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[发明专利]一种基于半浮栅的7T全局快门像素结构-CN201910742833.8有效
发明人：徐江涛;李凤;史兴萍;王瑞硕;夏梦真 -专利权人：天津大学青岛海洋技术研究院
申请日： 2019-08-13 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H04N25/76 文献下载
摘要：一种基于半浮栅的7T全局快门像素结构，包含一个半浮栅器件MSFG，六个开关管和两个电容；先对半浮栅MSFG复位，然后曝光，曝光期间完成对电容C的复位，并将复位信号采样保存至电容C1和C2，曝光完成后将光信号采样并保存至电容C1，最后再依次读出复位信号和光信号，即完成本发明提出的像素结构的一个工作周期；该结构解决了传统8T像素光电探测区和光电转换区间的电压分配问题，且相对于8T像素而言，减少了一个MOS管，增大了填充因子。
一种基于半浮栅全局快门像素结构

[发明专利]一种基于半浮栅的4T像素结构-CN201910740406.6有效
发明人：徐江涛;李凤;史兴萍;王瑞硕;夏梦真 -专利权人：天津大学青岛海洋技术研究院
申请日： 2019-08-12 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H04N25/779 文献下载
摘要：一种基于半浮栅的4T像素结构，包含一个半浮栅器件MSFG，三个开关管和一个电容；半浮栅器件用于收集信号电荷；电容类似于传统4T像素中的光电转换区，可以是任意类型的电容，据具体设计而定，用于将半浮栅器件输出的电流信号转换为电压信号；三个开关管可以是任意类型的开关管，据具体设计而定，分别用作源极跟随器MSF、复位管MRST和选择管MSEL；其中源极跟随器用于信号放大，复位管用于对电容中的信号进行复位；选择管用于通过时序控制像素阵列行信号的输出；该结构解决了传统4T像素光电探测区和光电转换区见的电压分配问题，且相对基于半浮栅器件的1T像素结构而言，可以实现高满阱容量、大输出摆幅、低噪声像素设计。
一种基于半浮栅像素结构

[发明专利]一种消除8T CMOS图像传感器信号衰减的供电结构-CN201910745236.0有效
发明人：徐江涛;李凤;史兴萍;王瑞硕;夏梦真 -专利权人：天津大学青岛海洋技术研究院
申请日： 2019-08-13 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H04N25/76 文献下载
摘要：一种消除8T CMOS图像传感器信号衰减的供电结构，包含6个行驱动模块、6个VDD端口以及6个VSS端口；行控制信号PC、RST和TG的行驱动模块位于像素阵列的左侧，行控制信号S1、S2和SEL的行驱动模块位于像素阵列的右侧；该供电结构相对于传统的CMOS图像传感器驱动模块供电结构设计，能大幅度提高传感器驱动模块的供电能力；消除了传统结构引入的信号衰减现象，提高了8T高分辨率CMOS图像传感器的成像质量和性能。
一种消除 cmos 图像传感器信号衰减供电结构

[发明专利]一种信号检测电路和传输设备-CN202110544126.5有效
发明人：卢家付;傅懿斌;夏梦真 -专利权人：青岛信芯微电子科技股份有限公司
申请日： 2021-05-19 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： H03F3/68 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种信号检测电路和传输设备，用以解决在检测待测信号时，如何减少放大管的失配，并保证待测信号不被干扰的问题。信号检测电路包括：时钟分频电路在分频控制信号的控制下，将时钟信号转换成差分时钟信号，动态放大电路包括两个由放大管组成的放大单元，在差分时钟信号的控制下，通过两个放大单元对待检测信号进行交替放大处理，得到尖峰信号，通过两个放大单元对共模信号进行交替放大处理，得到基准信号，比较电路根据尖峰信号和基准信号的比较结果，输出目标信号。由于尖峰信号可以由两个放大单元得到，基准信号也可以由两个放大单元得到，从而可以采用动态匹配技术减少失配，进而可以提高检测精度且不对待检测信号产生干扰。
一种信号检测电路传输设备

[发明专利]一种数据位数转换电路-CN202110163733.7有效
发明人：傅懿斌;夏梦真 -专利权人：青岛信芯微电子科技股份有限公司
申请日： 2021-02-05 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H03K3/356 文献下载
摘要：本申请涉及电路技术领域，公开了一种数据位数转换电路，应用于将第一位数的源信号转换为第二位数的目标信号，且第二位数为第一位数的非整数倍关系，电路包括移位寄存单元、分频单元和输出单元；移位寄存单元，用于基于源信号的参考时钟信号对源信号进行移位寄存，得到第三位数的移位寄存结果；其中第三位数大于第一位数；分频单元，用于对参考时钟信号进行分频处理得到信号选择时钟；输出单元，用于配合信号选择时钟对源信号以及移位寄存结果进行信号选择，筛选出第二位数的目标信号。进而实现转换准确、转换电路结构简单，并且数据位数之间的时序关系简单的数据转换电路。
一种数据位数转换电路

