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[发明专利]一种晶体硅太阳能电池片存储用设备-CN201610696058.3在审
发明人：张杰 -专利权人： 四川英发太阳能科技有限公司
申请日： 2016-08-22 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶体硅太阳能电池片存储用设备，一种晶体硅太阳能电池片存储用设备，容纳浸泡液的开口容器内设有半圆形凹槽，半圆形凹槽的内侧表面设有多对槽体结构，一对槽体结构由两个呈相对设置且位于同一水平面的第一L型槽体、第二L型槽体组成，第一L型槽体与第二L型槽体之间设有用于放置晶体硅太阳能电池片的平面板；槽体结构位于半圆形凹槽的内侧表面的U型槽内，第一L型槽体与第二L型槽体为相同结构，第一L型槽体内设有弹簧，且第一L型槽体的横向自由端和纵向自由端之间设有曲形体连接，曲形体的弯曲角度为15°—65°，曲形体靠近横向自由端的一端设有与水平面平行的延伸段。本申请所述临时存储装置，操作简单，便于存储，实用性强。
一种晶体太阳能电池存储设备

[发明专利]适用于偏远山区发电的太阳能电池-CN201610676019.7在审
发明人：张杰 -专利权人： 四川英发太阳能科技有限公司
申请日： 2016-08-17 - 公布日： 2016-12-21 - 主分类号： H02S20/30 文献下载
摘要：本发明公开了适用于偏远山区发电的太阳能电池，包括太阳能电池箱、太阳能电池、铝合金框架、底座和石柱，太阳能电池箱上有若干弹簧，弹簧连接挡板，太阳能电池箱的底面上铰链连接有支柱、液压缸，液压缸的下端通过销轴连接有U形槽，U形槽的底面固定在石柱上，U形槽的方向被配置为，当太阳能电池箱的底面平行于水平面时，U形槽的U形通槽的中轴线垂直于太阳能电池箱的矩形侧面。本发明通过调整太阳能电池箱的角度而抵御冰雹的冲击，保护了太阳能电池，延长了使用寿命，同时，取消了钢化玻璃、以及EVA材料层，增加太阳能电池板接收的太阳光的总量，显著提高了由太阳能转化成的电能的总量，在偏远无电地区具有较广泛的使用价值。
适用于偏远山区发电太阳能电池

[发明专利]应用于能够抵抗撞击的光伏供电系统的太阳能电池-CN201610676041.1在审
发明人：张杰 -专利权人： 四川英发太阳能科技有限公司
申请日： 2016-08-17 - 公布日： 2016-12-21 - 主分类号： H02S20/30 文献下载
摘要：本发明公开了应用于能够抵抗撞击的光伏供电系统的太阳能电池，包括太阳能电池箱、太阳能电池、铝合金框架、底座、石柱、排水槽、引水槽、排水管和储水箱，太阳能电池箱上有若干弹簧，弹簧连接挡板，太阳能电池箱的底面上铰链连接有支柱、液压缸，液压缸的下端通过销轴连接有U形槽，U形槽的底面固定在石柱上，U形槽的U形通槽的中轴线垂直于太阳能电池箱的矩形侧面。本发明通过调整太阳能电池箱的角度而抵御冰雹的冲击，保护了太阳能电池，延长了使用寿命，同时，取消了钢化玻璃、以及EVA材料层，增加太阳能电池板接收的太阳光的总量，显著提高了由太阳能转化成的电能的总量，在偏远无电地区具有较广泛的使用价值。
应用于能够抵抗撞击供电系统太阳能电池

[发明专利]一种使用多晶硅太阳能电池芯片方法-CN201610676057.2在审
发明人：张杰 -专利权人： 四川英发太阳能科技有限公司
申请日： 2016-08-17 - 公布日： 2016-12-21 - 主分类号： H02S20/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种使用多晶硅太阳能电池芯片方法，包括以下步骤：（A）在平时需要接收太阳光的时候，保持太阳能电池箱的底面平行于水平面；（B）当天气预报通知会出现冰雹的时候，调整液压缸，使得活塞杆进入液压缸的缸筒内，太阳能电池最终接近垂直于水平面的位置，挡板代替太阳能电池箱承受冰雹的撞击；（C）待冰雹停止后，太阳能电池箱回到与水平面平行的状态，重新接受太阳能。本发明通过调整太阳能电池箱的角度而抵御冰雹的冲击，保护了太阳能电池，取消了钢化玻璃、以及EVA材料层，增加太阳能电池板接收的太阳光的总量，显著提高了由太阳能转化成的电能的总量，在偏远无电地区具有较广泛的使用价值。
一种使用多晶太阳能电池芯片方法

[发明专利]能够在低温环境中使用的太阳能芯片-CN201610676027.1在审
发明人：张杰 -专利权人： 四川英发太阳能科技有限公司
申请日： 2016-08-17 - 公布日： 2016-12-07 - 主分类号： H02S20/00 文献下载
摘要：本发明公开了能够在低温环境中使用的太阳能芯片，包括太阳能电池箱、太阳能电池、铝合金框架、底座、石柱、集水器、排水槽和排水管，太阳能电池箱上有若干弹簧，弹簧连接挡板，太阳能电池箱的底面上铰链连接有支柱、液压缸，液压缸的下端通过销轴连接有U形槽，U形槽的方向被配置为，当太阳能电池箱的底面平行于水平面时，U形槽的U形通槽的中轴线垂直于太阳能电池箱的矩形侧面。本发明通过调整太阳能电池箱的角度而抵御冰雹的冲击，保护了太阳能电池，延长了使用寿命，同时，取消了钢化玻璃、以及EVA材料层，增加太阳能电池板接收的太阳光的总量，显著提高了由太阳能转化成的电能的总量，在偏远无电地区具有较广泛的使用价值。
能够低温环境使用太阳能芯片

