专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]信息记录介质基片,信息记录介质及该介质的制造方法-CN200710086303.X有效
  • 池西干男;邹学祿;山中贤治;堀川顺一 - HOYA株式会社
  • 2004-01-30 - 2007-09-19 - G11B5/62
  • 一种信息记录介质基片,其由玻璃或者结晶玻璃制成,(1)具有光谱透射率为50%或更小的范围,根据在2,750nm-3,700nm波长范围内厚度为2mm换算而得。(2)其光谱透射率为70%或更小,根据在整个2,75nm-3,700nm波长范围厚度为2mm换算而得。(3)其含有红外线吸收剂,该吸收剂是一种特定金属的氧化物,且其用于垂直磁记录介质。(4)其将被红外线辐射加热并且含水大于200ppm,或(5)其含有红外线吸收剂,该吸收剂一种特定金属的氧化物,且其用作承载多层薄膜的基片,该多层薄膜含有信息记录层,该信息记录层将在利用红外线辐射加热后通过溅射形成,一种信息记录介质包含多层薄膜,该多层薄膜含有形成在任一上述基片上的信息记录层,以及一种信息记录介质的制造方法。
  • 信息记录介质制造方法
  • [发明专利]信息记录介质基片,信息记录介质及该介质的制造方法-CN200410030291.5有效
  • 池西干男;邹学祿;山中贤治;堀川顺一 - HOYA株式会社
  • 2004-01-30 - 2004-10-20 - G11B5/62
  • 一种信息记录介质基片,其由玻璃或者结晶玻璃制成,(1)其具有光谱透射率为50%或更小的范围,根据在2,750nm-3,700nm波长范围内厚度为2mm换算而得。(2)其光谱透射率为70%或更小,根据在整个2,750nm-3,700nm波长范围厚度为2mm换算而得。(3)其含有红外线吸收剂,该吸收剂是一种特定金属的氧化物,且其用于垂直磁记录介质。(4)其将被红外线辐射加热并且含水大于200ppm,或(5)其含有红外线吸收剂,该吸收剂一种特定金属的氧化物,且其用作承载多层薄膜的基片,该多层薄膜含有信息记录层,该信息记录层将在利用红外线辐射加热后通过溅射形成,一种信息记录介质包含多层薄膜,该多层薄膜含有形成在任一上述基片上的信息记录层,以及一种信息记录介质的制造方法。
  • 信息记录介质制造方法

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