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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]衬底处理方法及衬底处理装置-CN202310952518.4在审
发明人：吉田幸史;奥谷学;安田周一;金松泰范;上田大;张松;长原达郎;绢田贵史 -专利权人：株式会社斯库林集团;默克专利有限公司
申请日： 2019-05-30 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及衬底处理方法及衬底处理装置。衬底处理方法，其包括：处理液供给工序，向衬底的表面供给具有溶质及溶剂的处理液；处理膜形成工序，使已被供给至前述衬底的表面的前述处理液固化或硬化，在前述衬底的表面形成保持存在于前述衬底表面的去除对象物的处理膜；和剥离工序，向前述衬底的表面供给剥离液，将前述处理膜与前述去除对象物一同从前述衬底的表面剥离，前述剥离工序包括：贯通孔形成工序，使前述处理膜部分地溶解于前述剥离液而在前述处理膜上形成贯通孔。
衬底处理方法装置

[发明专利]衬底处理方法及衬底处理装置-CN201910467689.1有效
发明人：吉田幸史;奥谷学;安田周一;金松泰范;上田大;张松;长原达郎;绢田贵史 -专利权人：株式会社斯库林集团;默克专利有限公司
申请日： 2019-05-30 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及衬底处理方法及衬底处理装置。衬底处理方法包括：处理液供给工序，向具有具备凹凸的图案面的衬底的前述图案面供给处理液；处理膜形成工序，使已被供给至前述图案面的前述处理液固化或硬化，以追随该图案面的凹凸的方式形成保持存在于前述图案面上的去除对象物的处理膜；和除去工序，向前述图案面供给剥离液，将前述处理膜与前述去除对象物一同从前述图案面剥离，在维持前述去除对象物被前述处理膜保持的状态的同时将前述处理膜从前述衬底除去。
衬底处理方法装置

[发明专利]基板处理方法和基板处理装置-CN202310994427.7在审
发明人：吉田幸史;髙桥弘明;尾辻正幸;奥谷学;前田主悦;阿部博史;安田周一;金松泰范 -专利权人：株式会社斯库林集团
申请日： 2018-11-28 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供从基板的上表面良好去除颗粒且使上表面良好干燥的基板处理方法和装置。该基板处理方法包括：第一处理液供给工序，向基板的上表面供给第一处理液；保持层形成工序，使所述第一处理液固化或硬化，在所述基板的上表面形成颗粒保持层；保持层去除工序，将所述颗粒保持层从基板的上表面剥离并去除；液膜形成工序，将所述颗粒保持层从所述基板上去除之后，形成第二处理液的液膜；固化工序，将所述液膜冷却至所述升华性物质的融点以下的温度，使所述液膜在所述基板上固化来形成固体膜；升华工序，使所述固体膜升华来从基板上去除。
处理方法装置

[发明专利]一种基板处理方法和基板处理装置-CN202310969277.4在审
发明人： 奥谷学;髙桥弘明;尾辻正幸;阿部博史;前田主悦;中井仁司;佐佐木悠太 -专利权人：株式会社斯库林集团
申请日： 2018-09-21 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种基板处理方法，包括：混合液膜形成工序，向基板的表面供给混合处理液，在所述基板的表面形成所述混合处理液的液膜，所述混合处理液是将第一升华性物质和与所述第一升华性物质不同的第一添加剂混合而成的混合处理液，且该混合处理液的凝固点低于所述第一升华性物质的凝固点；凝固工序，使所述混合处理液的所述液膜凝固来形成凝固体；以及升华工序，使所述凝固体中所含的所述第一升华性物质升华以从所述基板的表面去除所述第一升华性物质。
一种处理方法装置

[发明专利]基板处理方法及基板处理装置-CN202310815275.X在审
发明人： 奥谷学;阿部博史 -专利权人：株式会社斯库林集团
申请日： 2019-01-24 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种基板处理方法，基板处理方法包括：基板保持工序，利用基板保持用具将基板保持为水平；液膜形成工序，通过向基板的上表面供给处理液，在基板的上表面形成处理液的液膜；液密加热工序，通过向设置在基板与基座之间的加热器单元与基板之间的空间供给热媒来使热媒充满空间，并且通过加热器单元加热热媒；开口形成工序，在通过液密加热工序加热基板使得基板的温度成为处理液的沸点以上的状态下，在基板上的液膜的中央区域形成开口；以及开口扩大工序，一边通过使基座旋转而使基板以沿着铅垂方向的旋转轴线为中心旋转，一边使开口扩展。液密加热工序在开口扩大工序的至少一部分的期间与开口扩大工序并行执行。
处理方法装置

