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[发明专利]一种铌酸锂薄膜电光调制器芯片以及调制器-CN202010294395.6有效
发明人：李萍 -专利权人： 天津领芯科技发展有限公司
申请日： 2020-04-15 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： G02F1/035 文献下载
摘要：本发明公开了一种铌酸锂薄膜电光调制器芯片，通过将Y分支波导、射频调制部分的波导光路、偏压控制部分的波导光路在空间上进行分隔，并使用90°弯曲波导将上述波导光路进行连接，可以显著地缩短铌酸锂薄膜电光调制器芯片的长度；另外，还提供了一种铌酸锂薄膜电光调制器，将作为光学输入端口和输出端口的光纤放置于铌酸锂薄膜电光调制器芯片的同一侧，并且将电光调制器件的光纤端口保护结构放置于器件的同一侧，可以有效地缩短铌酸锂薄膜电光调制器的总长度。
一种铌酸锂薄膜电光调制器芯片以及

[发明专利]一种铌酸锂薄膜光波导结构、芯片及其制备方法-CN202010399608.1在审
发明人：李萍 -专利权人： 天津领芯科技发展有限公司
申请日： 2020-05-12 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本发明公开了一种铌酸锂薄膜光波导结构、芯片及其制备方法，其中，铌酸锂薄膜光波导结构，包括下包层、薄膜基板和上包层，下包层形成于基底晶片的上方，薄膜基板放置于下包层的上方；还包括下述结构中的一种：第一：薄膜基板的上表面形成有脊形结构，脊形结构为在薄膜基板的上表面形成得到的凸起结构；上包层由形成于脊形结构的左侧、右侧以及上方的介质材料构成；第二：薄膜基板进行完全的刻蚀处理，形成独立的薄膜基板芯层，薄膜基板芯层放置于下包层的上方，上包层由形成于薄膜基板芯层的左侧、右侧以及上方的介质材料构成。本申请结构能够降低光波导的折射率差，减少高阶光波模式在铌酸锂薄膜光波导中的存在，并增大光波模式的空间分布尺寸。
一种铌酸锂薄膜波导结构芯片及其制备方法

[实用新型]混合集成光电芯片以及光调制器、光纤陀螺-CN202120470654.6有效
发明人：杨旭;李萍;刘丹;刘昆雨 -专利权人： 天津领芯科技发展有限公司
申请日： 2021-03-04 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： G02F1/03 文献下载
摘要：本发明公开了一种混合集成光电芯片以及光调制器、光纤陀螺，所述混合集成光电芯片，包括具有线性电光效应的电光晶体基板和PLC光波导基板，所述电光晶体基板的光波导端面与PLC光波导基板的光波导端面连接；所述具有线性电光效应的电光晶体基板形成有用于光波传输和相位调制的波导和调制电极，所述调制电极的位置与用于相位调制的波导的位置相匹配；所述PLC光波导基板形成有用于光波分束与合束功能的波导。本发明提供的混合集成光电芯片以及基于此的光调制器可以有效地减少第一Y分支处产生的非对称模式光波向第二Y分支的重新耦合及其在电光晶体中的相位调制器中形成的寄生相位差，有利于提升干涉型光纤陀螺的零偏稳定性。
混合集成光电芯片以及调制器光纤陀螺

[发明专利]一种直波导相位调制器、集成组件及制备方法-CN202010103068.8在审
发明人：李萍 -专利权人： 天津领芯科技发展有限公司
申请日： 2020-02-19 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： G01R15/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种直波导相位调制器、集成组件及制备方法，采用双折射效应更小的钽酸锂晶体作为直波导相位调制器的基底晶体，正交偏振光波的光程差更小、偏振相关的传输损耗和耦合损耗更低。另外，将具有起偏器和耦合器功能的Y分支波导耦合器与直波导相位调制器集成在同一块钽酸锂晶片上。基于该集成组件的光纤电流互感器系统的可靠性更高、装配复杂程度更低、制造成本更低。
一种波导相位调制器集成组件制备方法

