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[发明专利]铁系氧化物磁性粉及其制造方法-CN202080068448.0在审
发明人：大越慎一;生井飞鸟;所裕子;吉清麻里绘;山我和裕;宫本靖人;峰山裕贵;坂根坚之;川人哲也 -专利权人：国立大学法人东京大学;同和控股(集团)有限公司
申请日： 2020-09-29 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： C01G49/00 文献下载
摘要：提供微细粒子和粗大粒子的含量充分地减少、并且粒子形状接近圆球、适于磁记录介质用途的铁系氧化物磁性粉。将包含3价铁离子、或者3价铁离子和将Fe位点的一部分置换的金属元素的离子的原料溶液和用于中和上述原料溶液的碱水溶液添加到反应体系中，使反应体系的pH成为1.0以上且3.0以下，在得到的反应溶液中添加羟基羧酸后将反应体系的pH中和到7.0以上且10.0以下，将硅氧化物被覆于得到的含有置换金属元素的羟基氧化铁的析出物后加热，制成Fe位点的一部分被其他金属元素置换的ε氧化铁的粒子后，将包含该粒子的浆料分级。
氧化物磁性及其制造方法

[发明专利]铁系氧化物磁性粉及其制造方法-CN201980018108.4在审
发明人：大越慎一;生井飞鸟;坂根坚之;川人哲也 -专利权人：国立大学法人东京大学;同和电子科技有限公司
申请日： 2019-03-26 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： H01F1/11 文献下载
摘要：本发明提供粒度分布狭窄、且无助于磁记录特性的微细粒子的含量少，其结果矫顽力分布狭窄、适于磁记录介质的高记录密度化的铁系氧化物磁性粉的制造方法。通过湿式法得到ε型的铁系氧化物磁性粉后，向包含该磁性粉的浆料中添加作为表面改性剂的0.009mol/kg以上且1.0mol/kg以下的四烷基铵盐，并且将pH设为11以上且14以下，实施分散处理后进行分级，由此得到粒度分布狭窄、且矫顽力分布狭窄的铁系氧化物磁性粉。
氧化物磁性及其制造方法

[发明专利]荧光体及其制备方法、和使用该荧光体的发光装置-CN201210352277.1无效
发明人：永富晶;坂根坚之 -专利权人：三菱化学株式会社
申请日： 2006-03-03 - 公布日： 2012-12-19 - 主分类号： C09K11/64 文献下载
摘要：本发明提供一种荧光体，其在绿色~黄色范围具有发光光谱的宽峰，并具有可以使用近紫外/紫外光到蓝色光的宽范围的光作为激发光的宽且平坦的激发带，并且发光效率和亮度优异。所述荧光体由通式MmAaBbOoNn:Z表示(M元素是价数为II价的1种以上的元素，A元素是价数为III价的1种以上的元素，B元素是价数为IV价的1种以上的元素，O是氧，N是氮，Z是1种以上的活化剂)，其中，4.0<(a+b)/m<7.0，a/m≧0.5，b/a>2.5，n>o，n＝2/3m+a+4/3b－2/3o，用波长为300nm~500nm范围的光激发时，发光光谱中的峰值波长为500nm~650nm范围，由此可以解决上述课题。
荧光及其制备方法使用发光装置

[发明专利]氮化物荧光体或氧氮化物荧光体的制造方法-CN200780036140.2有效
发明人：后藤昌大;坂根坚之 -专利权人：同和电子科技有限公司
申请日： 2007-09-07 - 公布日： 2009-09-02 - 主分类号： C09K11/08 文献下载
摘要：本发明的目的在于，减少对发光无益的碳杂质和氧杂质的含量、抑制荧光体发光强度的降低，提高该荧光体的发光效率。为此，提供一种氮化物荧光体或氧氮化物荧光体的烧成方法，该方法使用由氮化物制成的坩埚(11)作为烧成容器，且对该坩埚加盖(容器(10))进行烧成来制造荧光体，上述荧光体用通式MABO_oN_3-2/3o:Z表示，M元素是一种以上价数取II价的元素，A元素是一种以上价数取III价的元素，B元素是一种以上价数取IV价的元素，O是氧，N是氮，Z元素是活化剂，o≥0。
氮化物荧光制造方法

[发明专利]荧光体、荧光体薄片、荧光体的制造方法以及使用该荧光体的发光装置-CN200780036173.7有效
发明人：后藤昌大;坂根坚之 -专利权人：同和电子科技有限公司
申请日： 2007-09-21 - 公布日： 2009-09-02 - 主分类号： C09K11/64 文献下载
摘要：一种荧光体，其特征在于，其由通式MmAaBbOoNn:Z(其中，M元素是1种以上价数取II价的元素，A元素是1种以上价数取III价的元素，B元素是1种以上价数取IV价的元素，O是氧，N是氮，Z是1种以上的活化剂，m＞0、a＞0、b＞0、o≥0、n＞0。)表示，在从颗粒表面起到深2000nm的范围中，B元素原子相对于总原子数的比例的变化率小于10％、或/和氧原子相对于总原子数的比例的变化率小于40％，其中该荧光体在蓝色的范围具有宽的发射光谱，并且，在近紫外/紫外的范围具有宽广且平坦的激发带，发光效率和发光强度、亮度优异。
荧光薄片制造方法以及使用发光装置

