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- [发明专利]利用单籽晶桥式结构诱导生长REBCO超导块材的方法-CN202110711199.9有效
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姚忻;朱彦涵
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上海交通大学
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2021-06-25
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2022-05-13
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C30B29/22
- 本发明提供一种利用单籽晶桥式结构诱导生长REBCO超导块材的方法，包括以下步骤：配制RE123和RE211纯相粉末，按照RE123+30mol％RE211+1wt％CeO2的组分配料，充分碾磨混合均匀，得到前驱粉料；根据模具直径不同，将所述粉料称取合适质量，放入模具，压制成圆柱形状的籽晶桥1个、缓冲层2～3个和前驱体1个；将籽晶、籽晶桥、缓冲层、前驱体从上至下依次放置；所述籽晶、所述籽晶桥、所述缓冲层构成单籽晶桥式结构；其中，所述籽晶放置在所述籽晶桥的上表面中心，所述籽晶桥搭设在所述缓冲层上方，所述缓冲层沿所述籽晶[110]晶向排列成一列；将所述放置好的前驱体连同和所述单籽晶桥式结构置于生长炉中进行顶部籽晶熔融织构生长，以实现(110)∥(110)取向诱导生长REBCO超导块材。
- 利用籽晶结构诱导生长rebco超导方法
- [发明专利]用于REBCO超导体块材再生长的方法-CN202010962064.5有效
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姚忻;朱彦涵;黄思敏;万炎
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上海交通大学
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2020-09-14
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2021-12-28
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C30B29/22
- 本发明提供一种用于REBCO超导体块材再生长的方法，包括以下步骤：步骤一，将空的管式炉升温到极高温度并保温；步骤二，将低性能的REBCO超导体块材快速放入高温的管式炉内进行热处理；步骤三，对上述热处理后的REBCO超导体块材进行顶面磨平处理；步骤四，将顶面磨平处理后的上述REBCO超导体块材置于生长炉中进行顶部籽晶熔融织构生长，实现低性能REBCO超导体块材的再生长。本发明强调了先对炉体升温后放入块材的热处理工艺步骤，将低性能的REBCO块材预先经过快速升温熔融的处理。该高温不受籽晶热稳定性的限制，可以促进低性能REBCO块材中组分的瞬间分解以及形核，以达到高温相Y2O3颗粒细小化的作用，有利于再生长后REBCO块材性能的提高，操作简单，经济高效。
- 用于rebco超导体再生方法
- [发明专利]一种制备具有两种a轴晶粒的c轴YBCO高温超导厚膜的方法-CN201810824851.6有效
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姚忻;万炎;钱俊;黄思敏
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上海交通大学
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2018-07-25
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2020-12-25
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C30B29/22
- 本发明公开了一种制备具有两种a轴晶粒的c轴YBCO高温超导厚膜的方法，包括步骤：1)将BaCO3粉末和CuO粉末进行配料并烧结，制得Ba‑Cu‑O粉末；2)将Ba‑Cu‑O粉末加入到Y2O3坩埚中加热至高温待其充分融化后，向其中加入重量固定的Ba‑Cu‑O粉末并通过长期的保温，获得初始状态恒定的Y‑Ba‑Cu‑O溶液；3)在高温溶液中加入重量固定的Ba‑Cu‑O粉末，通过改变Ba‑Cu‑O粉末的熔化时间△tm来调节欠过饱和度的中间状态Uint，使溶液的状态达到Uint2；4)将溶液降温至第二温度；5)将固定在连接杆的籽晶材料插入到步骤4)中生长5～15s。本发明通过精细地调节溶液过饱和度，使Y‑Ba‑Cu‑O溶液在亚稳区准确的达到指定的过饱和度的状态，生长得到具有两种a轴晶粒的c轴YBCO高温超导厚膜，工艺简单，操作方便。
- 一种制备具有晶粒ybco高温超导方法
- [发明专利]一种制备钙掺杂YBCO高温超导单晶体的方法-CN201810939190.1有效
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姚忻;钱俊;万炎;黄思敏;尹伊倩
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上海交通大学
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2018-08-17
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2020-11-27
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C30B29/22
- 本发明公开了一种用于制备钙掺杂钇钡铜氧高温超导单晶体的方法，包括步骤：(a)将BaCO3粉末和CuO粉末按照一定比例进行配料、湿磨和烧结，获得BaxCuyOZ粉末；(b)将BaxCuyOZ粉末、氧化钇以及氧化钙加入到钙稳定的氧化锆(CaSZ)坩埚中加热至第一温度，并继续保温，获得Ca‑Y‑Ba‑Cu‑O溶液，再冷却至第二温度；(c)使用YBCO/MgO薄膜作为籽晶，在第二温度的Ca‑Y‑Ba‑Cu‑O溶液保温生长50～100小时。本发明开创性地引入了CaSZ坩埚，不仅解决了Ca‑Y‑Ba‑Cu‑O溶液对于传统的氧化钇坩埚浸润性强、Ca‑Y‑Ba‑Cu‑O溶液液体流失严重的问题，而且CaSZ坩埚可以持续不断地提供生长过程中被消耗的Ca元素，获得高钙含量、均匀掺杂钇钡铜氧单晶体。
- 一种制备掺杂ybco高温超导单晶体方法
- [发明专利]利用片状REBCO单晶生长REBCO块材的方法-CN201510991793.2有效
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姚忻;相辉;崔祥祥;钱俊;刘艳;潘彬
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上海交通大学
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2015-12-25
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2019-01-11
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C30B29/22
- 本发明提供了一种利用片状REBCO单晶生长REBCO块材的方法，包括如下工序：a)制备RE123相、RE211相的粉末；b)使用片状REBCO晶体作为籽晶，按RE123+(15～30)mol％RE211+(0.3～1.5)wt％CeO2的配比制备嵌入式籽晶的前驱体；c)将所述嵌入式籽晶的前驱体置于生长炉中进行熔融织构法生长块材；其中，所述片状REBCO晶体是通过沿a‑b面解离REBCO单晶而获得；所述片状REBCO晶体沿c轴方向的厚度为0.05mm～2mm，沿a‑b面的尺寸为2mm×2mm～10mm×10mm。本发明提供一种低成本、制备简单、成品率高的REBCO籽晶材料，基于熔融织构法制备生长REBCO高温超导块材，以满足科研和实际工业化生产的需求。
- 利用片状rebco生长方法
- [发明专利]一种生长REBCO高温超导块材的方法-CN201510593269.X有效
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姚忻;相辉;潘彬;崔祥祥;钱俊
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上海交通大学
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2015-09-17
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2017-08-29
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C30B29/22
- 本发明提供一种生长REBCO高温超导块材的方法，包括如下工序a)按照摩尔比BaCu＝23制备Ba2Cu3O5粉末；b)按(0.55～0.8)RE2O3+Ba2Cu3O5+(0.3～1.5)wt％CeO2的配比制备前驱体；c)将所述前驱体置于生长炉中以籽晶诱导熔融织构法生长REBCO高温超导块材；其中，工序b)中的前驱体为工序a)获得的Ba2Cu3O5粉末按(0.55～0.8)RE2O3+Ba2Cu3O5+(0.3～1.5)wt％CeO2的比例混合均匀，压制而成的圆柱形前驱体。本发明在前驱体中直接使用摩尔比BaCu＝23制备的Ba2Cu3O5粉末，而避免制备RE123、RE211粉末，节约了时间和工艺成本，又能够保证在整个生长过程中的各元素配比保持RE123和RE211的摩尔比约等于1(0.1～0.4)，从而获得REBCO高温超导块材。
- 一种生长rebco高温超导方法
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