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- [发明专利]光电转换元件-CN200680028624.8无效
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武舍清;高桥保
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株式会社艾迪科;国立大学法人北海道大学
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2006-08-02
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2008-08-20
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H01L51/42
- 本发明提供一种光电转换元件,在相对置的阳极电极和阴极电极之间具有光电转换层,该光电转换层具有依次层叠(1)p型半导体层及(2)p型半导体和n型半导体的混合层、和根据需要在其上层叠(3)n型半导体层或金属氧化物层的结构,其特征在于,采用了以下所示(a)~(c)中的至少1种光电转换效率提高手段。(a)作为所述(1)~(3)的半导体层中的至少一层,使用电荷迁移率在0.005cm2/V·sec以上的有机半导体薄膜;(b)所述阳极电极的工作函数与所述(1)p型半导体层的HOMO即最高占据分子轨道之间的能隙、及/或所述阴极电极的工作函数与所述(3)n型半导体层的LUMO即最低空轨道之间的能隙在0.5eV以下;(c)在所述阳极电极及/或所述阴极电极与所述光电转换层之间设置由有机化合物形成的缓冲层,使该缓冲层的有机化合物与所述阳极电极及/或所述阴极电极化学键合。
- 光电转换元件
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