[发明专利]一种时钟数据恢复电路、处理芯片和显示设备-CN202111162026.2在审
发明人： 夏梦真;卢家付;傅懿斌 -专利权人：上海顺久电子科技有限公司
申请日： 2021-09-30 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： H03L7/085 文献下载
摘要：本发明公开了一种时钟数据恢复电路、处理芯片和显示设备，其中，鉴相器将参考时钟信号和数据信号进行比较，生成初始脉冲信号；脉冲宽度调整电路对初始脉冲信号进行移位寄存处理，生成移位脉冲信号，并基于当前工作模式选择信号、移位脉冲信号和参考时钟信号，生成目标脉冲信号，电荷泵电路根据目标脉冲信号进行充放电，输出电压信号，压控振荡器根据电压信号输出参考时钟信号。由于时钟数据恢复电路包括可以对初始脉冲信号进行调整的脉冲宽度调整电路，并且该电路是基于参考时钟信号对初始脉冲信号进行调整，从而可以在不使用额外信号的前提下，根据需要调整脉冲信号的脉宽，提高时钟数据恢复电路的灵活性。
一种时钟数据恢复电路处理芯片显示设备

[发明专利]一种基于半浮栅的6T全局快门像素结构-CN201910742834.2在审
发明人：徐江涛;李凤;史兴萍;王瑞硕;夏梦真 -专利权人：天津大学青岛海洋技术研究院
申请日： 2019-08-13 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： H04N5/374 文献下载
摘要：一种基于半浮栅的6T全局快门像素结构，包含一个半浮栅器件MSFG，五个开关管和两个电容；先对半浮栅MSFG复位，然后曝光，曝光期间完成对电容的复位，并将复位信号采样保存至电容C1和C2，曝光完成后将光信号采样并保存至电容C1，最后再依次读出复位信号和光信号，即完成本发明提出的像素结构的一个工作周期；该结构解决了传统8T像素光电探测区和光电转换区间的电压分配问题，且相对于8T像素而言，减少了两个MOS管，增大了填充因子，实现高满阱容量、高转换增益、高全局快门效率以及低读出噪声像素设计。
一种基于半浮栅全局快门像素结构

[发明专利]一种提高量子效率的CMOS图像传感器像素制作方法-CN201910801765.8在审
发明人：徐江涛;王瑞硕;夏梦真;史兴萍;李凤 -专利权人：天津大学青岛海洋技术研究院
申请日： 2019-08-28 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种提高量子效率的CMOS图像传感器像素制作方法，采用像素背部注入高浓度P型离子掺杂，以及通过在衬底上施加反向偏压来耗尽较厚敏感半导体区域的方法，从而消除无场区，并迅速收集光生电荷。反向偏压的大小取决于半导体基板的电阻率和厚度，并且可以远远超过系统中的任何其他电压。最终进一步提高了图像传感器的量子效率，大大提高了成像质量。
一种提高量子效率 cmos 图像传感器像素制作方法

[发明专利]一种降低电荷回流的CMOS图像传感器像素制作方法-CN201910801787.4在审
发明人：徐江涛;王瑞硕;史兴萍;夏梦真;李凤 -专利权人：天津大学青岛海洋技术研究院
申请日： 2019-08-28 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种降低电荷回流的CMOS图像传感器像素制作方法，在栅形成前进行两次P型离子的注入，注入剂量从PPD端到浮空扩散节点端逐渐降低，形成梯度浓度变化的P型掺杂区域，使得更多的沟道内电荷流到浮空扩散节点一端，从而有效的降低电荷回流到PPD端的现象，大大提高电荷转移效率和成像质量。
一种降低电荷回流 cmos 图像传感器像素制作方法

[发明专利]一种降低扩散暗电流的CMOS图像传感器像素结构-CN201811618619.3在审
发明人：徐江涛;王瑞硕;夏梦真;史兴萍;李凤 -专利权人：天津大学青岛海洋技术研究院
申请日： 2018-12-28 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种降低扩散暗电流的CMOS图像传感器像素结构，主要由光电二极管PPD、传输栅TG、浮空扩散节点FD、以及深N_abs层组成；STI为浅沟槽隔离，其作用是将相邻两个像素进行电学隔离，防止串扰现象；该像素结构采用多加一次高能量的N型掺杂注入，可以在外延层中性区形成新的耗尽区，使得中性区的大多数电荷被新形成的耗尽区收集，从而有效的降低中性区扩散暗电流，进一步提高了图像传感器的动态范围和信噪比，大大提高了成像质量。
一种降低扩散电流 cmos 图像传感器像素结构

