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[发明专利]存储器件上的侧壁间隔件-CN200680017416.8有效
发明人： 大卫·K·王;库纳尔·帕尔克;迈克·维利特;杰吉时·特莱维蒂;苏瑞·马休;葛瑞格·彼得森 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2006-05-05 - 公布日： 2008-08-20 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：本发明总体涉及在存储器件上制造侧壁间隔件的方法、以及包括这种侧壁间隔件的存储器件。在一个范例实施例中，该方法包括通过下述方式在包括存储器阵列和至少一个外围电路的存储器件上形成侧壁间隔件：在所述存储器阵列中的字线结构邻近形成第一侧壁间隔件，该第一侧壁间隔件具有第一厚度；以及在所述外围电路中的晶体管结构邻近形成第二侧壁间隔件，该第二侧壁间隔件具有大于所述第一厚度的第二厚度，其中，所述第一侧壁间隔件和所述第二侧壁间隔件包含来自单层间隔件材料的材料。在一个范例实施例中，该器件包括：存储器阵列，其包括多个字线结构，所述多个字线结构中的每一个均具有形成在其邻近的第一侧壁间隔件，所述第一侧壁间隔件具有第一厚度；以及外围电路，其包括至少一个晶体管，所述晶体管具有形成在其邻近的第二侧壁间隔件，所述第二侧壁间隔件具有大于所述第一厚度的第二厚度，所述第一侧壁间隔件和所述第一侧壁间隔件包含来自单层间隔件材料的材料。
存储器件侧壁间隔

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