[发明专利]基板处理方法和基板处理装置-CN201811469611.5有效
发明人：吉田幸史;髙桥弘明;尾辻正幸;奥谷学;前田主悦;阿部博史;安田周一;金松泰范 -专利权人：株式会社斯库林集团
申请日： 2018-11-28 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供从基板的上表面良好去除颗粒且使上表面良好干燥的基板处理方法和装置。该基板处理方法包括：第一处理液供给工序，向基板的上表面供给第一处理液；保持层形成工序，使所述第一处理液固化或硬化，在所述基板的上表面形成颗粒保持层；保持层去除工序，将所述颗粒保持层从基板的上表面剥离并去除；液膜形成工序，将所述颗粒保持层从所述基板上去除之后，形成第二处理液的液膜；固化工序，将所述液膜冷却至所述升华性物质的融点以下的温度，使所述液膜在所述基板上固化来形成固体膜；升华工序，使所述固体膜升华来从基板上去除。
处理方法装置

[发明专利]衬底处理方法及衬底处理装置-CN201910464997.9有效
发明人：吉田幸史;奥谷学;安田周一;金松泰范;上田大;张松;长原达郎;绢田贵史 -专利权人：株式会社斯库林集团;默克专利有限公司
申请日： 2019-05-30 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及衬底处理方法及衬底处理装置。衬底处理方法，其包括：处理液供给工序，向衬底的表面供给具有溶质及溶剂的处理液；处理膜形成工序，使已被供给至前述衬底的表面的前述处理液固化或硬化，在前述衬底的表面形成保持存在于前述衬底表面的去除对象物的处理膜；和剥离工序，向前述衬底的表面供给剥离液，将前述处理膜与前述去除对象物一同从前述衬底的表面剥离，前述剥离工序包括：贯通孔形成工序，使前述处理膜部分地溶解于前述剥离液而在前述处理膜上形成贯通孔。
衬底处理方法装置

[发明专利]一种基板处理方法和基板处理装置-CN201811110408.9有效
发明人： 奥谷学;髙桥弘明;尾辻正幸;阿部博史;前田主悦;中井仁司;佐佐木悠太 -专利权人：株式会社斯库林集团
申请日： 2018-09-21 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种基板处理方法，包括：处理液膜形成工序，向基板的图案形成面供给含有升华性物质的处理液，在所述图案形成面形成处理液膜；温度保持工序，将形成于所述图案形成面的所述处理液膜的温度保持在所述升华性物质的熔点以上且小于所述升华性物质的沸点的温度范围内；薄膜化工序，在所述处理液膜的温度处于所述温度范围内的期间使所述处理液膜变薄；凝固工序，在所述温度保持工序之后，使通过所述薄膜化工序变薄的所述处理液膜在所述图案形成面上凝固而形成所述升华性物质的凝固体；以及升华工序，使所述凝固体升华而从所述图案形成面去除所述凝固体。
一种处理方法装置

[发明专利]基板处理方法以及基板处理装置-CN201811447638.4有效
发明人：吉田幸史;奥谷学;阿部博史;安田周一;金松泰范;中井仁司 -专利权人：株式会社斯库林集团
申请日： 2018-11-29 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种基板处理方法以及基板处理装置。基板处理方法包括：第一处理液供给工序，向上述基板的上表面供给第一处理液；保持层形成工序，使上述第一处理液固化或硬化，在上述基板的上表面形成颗粒保持层；保持层去除工序，将上述颗粒保持层从上述基板的上表面剥离并去除；液膜形成工序，在将上述颗粒保持层从上述基板上除去后，形成第二处理液的液膜；气相层形成工序，在上述基板的上表面与上述液膜之间形成保持上述液膜的气相层；以及液膜排除工序，通过使上述液膜在上述气相层上移动，将上述第二处理液从上述基板的上表面排除。
处理方法以及装置

[发明专利]基板处理方法及基板处理装置-CN201910066183.X有效
发明人： 奥谷学;阿部博史 -专利权人：株式会社斯库林集团
申请日： 2019-01-24 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种基板处理方法，基板处理方法包括：基板保持工序，利用基板保持用具将基板保持为水平；液膜形成工序，通过向基板的上表面供给处理液，在基板的上表面形成处理液的液膜；液密加热工序，通过向设置在基板与基座之间的加热器单元与基板之间的空间供给热媒来使热媒充满空间，并且通过加热器单元加热热媒；开口形成工序，在通过液密加热工序加热基板使得基板的温度成为处理液的沸点以上的状态下，在基板上的液膜的中央区域形成开口；以及开口扩大工序，一边通过使基座旋转而使基板以沿着铅垂方向的旋转轴线为中心旋转，一边使开口扩展。液密加热工序在开口扩大工序的至少一部分的期间与开口扩大工序并行执行。
处理方法装置

