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[发明专利]一种多孔硅气敏传感器及其制造方法-CN202110501819.6有效
发明人： 姜卫粉;张天杰;宋晓燕;张巧丽;高海燕;贾敏;杨晓辉;王玉生;杨大鹏;罗世钧 -专利权人：华北水利水电大学
申请日： 2021-05-08 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种多孔硅气敏传感器及其制造方法。其中，本发明的多孔硅气敏传感器的多孔硅层处于衬底表面的中部区域，多孔硅层的外围被衬底所包围；多孔硅层从中心向外围分为中部内区域和中部外区域，中部内区域被中部外区域所包围；中部内区域的孔隙密度一致，中部外区域的孔隙密度从内向外逐渐降低，中部内区域的孔隙密度大于中部外区域的孔隙密度；金属栅线电极的内端处于多孔硅层上，金属栅线电极的外端延伸至多孔硅层外围的衬底之上并用于外接；处于多孔硅层上的金属栅线电极的宽度大于处于多孔硅层外围的衬底之上的金属栅线电极的宽度。本发明的多孔硅气敏传感器的栅线不容易断裂，具有较高的可靠性。
一种多孔硅气敏传感器及其制造方法

[实用新型]一种气敏传感器-CN202120704503.2有效
发明人： 姜卫粉;张天杰;宋晓燕;高海燕;贾敏;杨晓辉;张巧丽;王玉生 -专利权人：华北水利水电大学
申请日： 2021-04-07 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：本实用新型提供一种气敏传感器，用以解决现有的气敏传感器接触电阻高的问题。本实用新型的气敏传感器包括：支撑衬底，呈板状结构；绝缘隔离层，固设于支撑衬底上侧板面上；接触电极，固设于绝缘隔离层的上侧面上，成对设置且成对的两个接触电极相对布置；多孔硅层，设于绝缘隔离层上且将接触电极覆盖；接触电极连接有电极引线结构并用于将电信号导出。将接触电极设置在多孔硅层下方，先在绝缘隔离层上形成接触电极，然后设置多孔硅层，由于绝缘隔离层的性质较为稳定，在其上形成接触电极时不受温度、反应原料的限制，能够沉积更加良好的接触电极，进而使接触电极和多孔硅层形成欧姆接触，降低接触电极和多孔硅层之间的接触电阻。
一种传感器

[发明专利]一种测量硬质涂层硬度的方法-CN201811625665.6有效
发明人： 姜卫粉;宋纳红;宋晓燕;张巧丽;张天杰;李艺星;罗世钧;高海燕;杨大鹏;王玉生;许磊;方昂波;杨晓辉;贾敏;吕健;凌虹 -专利权人：华北水利水电大学
申请日： 2018-12-28 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： G01N3/40 文献下载
摘要：本发明属于物理测量技术领域，具体涉及一种测量硬质涂层硬度的方法。本发明的测量方法包括以下步骤：在待测样品的硬质涂层上设置热塑性有机材料涂层；将热塑性有机材料涂层加热软化，然后在热塑性有机材料涂层上压出压痕，冷却，测量压痕尺寸，计算硬质涂层硬度。本发明通过在硬质涂层上设置具有一定塑性的有机材料涂层来降低压头对压痕周边的涂层的冲击作用，减小其碎裂程度；同时未被压头直接压到的涂层，被塑性的有机材料涂层包裹，即使其下方的粘合层失效，也不会大片脱落。本发明的方法能够减少硬度测量时压头压出的压痕四周的裂纹数量以及裂纹尺寸，同时对压痕尺寸具有一定的放大，从而使得硬质涂层的硬度测量波动性小。
一种测量硬质涂层硬度方法

