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[发明专利]半导体结构图案形成-CN200780018190.8无效
发明人：莱奥·马修;罗德·R·莫拉;塔伯·A·斯蒂芬斯;罗天英 -专利权人：飞思卡尔半导体公司
申请日： 2007-04-05 - 公布日： 2009-06-03 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：根据通过氧化可氧化材料的层(111)的侧壁所形成的图案在半导体层中形成例如鳍片的结构。在一个实施例中，源/漏极图案结构和鳍片图案结构在可氧化层上被图案化。然后由在沟道图案结构的侧壁上和源/漏极图案结构的顶表面上生长氧化物的氧化工艺来掩蔽该鳍片图案结构。接下来去除沟道图案结构的剩余的可氧化材料留下在氧化层的两个部分(1003，1001)之间的孔。在一个实施例中，这两个部分(2003，2005)用作图案化该半导体层以形成两个鳍片的掩模。该图案化还留下连接到鳍片的源/漏极结构。
半导体结构图案形成

[发明专利]等离子体增强氮化物层-CN200580033247.2无效
发明人：陈建;斯坦利·M·菲利皮亚克;田容周;塔伯·A·斯蒂芬斯 -专利权人：飞思卡尔半导体公司
申请日： 2005-08-30 - 公布日： 2007-09-05 - 主分类号： H01L21/4763 文献下载
摘要：一种刻蚀停止(203)层，位于等离子体增强氮化物(PEN)层(132)上面。然后在刻蚀停止层上面形成了层间介电材料。该刻蚀停止层用作用于刻蚀层间电介质中的开口的刻蚀停止。在某些实施例中，利用PEN层构建的集成电路可以包括在给定的漏电流下具有改善的驱动电流的晶体管。而且，具有PEN层的集成电路可以呈现出减少的寄生电容。
等离子体增强氮化物

[发明专利]用于形成具有硅化物层的半导体器件的方法-CN200580017137.7有效
发明人：达尔迈什·贾瓦拉尼;塔伯·A·斯蒂芬斯 -专利权人：飞思卡尔半导体公司
申请日： 2005-04-26 - 公布日： 2007-05-09 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：一种用于形成半导体器件的方法，包括，提供半导体基板，在半导体基板上形成绝缘层，在绝缘层上形成传导层，在传导层上形成第一金属硅化物层，对传导层构图以形成构图的第一层，其中构图的第一层是控制电极的一部分，对第一金属硅化物层构图以在控制电极上形成构图的第一金属硅化物层，由此构图的第一金属硅化物层保持在控制电极上，并且在构图的金属硅化物层上形成第二金属硅化物层，其中第二金属硅化物层的厚度大于第一金属硅化物层的厚度。
用于形成具有硅化物层半导体器件方法

[发明专利]具有不同晶格常数材料的半导体结构及其形成方法-CN200480026575.5有效
发明人：刘春丽;亚历山大·L·巴尔;约翰·M·格兰特;比希－安·阮;马里乌斯·K·奥尔沃夫斯基;塔伯·A·斯蒂芬斯;泰德·R·怀特;肖恩·G·托马斯 -专利权人：飞思卡尔半导体公司
申请日： 2004-09-27 - 公布日： 2006-10-25 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：一种半导体结构(10)，其包括衬底，该衬底含有具有第一晶格常数的第一弛豫半导体材料。半导体器件层(34)覆盖该衬底，其中，该半导体器件层包括第二弛豫半导体材料(22)，其具有不同于该第一晶格常数的第二晶格常数。此外，在该衬底与该半导体器件层间插入介电层，其中，该介电层插入在该衬底与该半导体器件层之间，其中，该介电层包括安置在该介电层中的循序过渡带，用于在该第一晶格常数与该第二晶格常数间过渡。该循序过渡带包括多个层，该多个层中的邻接层具有不同的晶格常数，邻接层中的一个具有超过形成缺陷所必需的第一临界厚度的第一厚度，邻接层的另一个具有未超过第二临界厚度的第二厚度。该多个层的每一邻接层形成界面，用于促使该过渡带中的缺陷迁移至并终止于该循序过渡带的边缘。还公开了一种制造该半导体结构的方法。
具有不同晶格常数材料半导体结构及其形成方法

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