[实用新型]一种光电集成器件及光纤陀螺仪-CN202022420703.3有效
发明人：杨旭;李萍;刘丹 -专利权人： 天津领芯科技发展有限公司
申请日： 2020-10-27 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： G01C19/72 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种光电集成器件及光纤陀螺仪，其中，光电集成器件包括：调制器芯片、光学晶体元件以及输入光纤、输出光纤、光电探测器、封装外壳，所述调制器芯片和光电探测器设置于所述封装外壳内。本实用新型所提供的光电集成器件可以有效地提升光纤陀螺仪各光电元器件的集成度、简化光纤陀螺仪的光路装配工艺，操作难度低、良品率高、生产成本低。此外，本实用新型所提供的光电集成器件减少了2个光纤熔接点，即Y波导调制器与光纤耦合器之间的光纤熔接点、光电探测器与光纤耦合器之间的光纤熔接点，可以有效地提升基于该光电集成器件的光纤陀螺仪的可靠性。
一种光电集成器件光纤陀螺仪

[发明专利]混合集成光电芯片以及光调制器、光纤陀螺-CN202110241449.7在审
发明人：杨旭;李萍;刘丹;刘昆雨 -专利权人： 天津领芯科技发展有限公司
申请日： 2021-03-04 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： G02F1/03 文献下载
摘要：本发明公开了一种混合集成光电芯片以及光调制器、光纤陀螺，所述混合集成光电芯片，包括具有线性电光效应的电光晶体基板和PLC光波导基板，所述电光晶体基板的光波导端面与PLC光波导基板的光波导端面连接；所述具有线性电光效应的电光晶体基板形成有用于光波传输和相位调制的波导和调制电极，所述调制电极的位置与用于相位调制的波导的位置相匹配；所述PLC光波导基板形成有用于光波分束与合束功能的波导。本发明提供的混合集成光电芯片以及基于此的光调制器可以有效地减少第一Y分支处产生的非对称模式光波向第二Y分支的重新耦合及其在电光晶体中的相位调制器中形成的寄生相位差，有利于提升干涉型光纤陀螺的零偏稳定性。
混合集成光电芯片以及调制器光纤陀螺

[发明专利]一种铌酸锂薄膜电光调制器-CN202010032143.6在审
发明人：李萍 -专利权人： 天津领芯科技发展有限公司
申请日： 2020-01-13 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： G02F1/03 文献下载
摘要：本发明公开了一种铌酸锂薄膜电光调制器，铌酸锂薄膜光学波导的输入端和输出端放置于铌酸锂薄膜电光调制器芯片的底边，并采用90°弯曲光学波导将铌酸锂薄膜光学波导的输入端和输出端分别和调制区光学波导相连。其次，调制区域的共面行波电极与电极输入端口或电极输出端口的连接只通过一段过渡电极，无90°转弯过渡电极。该创新结构一方面可以将输入光纤和输出光纤放置于电光调制器管壳的底边以进一步减小电光调制器的长度，另一方面可以减少行波电极中的90°转弯过渡电极引起的微波信号损耗，有利于提升电光调制器调制带宽。
一种铌酸锂薄膜电光调制器

[发明专利]基于铌酸锂波导光路的集成光学芯片以及集成光学组件-CN202010168246.5在审
发明人：魏莲侠 -专利权人： 天津领芯科技发展有限公司
申请日： 2020-03-11 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： G01C19/72 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于铌酸锂波导光路的集成光学芯片以及集成光学组件。本发明提供的集成光学芯片具有导波、起偏、分束、合束、相位调制等多种功能，通过制作成阵列式波导光路实现了三轴光纤陀螺的多个光器件的高度集成，并采用阵列式的光纤耦合结构实现了集成光学芯片的组装。采用本发明提供的方案，三轴光纤陀螺的光器件数量可以大幅减少，提升了三轴光纤陀螺系统的可靠性和总体性能、降低了制造成本和装配难度。本发明提供的集成光学芯片以退火质子交换波导为基础，因而兼具有传统铌酸锂波导器件的光学损耗低、热稳定性高、可靠性高、制备工艺成熟等显著特点，十分有利于提升集成光学组件的工程应用价值。
基于铌酸锂波导集成光学芯片以及组件

