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[发明专利]一种晶圆及其制备方法-CN202311067864.0在审
发明人：谷海云;马乾志;张雨杭;姚祖英;魏启旺;张奇;罗朝阳;李志才;马坤;孙晨光;王彦君 -专利权人：中环领先半导体材料有限公司
申请日： 2023-08-22 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种晶圆及其制备方法，制备方法包括：提供衬底硅层，进行第一次升温；对衬底硅层进行第一次热氧化，在衬底硅层表面形成第一氧化层；进行第二次升温；对衬底硅层进行第二次热氧化，在衬底硅层表面形成第二氧化层；进行第三次升温；对衬底硅层进行第三次热氧化，在衬底硅层表面形成第三氧化层；降温，得到晶圆。通过分阶段升温，对衬底硅层进行分步氧化，先形成的氧化层可以作为缓冲层，减少晶圆材料表面和内部受热不均匀导致的应力损伤，同时通过控制升降温速率，减少因内外受热不均匀带来的内部结构损伤，在生长较厚的氧化层情况下，实现最终氧化硅片的应力损伤达到最小的效果。
一种及其制备方法

[发明专利]一种晶圆及其制备方法-CN202311066746.8在审
发明人：谷海云;马乾志;张雨杭;姚祖英;魏启旺;张奇;罗朝阳;李志才;马坤;孙晨光;王彦君 -专利权人：中环领先半导体材料有限公司
申请日： 2023-08-22 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种晶圆及其制备方法，包括：衬底硅层、第一氧化层、第二氧化层和第三氧化层；衬底硅层、第三氧化层、第二氧化层、第一氧化层沿晶圆的厚度方向X依次排列；其中，第一氧化层具有第一平均厚度L1，第二氧化层具有第二平均厚度L2，第三氧化层具有第三平均厚度L3，满足：0.06μm≤L1≤0.2μm，0.25um≤L1+L2≤0.45um，且0.5μm≤L1+L2+L3≤0.7μm。本申请的制备方法通过干湿氧化结合，以及匀速逐级升温的工艺，对衬底硅层进行分阶段氧化，获得更致密的氧化膜，避免在后续工序中受到腐蚀损伤。
一种及其制备方法

[发明专利]一种绝缘体上硅衬底及其制备方法-CN202211652413.9在审
发明人：马乾志;孙晨光;王彦君;姚祖英;马坤;张雨杭;张奇;魏启旺;罗朝阳;谷海云 -专利权人：中环领先半导体材料有限公司
申请日： 2022-12-21 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本申请公开了一种绝缘体上硅衬底及其制备方法，包括：提供第一半导体晶圆，第一半导体晶圆包括第一氧化层和第一衬底硅层，第一氧化层通过注氧隔离形成，提供第二半导体晶圆；将第一半导体晶圆和第二半导体晶圆键合形成第三半导体晶圆，进行第一次退火；对第一衬底硅层进行机械研磨减薄；对第一衬底硅层进行化学机械抛光，抛光至第一氧化层表面；进行第二次退火；采用化学腐蚀剂将第一氧化层进行腐蚀去除，得到绝缘体上硅衬底。本申请采用化学机械抛光代替碱腐蚀，避免硅岛缺陷被碱腐蚀后延伸至氧化层下方形成表面缺陷，增加第二次退火并通入氧气，对硅岛缺陷进行氧化便于后续去除，得到低缺陷密度的绝缘体上硅衬底。
一种绝缘体衬底及其制备方法

[发明专利]一种半导体材料、制备方法和半导体器件-CN202211652486.8在审
发明人：马乾志;孙晨光;王彦君;姚祖英;马坤;张雨杭;张奇;魏启旺;罗朝阳;谷海云 -专利权人：中环领先半导体材料有限公司
申请日： 2022-12-21 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本申请公开了一种半导体材料、制备方法和半导体器件，包括：层叠设置的第一衬底、第一氧化层和顶硅层；第一氧化层位于衬底上，顶硅层位于第一氧化层远离第一衬底的一侧；其中，第一氧化层具有沿第一方向的平均厚度H1，顶硅层具有沿第一方向的平均厚度H2，满足：0.01≤H2/H1≤100，且0.01μm≤H1≤5μm，0.01μm≤H2≤0.5μm。本申请的半导体材料的顶硅层厚度小于500nm，且通过选择性抛光工艺使得顶硅层厚度波动的偏差小于±10nm，有利于提高了半导体材料表面顶硅层的厚度均匀性。
一种半导体材料制备方法半导体器件

