术领域。通过对InSb半导体器件表面结构进行加工，获得p‑n结所在的观察区域表面结构为“钝化膜覆盖区域+薄层钝化膜覆盖区域”的样品，使得EBIC法观察InSb半导体器件中的p‑n结时电子束可透过样品表面的钝化膜，透视到InSb半导体器件中的p‑n结区域并与未透视区域形成对比，这对于InSb半导体器件的制造方法及筛选检测都有指导意义：可检测出InSb半导体器件p‑n结成结工艺是否有效，即是否在InSb半导体材料中制成了p‑n结，也可检测出用于制造InSb半导体器件的材料是否有缺陷。
观察 insb 半导体器件微观结构样品方法

[实用新型]一种电路馈通及其安装密封结构-CN201821987978.1有效
发明人： 孙祥乐;太云见;赵鹏;张克斌;信思树;龚晓霞;李华英;尹敏杰;余黎静;余瑞云 -专利权人：云南北方昆物光电科技发展有限公司
申请日： 2018-11-29 - 公布日： 2019-08-23 - 主分类号： F16J15/10 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种电路馈通及其安装密封结构，属于电子元器件密封结构技术领域。金属套筒内部与电极间填充绝缘材料，由金属套筒中心向外依次为低、中和高温胶；安装电路馈通的安装孔道为上下孔径大小不同的一个孔道，孔径小的孔道直径与金属套筒外径相匹配，孔径大的孔道部分位于与大气接触端，直径大于金属套筒外径，与金属套筒间形成间隙，间隙处灌注填充密封件，密封件由内向外依次为低、中和高温胶，高温胶为与大气接触端。本实用新型在保证电子元器件中真空或密封结构的真空或密封效果的前提下，实现了常规温度和尺寸的电子元器件中真空或密封结构的电路馈通，以及在低温至高温的宽温度范围以及小型电子元器件的真空或密封结构中的电路馈通。
馈通金属套筒电路密封结构高温胶孔道安装密封结构本实用新型电子元器件大气接触中和电子元器件密封小型电子元器件结构技术领域填充绝缘材料直径大于金属填充密封件安装孔道密封效果由内向外间隙处密封件电极套筒灌注匹配保证

[发明专利]一种电路馈通及其安装密封结构-CN201811445796.6在审
发明人： 孙祥乐;太云见;赵鹏;张克斌;信思树;龚晓霞;李华英;尹敏杰;余黎静;余瑞云 -专利权人：云南北方昆物光电科技发展有限公司
申请日： 2018-11-29 - 公布日： 2019-02-15 - 主分类号： F16J15/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种电路馈通及其安装密封结构，属于电子元器件密封结构技术领域。金属套筒内部与电极间填充绝缘材料，由金属套筒中心向外依次为低、中和高温胶；安装电路馈通的安装孔道为上下孔径大小不同的一个孔道，孔径小的孔道直径与金属套筒外径相匹配，孔径大的孔道部分位于与大气接触端，直径大于金属套筒外径，与金属套筒间形成间隙，间隙处灌注填充密封件，密封件由内向外依次为低、中和高温胶，高温胶为与大气接触端。本发明在保证电子元器件中真空或密封结构的真空或密封效果的前提下，实现了常规温度和尺寸的电子元器件中真空或密封结构的电路馈通，以及在低温至高温的宽温度范围以及小型电子元器件的真空或密封结构中的电路馈通。
馈通金属套筒电路密封结构高温胶孔道安装密封结构电子元器件大气接触中和电子元器件密封小型电子元器件结构技术领域填充绝缘材料直径大于金属填充密封件安装孔道密封效果由内向外间隙处密封件电极套筒灌注匹配保证

[实用新型]一种用于区域提纯的装置-CN201721836393.5有效
发明人：叶薇;陈建才;刘世能;孙祥乐;信思树;李秋妍;李忠良;太云见;赵鹏;黄晖 -专利权人：云南北方昆物光电科技发展有限公司
申请日： 2017-12-25 - 公布日： 2018-10-12 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种用于区域提纯的装置，属于光电材料技术领域。本发明所述装置包括移动加热设备、背景加热带、石英管以及石英舟，主要是通过在石英管表面缠绕背景加热带，为锭条提供一个恒定的温度，从而有利于缩短每个熔区形成的时间，进而大大缩短整个区域提纯过程的时间；由于背景加热带的存在，改变了区域提纯过程温场变化的方式，相应地改善了区域提纯的效率，从而提高了锭条的利用率；再者，将石英舟两端设计成半圆锥形，有利于降低区域提纯过程中石英舟的破损率。
提纯加热带石英舟石英管移动加热设备本实用新型半圆锥形表面缠绕光电材料温场变化整个区域恒定的破损率熔区

[实用新型]一种区域提纯工艺用石英舟-CN201721834974.5有效
发明人：叶薇;李忠良;陈建才;杨文运;冯江敏;孙祥乐;李增寿;太云见;赵鹏;黄晖 -专利权人：云南北方昆物光电科技发展有限公司
申请日： 2017-12-25 - 公布日： 2018-07-31 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种区域提纯工艺用石英舟，属于光电材料技术领域。本实用新型所述的石英舟两端为半圆锥形状，其舟身高度为常规石英舟舟身高度的1/3～2/3，这样设计能够减小或消除材料在区域提纯过程中由于热胀冷缩作用对石英舟的压力，达到保护石英舟的目的，从而大大降低区域提纯过程中石英舟的破损率。
石英舟本实用新型提纯工艺提纯常规石英光电材料热胀冷缩消除材料圆锥形状破损率减小

[发明专利]一种非晶碲镉汞单片集成式焦平面探测器的制造方法-CN200910163262.9有效
发明人：史衍丽;庄继胜;余连杰;杨丽丽;孔令德;李雄军;莫镜辉;孙祥乐 -专利权人：昆明物理研究所
申请日： 2009-12-30 - 公布日： 2011-07-06 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供一种非晶碲镉汞单片集成式焦平面探测器的制造方法，其工艺步骤为：A.衬底清洗；B.沉积金属下电极；C.光刻；D.干法刻蚀(下电极成型)；E.去胶清洗；F.磁控溅射(非晶碲镉汞光敏材料生长)；G.光刻；H.干法刻蚀(光敏面成型)；I.去胶清洗；J.光刻；K.干法刻蚀(表面清洁)；L.沉积金属上电极；M.剥离清洗(上电极金属成型)。通过上述制造方法，降低了制造成本，提高了焦平面探测器的可靠性，并使焦平面探测器具有较高的外量子效率，实现了非晶碲镉汞单片集成式焦平面探测器的制造。
一种非晶碲镉汞单片集成平面探测器制造方法

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