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[发明专利]REBCO高温超导块体材料的制备方法-CN201210027806.0无效
发明人：姚忻;颜士斌;程玲;李天宇 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2012-02-08 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： C04B35/622 文献下载
摘要：本发明涉及一种REBCO高温超导块体材料的制备方法，特别涉及REBCO高温超导块体材料的熔融织构生长方法。REBCO高温超导块体材料的熔融织构生长方法，包括以下工序：a)原料的配料混合；b)研磨、煅烧处理，得到超导材料粗坯；c)压片；d)灼烧；e)冷却，得到REBCO高温超导块体材料；工序e)冷却包括以下步骤：e1)降温至缓冲温度区间，保温；e2)降温至生长温度，保温；e3)淬火。本发明解决了现有的熔融织构生长方法从最高温降温至生长温度时产生自发形核，导致REBCO高温超导块体材料生长失败的技术问题。
rebco 高温超导块体材料制备方法

[发明专利]高热稳定性薄膜用作熔融织构法的籽晶制备高温超导块体材料-CN201110060866.8有效
发明人：姚忻;陈媛媛 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2011-03-15 - 公布日： 2011-09-07 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：一种高温超导材料技术领域的高热稳定性薄膜用作熔融织构法的籽晶制备高温超导块体材料，通过将123相稀土元素与211相稀土元素与银元素按照50-60∶25-40∶1-15的摩尔百分比配料后混合，经初步研磨煅烧处理后得到超导材料粗坯，将超导材料粗坯压片后进行灼烧并冷却后得到高温超导材料的籽晶。本发明用低熔点YBCO/LAO种膜织构生长出单畴REBCO块体材料，对具有广泛应用前景的块体材料的研制开发具有重要意义。
高热稳定性薄膜用作熔融织构法籽晶制备高温超导块体材料

[发明专利]基于钕钡铜氧保护层作熔融生长籽晶的超导块材制备方法-CN201010619504.3无效
发明人：姚忻;许恒恒;李天宇 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2010-12-31 - 公布日： 2011-08-31 - 主分类号： C04B35/50 文献下载
摘要：一种超导材料制备技术领域的基于钕钡铜氧保护层作熔融生长籽晶的超导块材制备方法，通过将NdBCO+Ag2O块体材料实验中的NdBCO保护层解理下来作为籽晶；然后将稀土钡铜氧粉料或混合有Ag2O的稀土钡铜氧粉料压块，将籽晶放置在粉料块的顶面上并使NdBCO保护层的(001)面接触粉料块；再把粉料块放入炉中并升温至Tmax＝1080℃后保温1.5小时，然后快速降温到开始温度Ts，以0.3℃/小时的速度，缓慢降温生长10小时，实现超导块材制备。本发明制备过程简易且成本低廉，在生长得到高质量单畴块体材料的同时，能有效降低籽晶使用成本。
基于钕钡铜氧保护层熔融生长籽晶超导制备方法

[实用新型]用于真空沉积系统的侧热台-CN200920319148.6无效
发明人：姚忻;李慧 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2009-12-31 - 公布日： 2010-10-06 - 主分类号： H05B3/06 文献下载
摘要：一种电力加热技术领域的用于真空沉积系统的侧热台，包括：电热盘、热电偶、底座、导热盖、压片和导热面板，其中：导热盖卡接于底座上，电热盘和热电偶分别固定设置于底座内，导热面板固定设置于电热盘的外侧并与受热体相接触，压片的一端固定设置于导热盖上，另一端与受热体相接触。本实用新型解决了传统的固定装置容易受热胀冷缩的影响而卡滞，加热系统低效率、高能耗以及受热体的装卸不便等问题。
用于真空沉积系统侧热台

[发明专利]稀土钡铜氧超导块体材料制备方法-CN200910311896.4无效
发明人：姚忻;李天宇 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2009-12-21 - 公布日： 2010-06-02 - 主分类号： C04B35/622 文献下载
摘要：一种超导材料技术领域的稀土钡铜氧超导块体材料制备方法，包括：将RE123和RE211按照100∶(20～35)的摩尔比组分配料混合后依次进行煅烧研磨处理，将研磨好的粉末分别压制成前驱体底片和前驱体顶片；将前驱体顶片置于前驱体底片顶部，再在前驱体顶片上放置籽晶，然后将前驱体底片放在氧化锆珠衬底上一并置于密封容器中进行升温加热处理，最后经降温冷却处理制成稀土钡铜氧超导块体材料。本发明能够在无杂质且晶格完全匹配的情况下生长取向性好并具有大单畴结构的高性能高温超导块体材料，可以解决高温超导体块材生长和应用的关键问题。
稀土钡铜氧超导块体材料制备方法

