“孙桂铖”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网_中国专利网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果8个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种基于薄膜集成晶粒的中高温半导体热电转换模块-CN202111602015.1在审
发明人：仇子铖;袁德文;闫晓;孙桂铖;张友佳;徐建军;乔红威 -专利权人：中国核动力研究设计院
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： H01L35/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种可在中高温条件下使用半导体实现热电直接转换的半导体热电转换模块，其结构包括导热基板，导流片，薄膜集成晶粒，晶粒定位器以及绝热填充介质等。本发明各部件材料选择、结构设计和加工工艺中兼顾了热电转换效率、温度有效传递、耐冷热冲击性能、中高温运行可靠性等需求。经实践证明，本半导体热电转换模块在中高温条件下可实现高效率的热电直接转换，且能在温度大幅度升降过程中保证稳定运行。
一种基于薄膜集成晶粒高温半导体热电转换模块

[实用新型]可视化热压扩散试验平台-CN202023202653.8有效
发明人： 孙桂铖 -专利权人：淄博晟元新材料科技有限责任公司
申请日： 2020-12-25 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： B23K1/008 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种可视化热压扩散试验平台，包括框架和位于框架内的炉体，炉体为透明炉体，炉体内底部设有下支撑柱，下支撑柱顶端设有下感应加热板，炉体内上部设有上支撑柱，上支撑柱底端设有上感应加热板，框架内顶部安装有液压缸体，上支撑柱穿过连接法兰后连接至液压缸体，上支撑柱与连接法兰的连接位置套接有金属波纹管；炉体内设置有热电偶，炉体中部的外壁上设置有冷却感应线圈；炉体底部设置有真空抽气管，真空抽气管上通过转换阀连接有充气管。本实用新型通过采用了透明炉体，实现了360度可视化可观测，并且通过设置的抽真空/充气结构配合冷却感应线圈，实现了快速加热和冷却，提高了焊接效率。
可视化热压扩散试验平台

[实用新型]大气雾霾净化装置-CN201420433453.9有效
发明人： 孙桂铖;宋立峰 -专利权人：潍坊高德电子有限公司
申请日： 2014-08-01 - 公布日： 2014-12-03 - 主分类号： B01D50/00 文献下载
摘要：本实用新型具体涉及一种大气雾霾净化装置，其特征在于包括预吸附电极单元、电晕电极单元、荷电一体化喷嘴、高压风机、电控单元、高压电源，供水系统和喷雾方向调整支架，喷雾方向调整支架安装在高压风机的底部，所述高压风机的进风口处安装有预吸附电极单元，电晕电极由绝缘端子支撑固定在远程送风单元的风道轴线中，预吸附电极单元和电晕电极单元均与高压电源连接，预吸附电极单元为网状或栅状或板状结构，高压风机设有风筒，风筒上设有多个荷电一体化喷嘴，荷电一体化喷嘴与供水系统、高压电源分别连接，电控系统与高压电源连接。本实用新型具有结构合理、紧凑、安全、节能节水，能够高效消除或减轻粉尘、雾霾污染的优点。
大气净化装置

[实用新型]IGBT模块用低热阻陶瓷覆铜板-CN201020150991.9有效
发明人：李磊;孙桂铖 -专利权人：淄博市临淄银河高技术开发有限公司
申请日： 2010-04-06 - 公布日： 2011-01-05 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本实用新型具体涉及一种IGBT模块用低热阻陶瓷覆铜板，包括陶瓷基板，其特征在于所述陶瓷基板为氧化铝陶瓷基板，氧化铝陶瓷基板的一面或两面高温键合有无氧紫铜箔层，氧化铝陶瓷基板与无氧紫铜箔层之间具有Cu-Cu2O共晶液相层。本实用新型解决了现有技术IGBT模块用电路板细微针孔和空洞多，造成电路板的导热效率低和自身电阻大的缺陷，具有超薄、强度高、导热效率高，低热阻的优点。
igbt 模块低热陶瓷铜板

[发明专利]太阳能电池陶瓷散热基板的制作工艺-CN200910019675.X无效
发明人： 孙桂铖;李磊 -专利权人：淄博市临淄银河高技术开发有限公司
申请日： 2009-03-05 - 公布日： 2010-09-08 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明太阳能电池陶瓷散热基板的制作工艺，包括如下步骤：(1)使铜粉表面形成均匀致密的氧化膜，再与有机载体按固相质量比70～80∶20～30混匀，再轧成浆料；(2)在陶瓷基板上将上述浆料印刷或涂敷形成金属导体膜并烘干；(3)烧结：烧结峰值温度为1060～1080℃。本发明制造出的陶瓷基板具有高导电、高导热、高附着力、能够进行二次图形精细加工等优异性能，应用到太阳能电池芯片封装中可以明显提高工作寿命和可靠性。
太阳能电池陶瓷散热制作工艺

[发明专利]IGBT模块用低热阻陶瓷覆铜板的制作工艺-CN201010139707.2有效
发明人：李磊;孙桂铖 -专利权人：淄博市临淄银河高技术开发有限公司
申请日： 2010-04-06 - 公布日： 2010-08-25 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明具体涉及一种IGBT模块用低热阻陶瓷覆铜板的制作工艺。其特征在于包括如下步骤：1)陶瓷基片清洗活化，并在陶瓷基片的表面采用PVD工艺沉积一层1～2μm的铜膜；2)铜箔清洗活化，并在铜箔表面采用CVD工艺交替沉积0.1μm厚的氧化亚铜和0.1μm厚的铜，沉积的氧化亚铜和铜的厚度为0.5～10μm；3)将铜箔预压成型，使铜箔沿宽度方向成弧形后与陶瓷基片一起放置在键合炉内进行高温键合，键合温度为1060～1076℃4)键合后的覆铜板冷却。使用本发明制作的覆铜板相对现有技术的电路板具有超薄、强度高、空洞率低、导热效率高、热阻低的优点。
igbt 模块低热陶瓷铜板制作工艺

[实用新型]一种大功率LED陶瓷散热基板-CN200820232888.1有效
发明人：李磊;孙桂铖 -专利权人：淄博市临淄银河高技术开发有限公司
申请日： 2008-12-23 - 公布日： 2009-12-16 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本实用新型一种大功率LED陶瓷散热基板，包括陶瓷基板，其特征在于在陶瓷基板的一面或两面烧结有厚膜状铜导体层，厚膜状铜导体层与陶瓷基板之间具有铜铝尖晶石共熔界面。本实用新型制造出的陶瓷基板具有高导电、高导热、高附着力、能够进行二次图形精细加工等优异性能，应用到大功率LED封装中可以明显提高工作寿命和可靠性。
一种大功率 led 陶瓷散热

[发明专利]大功率LED陶瓷散热基板的制作工艺-CN200810159590.7有效
发明人： 孙桂铖;李磊 -专利权人：淄博市临淄银河高技术开发有限公司
申请日： 2008-11-28 - 公布日： 2009-04-22 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明大功率LED陶瓷散热基板的制作工艺，包括如下步骤：(1)使铜粉表面形成均匀致密的氧化膜，再与有机载体按固相质量比70～80∶20～30混匀，再轧成浆料；(2)在陶瓷基板上将上述浆料印刷或涂敷形成金属导体膜并烘干；(3)烧结：烧结峰值温度为1060～1080℃。本发明制造出的陶瓷基板具有高导电、高导热、高附着力、能够进行二次图形精细加工等优异性能，应用到大功率LED封装中可以明显提高工作寿命和可靠性。
大功率 led 陶瓷散热制作工艺

1
共 8 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top