[发明专利]一种绝缘体上硅晶圆及制备方法、半导体装置-CN202211652519.9在审
发明人：马乾志;孙晨光;王彦君;姚祖英;马坤;张雨杭;张奇;魏启旺;罗朝阳;谷海云 -专利权人：中环领先半导体材料有限公司
申请日： 2022-12-21 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本申请公开了一种绝缘体上硅晶圆及制备方法、半导体装置，绝缘体上硅晶圆包括：第一衬底和顶硅层，第一衬底包括第一表面，其中，第一衬底具有沿第一方向的最大尺寸Dmax，第一表面具有沿第一方向的第二尺寸D2，满足100μm≤Dmax‑D2≤500μm；顶硅层设于第一表面上。本申请提供的绝缘体上硅晶圆，通过优化第一衬底和第一表面的边沿尺寸，为顶硅层的制备提供了合适的位置，有利于获得具有较窄台阶宽度的绝缘体上硅晶圆。本申请还提供制备上述绝缘体上硅晶圆的方法，以及包括上述绝缘体上硅晶圆的半导体装置。
一种绝缘体上硅晶圆制备方法半导体装置

[实用新型]晶片清洗机-CN202021811573.X有效
发明人：吴勇;姚祖英;徐伟 -专利权人：上海晶盟硅材料有限公司
申请日： 2020-08-26 - 公布日： 2021-05-14 - 主分类号： B08B3/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及晶片清洗机，包括持取侧、清洗侧以及持取机构，持取机构中具有在持取侧和清洗侧之间移动的持取部，持取部包括底座和多个用于承托晶片的接触点，接触点承托晶片隔开于底座以形成清洗用的间隔，接触点分布设置在底座上，接触点中的部分或全部相对于底座可调节高度，通过调节接触点高度调节所承托晶片的水平度，本实用新型的晶片清洗机的持取机构能够稳定的持取机械臂放下的晶片，防止晶片倾斜、偏心。在一些实施例中，能够通过调节接触点的高度来保持晶片的水平，在移动到清洗侧后，药液能够充分的对晶片进行清洗，整个持取和移动的过程不会产生偏心问题，从而有效的解决了因偏心导致的产能损失。
晶片清洗

[发明专利]天然石灰石中钙、镁含量的检测方法-CN201510429257.3在审
发明人： 姚祖英;詹常书 -专利权人： 姚祖英
申请日： 2015-07-21 - 公布日： 2015-11-18 - 主分类号： G01N21/79 文献下载
摘要：本发明公开了一种天然石灰石中钙、镁含量的检测方法，包括如下步骤：称取2g样品置于烧杯，加水润湿，加入盐酸溶液煮，沸15分钟，冷却至室温，用1+1氨水溶液调节至溶液生成絮状沉淀为止，混匀，用干滤纸过滤，移取25.00mL过滤后的样品溶液，加入50mL水，加入5.0mL三乙醇胺溶液，加入1滴孔雀石绿溶液（1%），采用氢氧化钠（100g/L）溶液调节溶液至蓝绿色消失，加热煮沸，煮沸后继续小火加热约5min，冷却后，加入少量钙指示剂，用EDTA标准溶液滴定至溶液由红色变为蓝色为终点即可；本发明采用孔雀石绿较准确地控制镁沉淀条件pH值、滴定体系终点pH值，方便、快速、准确；加热煮沸并微沸5min，确保镁沉淀的完全；本检测方法简便、快速、测定结果稳定，回收率好。
天然石灰石含量检测方法

[实用新型]氢化物发生、分离装置-CN201520520887.7有效
发明人： 姚祖英 -专利权人： 姚祖英
申请日： 2015-07-18 - 公布日： 2015-11-18 - 主分类号： G01N21/01 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种氢化物发生、分离装置，属于ICP-OES领域，该装置包括柜体（1），蠕动泵（10），柜体（1）内设置雾化器（7），雾化器（7）的一端与进样管（9）相连，雾化器（7）的另一端与雾化室（3）相连；雾化室（3）的上端设置玻璃直管（4），玻璃直管（4）顶端外侧处设置环形加热管（5），雾化室（3）下端相连排液管（2），排液管（2）与废液管线（8）相连；废液管线（8）、进样管（9）固定于蠕动泵（10）上；本实用新型利用现有条件，自行设计、组建了氢化物发生、分离装置，结构简单、气液分离效率高，稳定性好，该装置无需增加过多设备，拆、装方便，实现氢化元素的检测，可代替氢化物专用发生装置，节约实验室实验成本。
氢化物发生分离装置

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