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- [发明专利]测试程序开发方法、系统及电子设备-CN202310226067.6在审
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李振贤;徐永传
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天钰科技股份有限公司
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2023-03-10
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2023-07-14
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G06F11/36
- 本申请公开了一种测试程序开发方法、系统及电子设备，通过将测试文本转换为符合仿真验证平台的格式的测试档案，根据测试档案在仿真验证平台中构建测试环境，在测试环境中对测试项目进行仿真验证，采用标准化编译语言编译验证通过的测试文本，获得标准化测试文本，并将标准化测试文本转换为测试程序。因此，能够确保所用的测试文本是正确的，保证编译的标准化测试文本的正确性，从而提高由标准化测试文本转换的测试程序的正确性，防止电路设计人员和测试程序开发人员反复修正测试文本而耗费大量时间，以及防止人工确认测试文本产生遗漏，既能提高测试程序的正确性，又能够提高测试程序的开发效率以及降低人力成本。
- 测试程序开发方法系统电子设备
- [发明专利]带差参考电路和同时产生参考电压及参考电流的方法-CN202211622513.7在审
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王维德
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天钰科技股份有限公司
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2022-12-16
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2023-07-07
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G05F1/56
- 本申请提供一种带差参考电路，包括：公共电路、电流补偿电路、电压锁定电路、及镜像电路。公共电路包括从一输出端依次串联的第一电阻、第二电阻以及第一晶体管，第一晶体管的发射极与第二电阻连接于电流补偿端，第二电阻与第一电阻连接于电压锁定端，输出端用于输出参考电压。镜像电路的第一支路与输出端连接，用于提供并联电流，镜像电路的第二支路用于输出参考电流；参考电流等于并联电流或与并联电流成比例。电流补偿电路用于使电流补偿电路上产生的电流与公共电路上产生的电流具有相反的温度系数；电压锁定电路用于使第二电阻两端的电压差与第一晶体管的发射极的电压具有相反的温度系数。本申请还提供一种同时产生参考电压及参考电流的方法。
- 参考电路同时产生电压电流方法
- [发明专利]运算放大电路及具有运算放大电路的显示装置-CN201910897266.3有效
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林崑宗
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天钰科技股份有限公司
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2019-09-23
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2022-07-01
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G05F1/46
- 一种运算放大电路包括前置运算放大模块、输出运算放大模块及输出模块。前置运算放大模块用于接收第一输入电压和第二输入电压，并根据所述第一输入电压和所述第二输入电压输出驱动电流。输出运算放大模块根据所述驱动电流输出动态偏置电压。输出模块用于根据所述动态偏置电压产生输出电压。输出运算放大模块还接收控制电压并侦测动态偏置电压。在动态偏置电压低于预定电压时，根据控制电压将动态偏置电压进行上拉；在动态偏置电压高于预定电压时，根据控制电压将动态偏置电压进行下拉。控制电压的大小与动态偏置电压的上拉速度和下拉速度呈正比。本发明还提供了一种具有运算放大电路的显示装置。
- 运算放大电路具有显示装置
- [发明专利]放大电路-CN202011138404.9在审
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黄柏文;卓均勇
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天钰科技股份有限公司
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2020-10-22
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2021-03-19
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G09G3/20
- 本发明提供一种放大电路，包括：输入放大模块，具有第一输出端和第二输出端；输出放大模块，具有第一输入端、第二输入端及一输出端；以及过冲抑制模块，过冲抑制模块电连接输入放大模块的第一输出端和第二输出端、输出放大模块的第一输入端、第二输入端和输入端，用于根据输出放大模块的输出端的电压和叠接偏压电路电压控制输入放大模块的第一输出端和第二输出端的电压在预设范围内；过冲抑制模块包括叠接偏压电路和Wide‑Swing钳位电路，Wide‑Swing钳位电路分别与叠接偏压电路的两端电连接，偏压电路用于接收偏压信号，Wide‑Swing钳位电路用于根据偏压信号及输出放大模块的输出端的信号控制过冲抑制模块处于导通或开路状态。
- 放大电路
- [发明专利]多相位延迟锁定回路-CN201410603484.9有效
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李天健;郑又文
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天钰科技股份有限公司
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2014-10-31
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2018-11-02
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H03L7/06
- 一种多相位延迟锁定回路，包括第一延迟锁定回路、时脉边缘合成电路、第二延迟锁定回路、复制延迟电路以及逻辑选择电路。该第一延迟锁定回路将一输入的具有一第一时脉周期的第一时脉信号切分成N个相位延迟单元。时脉边缘合成电路将第一时脉信号当前时脉周期的第一个相位与下一时脉周期的第二个相位之间的信号合成为一第二时脉信号。该第二延迟锁定回路将第二时脉信号的第二时脉周期切分为N个相位延迟单元。逻辑选择电路选择第一延迟锁定回路以及复制延迟电路的时间延迟量。第一延迟锁定回路以第一延迟单元对第一时脉信号进行相应的相位延迟，及该复制延迟电路复制第二延迟单元对第一延迟锁定回路输出的第一时脉信号进行相应的相位延迟。
- 多相延迟锁定回路
- [发明专利]半导体电容及具有该半导体电容的半导体装置-CN201210426774.1有效
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杨俊平;张大鹏
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天钰科技股份有限公司
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2012-10-31
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2018-05-22
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H01L29/92
- 本发明涉及一种半导体电容及具有该半导体电容的半导体装置。该半导体电容包括：下电极板，该下电极板包括电容井区及设置于该电容井区上的扩散区，该电容井区与该扩散区均具有第一导电型，且该扩散区的掺杂浓度高于该电容井区的掺杂浓度；绝缘层，该绝缘层设置于该下电极板上；及上电极板，该上电极板设置于该绝缘层上；其中，该电容井区包括第一子井区，该第一子井区至少为该电容井区的部分区域，该第一子井区的掺杂浓度达到一预定掺杂浓度，以使得该半导体电容的最大电容值与最小电容值之差值占该最大电容值的百分比不超过70%。该半导体电容以及具有该半导体电容的半导体装置的工作性能较好。
- 半导体电容具有装置
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