[发明专利]提高立方氮化硼单晶/聚晶合成棒内部温度均匀性的方法-CN201810039032.0有效
发明人： 姜卫粉;贾敏;张天杰;张巧丽;杨晓辉;罗世钧;方昂波;李艺星;凌虹 -专利权人：华北水利水电大学
申请日： 2018-01-16 - 公布日： 2019-12-20 - 主分类号： C01B21/064 文献下载
摘要：本发明提出了一种提高立方氮化硼单晶/聚晶合成棒内部温度均匀性的方法，通过调整碳杯中电力线的分布来提高加热的均匀性,调整电力线分布，主要通过在中央增加辅助导电体从而在中央诱生额外的电力线，或者进一步的在导电片四周设置电力线阻挡环来减少四周的电力线，从而提高中央区域电力线的相对密度，在合成棒上下两端的径向中央区域附近形成一个电力线密集区（图2、3的M’处），提高该点的发热量，从而提高径向中央区域的温度，尤其是合成棒上下两端的径向中央区域的温度。
电力线合成棒径向中央区域立方氮化硼单晶内部温度均匀性上下两端聚晶发热量导电片四周电力线分布辅助导电体中央区域均匀性密集区阻挡环杯中加热

[发明专利]一种棒状三氧化钨纳米气敏材料的制备方法-CN201610277867.0有效
发明人：罗世钧;姜卫粉;许磊;袁保合;王玉生;贾敏;张天杰;张静;张巧丽 -专利权人：华北水利水电大学
申请日： 2016-04-28 - 公布日： 2018-10-30 - 主分类号： G01N27/04 文献下载
摘要：一种棒状三氧化钨纳米气敏材料的制备方法，该气敏材料是三氧化钨与三氧化二铋通过热处理而制备得到，反应起始原料中三氧化二铋所占的量为混合物总质量的5.8‑35.8%。本发明原料易得，组分配比容易控制，制备工艺简单易操作。该发明中制备得到的棒状三氧化钨纳米材料具有很高的化学活性，对多数挥发性有机气体有良好的敏感性能，对丙酮的敏感系数高达23.78。
一种棒状三氧化钨纳米材料制备方法

[发明专利]一种增强光催化效应的阵列化活性薄膜的制备方法-CN201610679084.5有效
发明人：袁沛文;杨晓辉;姜卫粉;贾敏;张巧丽 -专利权人：袁沛文
申请日： 2016-08-17 - 公布日： 2018-02-27 - 主分类号： B01J21/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种增强光催化效应的阵列化活性薄膜的制备方法，将电阻率小于3.0Ω·cm的P型单晶硅片置入高压釜内，然后向高压釜内填充腐蚀液，腐蚀后制得硅柱阵列；将硅柱阵列放入二茂铁的乙醇溶液中浸润，然后置于卧式管式炉内，通过预浸润催化剂原位生长碳纳米管10min，氮气保护下降至室温，得到碳纳米管/硅柱阵列；采用直流反应磁控溅射法在碳纳米管/硅柱阵列上制备出TiO2薄膜。本发明合理利用了衬底的微/纳阵列的模板作用，所制得的二氧化钛薄膜随基底表面微结构的起伏而起伏，结合牢固，同时基底是由阵列化碳纳米管构成，可以使其表面沉积的二氧化钛更大面积地接触到有机溶液，因此催化效率高。
一种增强光催化效应阵列活性薄膜制备方法

[发明专利]一种聚晶超硬刀具及其制备方法-CN201510069940.0有效
发明人： 姜卫粉;单雯雯;王朝勇;杨晓庆;罗世钧;贾敏;杨晓辉;张巧丽;宋晓燕;张天杰 -专利权人：华北水利水电大学
申请日： 2015-02-09 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： B23B27/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种聚晶超硬刀具及其制备方法，所述聚晶超硬刀具包括刀体部和刃口部，所述刃口部位于所述刀体部两个以上表面的交汇处；所述刀体部与刃口部材料均为聚晶材料，刃口部材料的平均结晶度大于所述刀体部材料的平均结晶度。本发明的聚晶超硬刀具，刃口部材料的结晶度大于刀体部材料的结晶度，使刃口的应力减小，刃口的硬度提高，从而延长了刀具的使用寿命。本发明制备方法通过采用金属诱导的工艺，提高刃口的结晶度，从而减小刃口应力，同时提高刃口硬度，延长了刀具的使用寿命；该制备方法工艺简单，操作方便，适合大规模工业化生产。
一种聚晶超硬刀具及其制备方法