[发明专利]荧光体及其制造方法、以及使用该荧光体的发光装置-CN200680035715.4有效
发明人：永富晶;坂根坚之;山田智也 -专利权人：同和电子科技有限公司
申请日： 2006-07-14 - 公布日： 2008-09-24 - 主分类号： C09K11/64 文献下载
摘要：本发明提供了一种以亮度为代表的发光效率优异的荧光体，其是用于组合近紫外·紫外LED和蓝色LED等而制造单片型白色LED等的荧光体。其特征在于，其是用通式MmAaBbOoNn:Z表示的荧光体(M元素是具有II价的1种以上的元素，A元素是具有III价的1种以上的元素，B元素是具有IV价的1种以上的元素，O是氧，N是氮，Z元素是1种以上的活化剂。)，以a＝(1+x)×m、b＝(4－x)×m、o＝x×m、n＝(7－x)×m、0≤x≤1表示，在用波长为300nm～500nm范围的光激发时，发光光谱中的峰波长在500nm～600nm范围。
荧光及其制造方法以及使用发光装置

[发明专利]荧光体、荧光体片及其制造方法、和使用该荧光体的发光装置-CN200680010489.4无效
发明人：永富晶;坂根坚之 -专利权人：同和电子科技有限公司
申请日： 2006-03-30 - 公布日： 2008-03-26 - 主分类号： C09K11/59 文献下载
摘要：本发明提供一种荧光体，其在蓝色范围(峰波长为400nm～500nm)中具有宽的发光光谱，并且在近紫外、紫外的范围具有宽且平坦的激发带，发光效率和发光强度、亮度优异。所述荧光体由通式MmAaBbOoNn:Z表示(M元素是价数为II价的1种以上的元素，A元素是价数为III价的1种以上的元素，B元素是价数为IV价的1种以上的元素，O是氧，N是氮，Z是1种以上的活化剂)，其中，5.0＜(a+b)/m＜9.0，0≤a/m≤2.0，0≤o＜n，n＝2/3m+a+4/3b－2/3o，并且用波长为250nm～430nm范围的光激发时，发光光谱中最大峰值波长在400nm～500nm范围内。
荧光及其制造方法使用发光装置

[发明专利]荧光体及其制备方法、和使用该荧光体的发光装置-CN200680007164.0有效
发明人：永富晶;坂根坚之 -专利权人：同和电子科技有限公司
申请日： 2006-03-03 - 公布日： 2008-02-27 - 主分类号： C09K11/64 文献下载
摘要：本发明提供一种荧光体，其在绿色～黄色范围具有发光光谱的宽峰，并具有可以使用近紫外/紫外光到蓝色光的宽范围的光作为激发光的宽且平坦的激发带，并且发光效率和亮度优异。所述荧光体由通式MmAaBbOoNn∶Z表示(M元素是价数为II价的1种以上的元素，A元素是价数为III价的1种以上的元素，B元素是价数为IV价的1种以上的元素，O是氧，N是氮，Z是1种以上的活化剂)，其中，4.0＜(a+b)/m＜7.0，a/m≥0.5，b/a＞2.5，n＞o，n＝2/3m+a+4/3b－2/3o，用波长为300nm～500nm范围的光激发时，发光光谱中的峰值波长为500nm～650nm范围，由此可以解决上述课题。
荧光及其制备方法使用发光装置

[发明专利]电子射线激发用荧光体和荧光体膜以及使用它们的彩色显示装置-CN200580026001.2有效
发明人：后藤昌大;永富晶;坂根坚之;山下修次 -专利权人：同和电子科技有限公司
申请日： 2005-07-28 - 公布日： 2007-08-22 - 主分类号： C09K11/64 文献下载
摘要：提供一种即使增大荧光体激发用电子束的激发密度，发光效率的降低也少并能维持高亮度的电子射线激发用荧光体。作为原料准备Ca₃N₂(2N)、AlN(3N)、Si₃N₄(3N)、Eu₂O₃(3N)，按各元素的克分子比(Ca+Eu)∶Al∶Si＝1∶1∶1地进行秤量混合，把该混合物在惰性环境中以1500℃保持3小时烧成后进行粉碎，制造具有组成式Ca_0.985SiAlN₃∶Eu_0.015的荧光体。
电子射线激发荧光以及使用它们彩色显示装置

[发明专利]荧光体及其制造方法以及光源-CN200580025572.4有效
发明人： 坂根坚之;永富晶;后藤昌大;山下修次 -专利权人：同和电子科技有限公司
申请日： 2005-07-28 - 公布日： 2007-08-22 - 主分类号： C09K11/64 文献下载
摘要：提供一种具有激发带特性的荧光体，其发光峰值波长在580～680nm范围且具有高发光强度的发光特性，对于紫外～可见光(波长250～550nm)宽范围波长区域的激发光具有平坦且效率高的激发带。例如，准备Ca₃N₂(2N)、AlN(3N)、Si₃N₄(3N)、Eu₂O₃(3N)，把各原料秤量成规定量并混合后以1500℃、6小时进行烧制，得到含有以组成式CaAlSiN₃∶Eu表示生成相的具有满足规定图形的X射线衍射图形的荧光体。
荧光及其制造方法以及光源

[发明专利]荧光物质及其制法及使用它的光源和发光二极管-CN200510052522.7有效
发明人：永富晶;坂根坚之;后藤昌大;山下修次 -专利权人：同和矿业株式会社
申请日： 2005-02-28 - 公布日： 2005-10-19 - 主分类号： C09K11/80 文献下载
摘要：本发明提供了对于从发蓝光或紫外光的发光部发出的紫外～可见(300～550nm)波长区域的光具有激发带的高效荧光物质。本发明的解决方案是，准备Ca的氮化物、Al的氮化物、Si的氮化物、Eu的氧化物，按各元素的摩尔比Ca∶Al∶Si∶Eu＝0.985∶1∶1∶0.015地称量各原料，氮气氛下混合之后，于氮气氛中1500℃下煅烧，得到了与组成式Ca_0.985SiAlN₃∶Eu_0.015相应的荧光物质。
荧光物质及其制法使用光源发光二极管

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