[发明专利]光子集成芯片以及干涉型光纤陀螺-CN202010956979.5在审
发明人：杨旭;李萍 -专利权人： 天津领芯科技发展有限公司
申请日： 2020-09-12 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： G01C19/72 文献下载
摘要：本发明公开了一种光子集成芯片以及干涉型光纤陀螺，其中，光子集成芯片，通过光子线路结构可以将波导耦合器、起偏器、模式滤波器、相位调制器等多种光电器件功能在薄膜基板上进行高密度集成，并通过将该光子集成芯片的四个端口放置于芯片同一侧的结构以降低非对称模式和偏振滤波形成的基底辐射模式光波导致的偏振串扰或寄生相位误差，减小其对光纤陀螺系统性能造成的误差影响。其中，干涉型光纤陀螺，通过在光子集成芯片的四个端口分别放置光纤并将其与光源、光电探测器以及光纤环的两个端口分别连接，构成干涉型光纤陀螺的光路结构。
光子集成芯片以及干涉光纤陀螺

[发明专利]一种二氧化硅波导与铌酸锂薄膜垂直耦合的谐振式集成光学陀螺-CN201611127051.6有效
发明人：史云玲;李萍;王宇;逄鹏;孟超;魏喜雯;杨新年;张皓博 -专利权人：黑龙江工业学院;天津领芯科技发展有限公司
申请日： 2016-12-09 - 公布日： 2021-05-14 - 主分类号： G01C19/72 文献下载
摘要：本发明公开了一种二氧化硅波导与铌酸锂薄膜垂直耦合的谐振式集成光学陀螺，包括：基底晶片、下包层、二氧化硅波导环圈、二氧化硅直波导、上包层、铌酸锂薄膜、电光移频器光学波导、电光移频器金属电极、铌酸锂直条光学波导，可将铌酸锂薄膜光学波导中经过电光移频的光波沿垂直方向耦合导入二氧化硅波导环圈中进行角速度测量，将二氧化硅波导环圈低传输损耗、低弯曲损耗的特点与铌酸锂晶体的电光移频功能相结合，既克服了基于二氧化硅波导的集成光学陀螺难以制作集成光学移频器的难题，也解决了基于铌酸锂波导的集成光学陀螺中波导环圈弯曲损耗过大、环圈半径过大的问题，提升了谐振式集成光学陀螺的集成度和实用化价值，适于实现批量生产。
一种二氧化硅波导铌酸锂薄膜垂直耦合谐振集成光学陀螺

[实用新型]一种基于铌酸锂直波导的压力传感器-CN202021517762.6有效
发明人：尹锐;杨旭;罗艳霞;季伟;黄庆捷 -专利权人：山东大学;天津领芯科技发展有限公司
申请日： 2020-07-28 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： G01L1/24 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于铌酸锂直波导的压力传感器，包括保偏光纤、钛扩散工艺制作的铌酸锂直波导、质子交换工艺制作的铌酸锂直波导和输出端普通光纤依次连接，其中，钛扩散工艺制作的铌酸锂直波导和质子交换工艺制作的铌酸锂直波导嵌入铌酸锂包层中，两根铌酸锂单模直波导对接连接。本实用新型的有益效果为：通过集成技术可以将起偏器、传感元件和检偏器集成到铌酸锂晶体上然后进行封装，相较于传统的偏振光压力传感器具有更高的稳定性，并能降低成本。
一种基于铌酸锂直波导压力传感器