[发明专利]具有表面增强拉曼散射效应的活性基底及其制备方法和应用-CN201110231298.3无效
发明人： 姜卫粉;高海燕;张天杰;杨晓辉;张巧丽;贾敏;吕健;蔡洪涛;凌红 -专利权人：华北水利水电学院
申请日： 2011-08-12 - 公布日： 2012-03-28 - 主分类号： C04B41/53 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有表面增强拉曼散射效应的活性基底，同时还公开了该活性基底的制备方法和应用。该活性基底的制备方法为：P型单晶硅片首先通过水热腐蚀得到硅纳米孔柱阵列，然后在硅纳米孔柱阵列表面进行化学气相沉积生长碳纳米颗粒，制得碳纳米颗粒膜/硅纳米孔柱阵列活性基底。采用该碳纳米颗粒膜/硅纳米孔柱阵列作为具有表面增强拉曼散射效应的活性基底可检测到浓度为10-6mol/L的若丹明6G分子，该活性基底具有极强的拉曼增强效应。
具有表面增强散射效应活性基底及其制备方法应用

[发明专利]碳纳米管/硅巢状阵列作为具有表面增强拉曼散射效应的活性基底的应用-CN201110231296.4无效
发明人： 姜卫粉;李幸福;单雯雯;王玉生;宋晓燕;李艺星;许磊;张静;罗世钧 -专利权人：华北水利水电学院
申请日： 2011-08-12 - 公布日： 2012-01-18 - 主分类号： G01N21/65 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳纳米管/硅巢状阵列作为具有表面增强拉曼散射效应的活性基底的应用，采用碳纳米管/硅巢状阵列活性基底用于检测溶液中若丹明6G分子时，可检测出溶液中浓度为10-6mol/L的若丹明6G分子。碳纳米管/硅巢状阵列活性基底的表面增强拉曼散射效应能力可以和金、铜纳米材料的相媲美，甚至优于金和铜纳米材料的表面增强拉曼散射能力。碳纳米管/硅巢状阵列活性基底不使用金、银、铜币种金属，造价低。碳纳米管/硅巢状阵列活性基底无毒无害，并且性能稳定，可以在空气中自然存放数年而不发生性能的改变。另外，还具有制备工艺简单、重复率高、应用范围广等优点。
纳米硅巢状阵列作为具有表面增强散射效应活性基底应用

[发明专利]碳纳米管/硅巢状阵列的制备方法-CN200710054981.8无效
发明人：李新建;姜卫粉 -专利权人：郑州大学
申请日： 2007-08-16 - 公布日： 2008-03-26 - 主分类号： B82B3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳纳米管/硅巢状阵列的制备方法，包括以下步骤：将电阻率小于3.0Ω·cm的P型单晶硅片置入高压釜，填充由浓度介于8.00～22.00mol/l的氢氟酸和0.01～0.50mol/l的硝酸铁溶液，在温度50～200℃下腐蚀10分钟～36小时，制备出衬底材料硅纳米孔柱阵列(Si－NPA)；将衬底材料硅纳米孔柱阵列置入管式炉内，在保护气体气氛下升温至500～1200℃，随载气送入溶有金属有机盐的碳源溶液，原位1～60分钟生长碳纳米管，气体保护下将炉子降至室温即得到具有场发射和湿度敏感性能的碳纳米管/硅巢状阵列。开启场强为0.56V/μm，增强因子达25000，外加场强为3.1V/μm时电流密度可达6.8mA/cm²；测试频率为100Hz时，器件响应达2600％，响应时间为20s，恢复时间为10s，本发明工艺简单，重复率高。
纳米硅巢状阵列制备方法

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