[发明专利]基板处理方法以及基板处理装置-CN201810203165.7有效
发明人：小林健司;奥谷学 -专利权人：斯克林集团公司
申请日： 2015-03-25 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供能抑制或防止图案的倒塌并使基板的表面良好地干燥的基板处理方法及装置。该方法包括：有机溶剂置换工序，将表面张力比在保持为水平姿势的基板的上表面附着的冲洗液的表面张力低的液体的有机溶剂向基板的上表面供给，以在基板上形成覆盖基板的上表面的有机溶剂的液膜，利用有机溶剂置换冲洗液；基板高温化工序，在形成有机溶剂的液膜后，使基板的上表面到达比有机溶剂的沸点更高的规定的第一温度，由此，在有机溶剂的液膜的整个区域，在有机溶剂的液膜和基板的上表面之间形成有机溶剂的蒸发气体膜，并且使有机溶剂的液膜浮起在有机溶剂的蒸发气体膜的上方；有机溶剂排除工序，将浮起的有机溶剂的液膜从基板的上表面的上方排除。
处理方法以及装置

[发明专利]基板处理装置-CN201810159654.7有效
发明人：阿部博史;奥谷学;太田乔;吉原直彦 -专利权人：株式会社斯库林集团
申请日： 2018-02-26 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明的目的在于，在加热器与附着有处理液的基板的下表面接触加热时防止基板弯曲，从而能够均匀地加热基板的整个面。基板处理装置(1)的旋转基座(21)具备把持基板W的周缘的多个卡盘销(20)。加热器主体(60)配置在旋转基座(21)与由卡盘销(20)把持的基板(W)之间。在加热器主体(60)的上表面设置有多个气体嘴(61)。气体嘴(61)与非活性气体供给机构(68)和抽吸机构(69)连通，通过从气体嘴(61)喷出非活性气体来防止向加热器主体(60)下落的处理液进入气体嘴(61)，通过由气体嘴(61)抽吸能够使基板(W)均匀地吸附于加热器主体(60)的上表面。由此，防止基板弯曲，从而能够均匀地加热基板的整个面。
处理装置

[发明专利]基板处理装置-CN201810131309.2有效
发明人：吉原直彦;小林健司;奥谷学 -专利权人：斯克林集团公司
申请日： 2015-02-26 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种基板处理装置以及基板处理方法，能够一边对基板进行加热一边使基板的上表面相对于水平面倾斜，并且，从基板的上方顺利且完全地排除有机溶剂等的处理液的液膜。基板处理装置具有一边对基板进行支撑一边对基板从下方进行加热的基板加热单元和使基板加热单元的姿势在水平姿势和倾斜姿势之间变更的姿势变更单元。在紧接着对基板加热的基板高温化工序执行的有机溶剂排除工序中，通过使基板加热单元的姿势变更为倾斜姿势，来使基板的上表面相对于水平面倾斜。
处理装置

[发明专利]基板处理装置-CN201810131287.X有效
发明人：吉原直彦;小林健司;奥谷学 -专利权人：斯克林集团公司
申请日： 2015-02-26 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种基板处理装置以及基板处理方法，能够一边对基板进行加热一边使基板的上表面相对于水平面倾斜，并且，从基板的上方顺利且完全地排除有机溶剂等的处理液的液膜。基板处理装置具有一边对基板进行支撑一边对基板从下方进行加热的基板加热单元和使基板加热单元的姿势在水平姿势和倾斜姿势之间变更的姿势变更单元。在紧接着对基板加热的基板高温化工序执行的有机溶剂排除工序中，通过使基板加热单元的姿势变更为倾斜姿势，来使基板的上表面相对于水平面倾斜。
处理装置

[发明专利]基板干燥方法和基板处理装置-CN201810858082.1有效
发明人： 奥谷学;菊本宪幸;吉原直彦;阿部博史 -专利权人：株式会社斯库林集团
申请日： 2018-07-31 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种基板干燥方法和基板处理装置，所述基板干燥方法使具有图案的基板的表面干燥，其中，所述基板干燥方法包括：升华剂液膜配置工序，在所述基板的所述表面配置液体的升华剂的液膜；高蒸汽压液体配置工序，在配置于所述基板的所述表面的升华剂的液膜之上配置具有比所述升华剂高的蒸汽压且不含水的高蒸汽压液体的液膜；气化冷却工序，伴随高蒸汽压液体的气化夺走气化热使升华剂冷却，由此，使所述升华剂的液膜固化在所述基板的所述表面形成升华剂膜；以及升华工序，使所述升华剂膜升华。
干燥方法处理装置

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