[发明专利]以Ba₃Cu₅O_x粉末为流体源制备钇钡铜氧超导块体材料的方法-CN200910048217.9无效
发明人：姚忻;李天宇 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2009-03-26 - 公布日： 2009-09-30 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种以Ba₃Cu₅O_x粉末为流体源制备钇钡铜氧超导块体材料的方法，可实现加工复杂形状YBCO超导块体材料。首先将Y211粉末压制成前驱体片并在其顶部放上SmBCO单晶作籽晶，以Ba₃Cu₅O_x粉末作为流体源，通过顶部籽晶渗透法制备高温超导YBCO块体材料。本发明工艺简单，容易操作，能够在无杂质且晶格完全匹配的情况下生长取向性好并具有大单畴结构的复杂形状高温超导YBCO块体材料，可以解决高温超导体块材生长和应用的关键问题。
ba sub cu 粉末流体制备钇钡铜氧超导块体材料方法

[发明专利]纯氧气氛下稀土钡铜氧超导块体材料的制备方法-CN200910046103.0无效
发明人：姚忻;颜士斌 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2009-02-12 - 公布日： 2009-08-12 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种纯氧气氛下稀土钡铜氧超导块体材料的制备方法，采用纯氧气氛使得RE(Y、Sm、Gd)在Ba-Cu-O熔体中的溶解度增大，通过温度缓降来提供更大的过饱和度，增加生长驱动力，进而加快块体材料的生长速度。按照RE123和适量RE211来进行组分配料，研磨煅烧多次后，压制成前驱体片并在其顶部放上籽晶，通过熔融织构方法制备高温超导REBCO块体材料。本发明工艺简单，提高了块材的生产效率，能够在无杂质且晶格完全匹配的情况下高速生长出高取向性的具有大单畴结构的高温超导REBCO块体材料。
氧气稀土钡铜氧超导块体材料制备方法

[发明专利]用于取向织构测量的高温加热装置-CN200910045765.6无效
发明人：饶群力;李金富;姚忻 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2009-02-05 - 公布日： 2009-07-15 - 主分类号： G01N23/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种测量技术领域的用于取向织构测量的高温加热装置，包括加热炉体、加热元件、样品台、样品架、热电偶、水冷管路、步进电机，加热炉体外部为陶瓷座套，内嵌螺旋筒形加热元件，加热炉体设置在样品台上；样品架放入步进电机内，与加热炉体分离、可在加热炉体中绕自身的轴做转动，样品架下部有水冷管路，它平行样品下表面盘绕形成冷却平面；加热炉体中有热电偶。本发明在加热过程中，样品可以转动，保证了样品的受热均匀；同时这种转动与通常的织构测量中的φ转动相一致，可以保证在高温条件下进行织构测量；此外加热炉整体在织构测量台架上，这样还可以完成应力侧倾法的ψ转动，从而可以进行高温应力测量。
用于取向测量高温加热装置

[发明专利]稀土242相控制组分生长超导块材的方法-CN200810037418.4无效
发明人：姚忻;孙立杰;黄宜斌;程玲 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2008-05-15 - 公布日： 2008-12-10 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种稀土242相控制组分生长超导块材的方法，在前驱体中添加轻稀土242(LRE₂Ba₄Cu₂O₉，LRE＝Nd，Sm等)相粉末来控制组分，先按比例将研磨烧结后的LRE123和LRE242粉末混合研磨，压制成前驱体片，然后在其顶部放上相应的籽晶，通过熔融织构方法制备LRE－BCO块体材料。本发明采用富钡的稀土242相粉末在高温熔融状态下可以调整熔体组分，有效抑制包晶反应过程中出现的轻稀土元素和钡元素的替代情况，提高制备的轻稀土钡铜氧超导体的超导转变温度和其它性能。
稀土 242 控制组分生长超导方法

[发明专利]45°稀土钡铜氧薄膜籽晶高速生长超导块材的方法-CN200810037417.X无效
发明人：姚忻;孙立杰;许雪芹 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2008-05-15 - 公布日： 2008-12-10 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种45°稀土钡铜氧薄膜籽晶高速生长超导块材的方法，采用面内取向为45°四对称结构的稀土钡铜氧(REBCO)薄膜作籽晶，通过冷籽晶法同质外延生长高温超导REBCO块体材料。该种膜材料在单晶氧化镁基板上过热度可达到20K以上，其独特的面内取向则可以显著提高块材的生长速度。按照REBCO和适量RE211来进行组分配料，研磨煅烧多次后，压制成前驱体片并在其顶部放上相应的长条形REBCO薄膜作籽晶，通过熔融织构方法制备REBCO块体材料。本发明工艺简单，提高了块材的生产效率，能够在无杂质且晶格完全匹配的情况下高速生长出高取向性的具有大单畴结构的高温超导REBCO块体材料。
45 稀土钡铜氧薄膜籽晶高速生长超导方法

[发明专利]微量稀土元素掺杂钇钡铜氧超导块体材料的制备方法-CN200810038200.0无效
发明人：姚忻;许雪芹;蔡衍卿 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2008-05-29 - 公布日： 2008-10-08 - 主分类号： C04B35/50 文献下载
摘要：本发明涉及一种微量稀土元素掺杂钇钡铜氧超导块体材料的制备方法，采用具有较高熔点、溶解度和溶解度温度系数的稀土元素RE部分取代Y，提高块材的生长速度。由于(Y，RE)BCO体系中RE的分配系数大于1，使得T_p梯度分布，克服了大尺寸块材生长过程中的自发形核问题，可快速生长高质量的准单畴结构。按照(Y，RE)123和适量Y211来进行组分配料，研磨煅烧多次后，压制成前驱体片并在其顶部放上SmBCO作籽晶，通过熔融织构方法制备高温超导YBCO块体材料。本发明工艺简单，提高了块材的生产效率，能够在无杂质且晶格完全匹配的情况下高速生长出高取向性的具有大单畴结构的高温超导Y，BCO块体材料。
微量稀土元素掺杂钇钡铜氧超导块体材料制备方法