[发明专利]一种高电荷转移效率的CMOS图像传感器像素结构-CN201811328811.9在审
发明人：徐江涛;王瑞硕;史兴萍;李凤;夏梦真 -专利权人：天津大学青岛海洋技术研究院
申请日： 2018-11-09 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种高电荷转移效率的CMOS图像传感器像素结构，提出的双环形像素结构增加了光生电荷由光电二极管向浮空扩散节点的转移通道，增加了电荷转移路径上的电场，缩短了电荷在“平电势”区域的扩散距离，可以有效的提高电荷的转移速度和效率，从而完成电荷的快速完全转移，提高大像素CMOS图像传感器的性能。
一种电荷转移效率 cmos 图像传感器像素结构

[发明专利]大感光面积电荷快速转移的CMOS图像传感器像素结构-CN201811241575.7在审
发明人：徐江涛;王瑞硕;史兴萍;李凤;夏梦真 -专利权人：天津大学青岛海洋技术研究院
申请日： 2018-10-24 - 公布日： 2020-05-01 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：大感光面积电荷快速转移的CMOS图像传感器像素结构，通过在光电二极管区域形成掺杂浓度的梯度变化，从而在电荷转移过程中形成自靠近传输管端至远离传输管端的电场，加速光生电子的转移，并且可以实现完全转移，消除拖尾现象，提高CMOS图像传感器的性能；浓度呈梯度变化的工艺条件缩短了光生电荷在光电二极管区域的横向扩散距离，使得可以通过在横向电场的作用下，有效的降低光生电荷的转移时间。
感光面积电荷快速转移 cmos 图像传感器像素结构

[发明专利]一种低温工作的高性能乙醇气敏传感器的制备方法-CN201911259036.0在审
发明人：王秀宇;朱宣同;夏梦真;李亨 -专利权人：天津大学
申请日： 2019-12-10 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：本发明公开一种低温工作的高性能乙醇气敏传感器的制备方法，主要步骤：1)制备纳米球‑花状组合型镁掺杂ZnSnO3前驱体Zn0.9Mg0.1Sn(OH)6，烘干；2)依次称取Zn0.9Mg0.1Sn(OH)6和nano‑TiO2，加入去离子水，均匀混合，最后在加热条件下再磁力搅拌，浓缩处理成糊状物；3)采用甩胶法在叉指电极上涂覆上述糊状物，使其成膜，然后烘干成薄膜；4)将上述涂膜电极在高温中热处理，前驱体Zn0.9Mg0.1Sn(OH)6在高温下脱水形成Zn0.9Mg0.1SnO3，并与nano‑TiO2键合形成化学吸附，形成nano‑TiO2/Zn0.9Mg0.1SnO3复合物。本发明降低了ZnSnO3气敏传感器的工作温度，使气敏传感器在较低温度(80℃)下具有优异的气敏性能。
一种低温工作性能乙醇传感器制备方法

[发明专利]一种基于面部特征的任意姿态正脸还原网络-CN201811195584.7在审
发明人：徐江涛;史兴萍;王瑞硕;夏梦真;李凤 -专利权人：天津大学青岛海洋技术研究院
申请日： 2018-10-15 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： G06K9/00 文献下载
摘要：一种基于面部特征的任意姿态正脸还原网络，针对目前姿态矫正问题所存在的不足，主要目的是对于未知姿态角的侧脸图像利用特征提取等方法进行正脸还原，从而获得与原始目标正脸较为接近的一个正脸图像。该神经网络利用生成式对抗网络的自身优势，结合几何特征和几何关系判定，获得姿态角的范围，可以在未知姿态角的前提下，复原出较为真实的正脸图像。
一种基于面部特征任意姿态还原网络

[发明专利]基于Wasserstein距离的人脸性别判别算法-CN201811195596.X在审
发明人：徐江涛;史兴萍;王瑞硕;夏梦真;李凤 -专利权人：天津大学青岛海洋技术研究院
申请日： 2018-10-15 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： G06K9/00 文献下载
摘要：基于Wasserstein距离的人脸性别判别算法，分为三个步骤，第一步是构建对比库，选择不同性别构建不同分布的对比库；第二步是对目标人脸进行处理，包括预处理、人脸对齐、像素转换和直方图分布等；第三步是计算Wasserstein距离，计算目标分布与第一步建立的对比库中不同分布的距离，选择与对比库最接近的类型，由此判断性别；该算法采用新的数学方法来解决人脸性别识别问题，针对目前人脸性别识别的需求，拓展了人脸性别识别的思路，提升了人脸性别识别的方案多样性。在理论上，该算法考虑到不同人种之间的差距，合理选择对比库，提升了算法的适用性。
基于 wasserstein 距离性别判别算法

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