[实用新型]一种偏振模式转换器-CN202020614702.X有效
发明人：李萍 -专利权人： 天津领芯科技发展有限公司
申请日： 2020-04-22 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： G02F1/035 文献下载
摘要：本申请涉及一种偏振模式转换器，包括基底晶片、光波导、金属电极、缓冲层薄膜、光纤晶体载块和保偏光纤；光波导形成于基底晶片的表面，且光波导为锌扩散光波导或氧化锌扩散光波导；金属电极放置于光波导的上方；缓冲层薄膜放置于基底晶片与金属电极之间；保偏光纤放置于光纤晶体载块中，并经由光纤晶体载块与光波导耦合连接，解决了现有技术中偏振模式转换器难以适用于激光光功率较高的领域的技术问题的技术问题，达到了具有更高的光损伤阈值，更适合应用于激光光功率高的光路系统以及近红外至可见光波段的光路系统，光波导的偏振相关损耗更低，正交偏振光波形成的干涉光的消光比或对比度更高的技术效果。
一种偏振模式转换器

[实用新型]一种光子对源集成模块-CN202020614736.9有效
发明人：李萍 -专利权人： 天津领芯科技发展有限公司
申请日： 2020-04-22 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：本申请涉及一种光子对源集成模块，包括：光子对源芯片、光纤晶体载块、光纤和温控台；光子对源芯片安装在温控台的表面，光子对源芯片的两侧分别设有一个光纤晶体载块，每一个光纤晶体载块放置有一根光纤，每一根光纤穿过光纤晶体载块与光子对源芯片耦合连接，解决了现有技术中光子对源系统专业要求高、现场组装操作复杂，抗振能力差、温度稳定性差，光路系统可靠度不高，难以满足工程应用的实际环境要求的技术问题，达到了无需现场组装，操作简单，专业要求不高、抗振能力和温度稳定性增强，光路系统的可靠度高，可以满足工程应用的实际环境要求的技术效果。
一种光子集成模块

[实用新型]薄膜电光调制器芯片及调制器-CN202020649775.2有效
发明人：李萍 -专利权人： 天津领芯科技发展有限公司
申请日： 2020-04-26 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： G02F1/03 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种薄膜电光调制器芯片，包括：基底晶片、粘接层以及薄膜基板、光学波导、金属电极，所述薄膜基板放置于基底晶片的上方，所述粘接层放置于所述基底晶片和薄膜基板之间，所述金属电极放置于薄膜基板的上表面，其中，所述光学波导形成于薄膜基板中并放置于薄膜基板的底部。相应地，本申请还提供了一种薄膜电光调制器。本实用新型所提供的薄膜电光调制器芯片以及薄膜电光调制器结构，可以实现钛扩散、锌扩散、氧化锌扩散等离子高温扩散光学波导在键合于基底晶片上的电光晶体薄膜中的制备，且不会破坏晶体薄膜与基底晶片之间键合结构的有效性，实现高调制带宽、低半波电压的薄膜电光调制器的制备。
薄膜电光调制器芯片

[实用新型]一种铌酸锂薄膜光波导结构以及芯片-CN202020780556.8有效
发明人：李萍 -专利权人： 天津领芯科技发展有限公司
申请日： 2020-05-12 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种铌酸锂薄膜光波导结构以及芯片，其中，铌酸锂薄膜光波导结构，包括下包层、薄膜基板和上包层，下包层形成于基底晶片的上方，薄膜基板放置于下包层的上方；还包括下述结构中的一种：第一：薄膜基板的上表面形成有脊形结构，脊形结构为在薄膜基板的上表面形成得到的凸起结构；上包层由形成于脊形结构的左侧、右侧以及上方的介质材料构成；第二：薄膜基板进行完全的刻蚀处理，形成独立的薄膜基板芯层，薄膜基板芯层放置于下包层的上方，上包层由形成于薄膜基板芯层的左侧、右侧以及上方的介质材料构成。本申请结构能够降低光波导的折射率差，减少高阶光波模式在铌酸锂薄膜光波导中的存在，并增大光波模式的空间分布尺寸。
一种铌酸锂薄膜波导结构以及芯片

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