[发明专利]电磁分离制备Al/Mg₂Si功能梯度材料的方法-CN200810032733.8无效
发明人：葛超;刘冬;姚忻 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2008-01-17 - 公布日： 2008-08-06 - 主分类号： B22D27/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种电磁分离制备Al/Mg₂Si功能梯度材料的方法，步骤为：第一步，将铸型放在电磁铁两极中间，并将两个直流电极插入铸型中；第二步，开通电磁铁电源，使电磁铁产生磁场，将过共晶Al/Mg₂Si合金熔体浇入铸型中，并同时开通直流电源，使过共晶Al/Mg₂Si合金熔体中产生直流电流；第三步，在电磁场和直流电流的影响下，过共晶Al/Mg₂Si合金熔体中的初生相将受到电磁挤压力的作用而迁移，当合金完全凝固时，切断电磁铁电源和直流电源，取出即得到Al/Mg₂Si功能梯度材料。本发明通过电磁分离技术，所制备的Al/Mg₂Si功能梯度材料梯度分布明显，具有较高的质量，同时，制备方法简单，生产成本低。
电磁分离制备 al mg sub si 功能梯度材料方法

[发明专利]氧气氛控制钇钡铜氧超导厚膜面内取向生长的制备方法-CN200710041485.9无效
发明人：姚忻;蔡衍卿 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2007-05-31 - 公布日： 2008-01-23 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种氧气氛控制钇钡铜氧超导厚膜面内取向生长的制备方法，利用液相外延生长装置，在纯氧气氛中制备YBCO厚膜。按Ba/Cu原子比为0.5－0.7的比例配置Ba－Cu－O粉末，经研磨煅烧后放在Y₂O₃坩埚内加热熔化，得到Y－Ba－Cu－O熔体。将密闭熔炉里的气氛环境改变为纯氧气氛，并将熔体温度调整到低于YBCO包晶熔化温度10－30K，以具有八重对称性的钇钡铜氧薄膜为种膜，液相外延生长得到高结晶品质的具有纯45°面内取向的钇钡铜氧超导厚膜。本发明通过气氛环境中氧含量的改变，使原本只能制备纯0°面内取向YBCO厚膜的液相外延过程，在较宽的温度范围内能得到具有纯45°面内取向的YBCO厚膜。
氧气控制钇钡铜氧超导厚膜面内取向生长制备方法

[发明专利]稀土钡铜氧薄膜作籽晶同质外延生长超导块体材料的方法-CN200610117888.2无效
发明人：姚忻;汤晨毅;孙立杰 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2006-11-02 - 公布日： 2007-05-30 - 主分类号： C30B17/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种稀土钡铜氧薄膜作籽晶同质外延生长超导块体材料的方法，通过冷籽晶法生长高温超导REBCO，采用沉积在单晶基板上的REBCO薄膜作种膜，该薄膜材料在单晶氧化镁基板上的熔化温度比同种REBCO材料的粉末或块材高10K以上且能够保持长时间不熔化。按照REBCO和适量添加RE211来进行组分配料，研磨煅烧多次后，压制成前驱体片并在其顶部放上相应的REBCO薄膜作籽晶，通过熔融织构获得REBCO块体材料。本发明工艺简单，能够在无杂质且晶格完全匹配的情况下生长取向性好并具有大单畴结构的高温超导REBCO块体材料。
稀土钡铜氧薄膜籽晶同质外延生长超导块体材料方法

[发明专利]a轴取向的钇钡铜氧超导厚膜的氧气氛控制制备方法-CN200610117890.X无效
发明人：姚忻;蔡衍卿 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2006-11-02 - 公布日： 2007-05-30 - 主分类号： C30B17/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种a轴取向的钇钡铜氧YBCO超导厚膜的氧气氛控制制备方法，利用液相外延生长装置，在纯氧气氛中得到高结晶品质的a轴取向的YBCO厚膜。按照3∶5的钡铜原子比例配置Ba－Cu－O粉末，经研磨煅烧后，放在Y₂O₃坩埚内加热熔化，得到Y－Ba－Cu－O熔体。将密闭熔炉里的气氛环境改变为100％的纯氧气氛，并且把坩埚内熔体温度调整到低于YBCO包晶熔化温度5－20K，在取向为(110)的单晶镓酸钕基片上液相外延得到高质量的a轴YBCO厚膜。本发明仅仅通过气氛环境中氧含量的改变，使得在原本处于大气环境下不适合a轴取向厚膜生长的3∶5熔体环境中能在一个较宽的温度范围内得到a轴YBCO厚膜。
取向钇钡铜氧超导氧气控制制备方法