[发明专利]一种低成本、规模化生产的背接触电池-CN201610696030.X在审
发明人：张杰 -专利权人： 四川英发太阳能科技有限公司
申请日： 2016-08-22 - 公布日： 2016-12-07 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本发明公开了一种低成本、规模化生产的背接触电池，包括硅片基体，硅片基体的背面设有用于形成P型发射极的P型掺杂层，P型掺杂层的外表面设有用于形成N型背场的N型非晶硅层，N型非晶硅层上覆盖有氮化硅钝化膜，P型掺杂层上覆盖有氮化硅钝化膜，硅片基体的背面还印刷有金属栅线；所述硅片基体的正面覆盖有氮化硅膜，所述N型非晶硅层的外表面依次层叠设有EVA膜、导电薄膜、玻璃基体，EVA膜与导电薄膜之间设有导电胶体，导电胶层通过设置在其上通孔与硅片基体的背面接触。本技术方案所述新型背接触电池，其结构简单，便于制作，在一定程度上降低了成本。
一种低成本规模化生产接触电池

[发明专利]一种安装有纳米结构的新型太阳能电池芯片的装置-CN201610676000.2在审
发明人：张杰 -专利权人： 四川英发太阳能科技有限公司
申请日： 2016-08-17 - 公布日： 2016-12-07 - 主分类号： H02S20/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种安装有纳米结构的新型太阳能电池芯片的装置，包括太阳能电池箱、太阳能电池、铝合金框架、底座和石柱，太阳能电池箱上有若干弹簧，弹簧连接挡板，太阳能电池箱的底面上铰链连接有支柱、液压缸，液压缸的下端通过销轴连接有U形槽，U形槽的底面固定在石柱上，U形槽的方向被配置为，当太阳能电池箱的底面平行于水平面时，U形槽的U形通槽的中轴线垂直于太阳能电池箱的矩形侧面。本发明通过调整太阳能电池箱的角度而抵御冰雹的冲击，保护了太阳能电池，延长了使用寿命，同时，取消了钢化玻璃、以及EVA材料层，增加太阳能电池板接收的太阳光的总量，显著提高了由太阳能转化成的电能的总量，在偏远无电地区具有较广泛的使用价值。
一种装有纳米结构新型太阳能电池芯片装置

[发明专利]一种耐低温单晶硅太阳能电池的应用方法-CN201610676059.1在审
发明人：张杰 -专利权人： 四川英发太阳能科技有限公司
申请日： 2016-08-17 - 公布日： 2016-12-07 - 主分类号： H02S20/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种耐低温单晶硅太阳能电池的应用方法，包括以下步骤：（A）在平时需要接收太阳光的时候，保持太阳能电池箱的底面平行于水平面，（B）当天气预报通知会出现冰雹的时候，调整液压缸，使得活塞杆进入液压缸的缸筒内，太阳能电池最终接近垂直于水平面的位置；（C）待冰雹停止后，将液压缸的活塞杆伸出液压缸的缸筒，从而支撑太阳能电池箱回到与水平面平行的状态，重新接受太阳能。本发明通过调整太阳能电池箱的角度而抵御冰雹的冲击，保护了太阳能电池，取消了钢化玻璃、以及EVA材料层，增加太阳能电池板接收的太阳光的总量，显著提高了由太阳能转化成的电能的总量，在偏远无电地区具有较广泛的使用价值。
一种低温单晶硅太阳能电池应用方法

[发明专利]一种利于封装的新型背接触电池装置-CN201610696199.5在审
发明人：张杰 -专利权人： 四川英发太阳能科技有限公司
申请日： 2016-08-22 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种利于封装的新型背接触电池装置，包括硅片基体，硅片基体的背面设有用于形成P型发射极的P型掺杂层，P型掺杂层的外表面设有用于形成N型背场的N型非晶硅层，N型非晶硅层上覆盖有氮化硅钝化膜，P型掺杂层上覆盖有氮化硅钝化膜，硅片基体的背面还印刷有金属栅线；所述硅片基体的正面覆盖有氮化硅膜，所述N型非晶硅层的外表面依次层叠设有EVA膜、导电薄膜、玻璃基体，EVA膜与导电薄膜之间设有导电胶体，导电胶层通过设置在其上通孔与硅片基体的背面接触。本技术方案所述新型背接触电池，其结构简单，便于制作，在一定程度上降低了成本。
一种利于封装新型接触电池装置

[发明专利]一种具有良好兼容性的晶体硅太阳能电池及其制备方法-CN201610696137.4在审
发明人：张杰 -专利权人： 四川英发太阳能科技有限公司
申请日： 2016-08-22 - 公布日： 2016-11-16 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有良好兼容性的晶体硅太阳能电池及其制备方法，包括衬底、多晶硅薄膜，衬底与多晶硅薄膜之间设有钝化层，钝化层表面设有氧化硅薄膜，氧化硅薄膜与多晶硅薄膜之间设有上电极；多晶硅薄膜上设有P‑n结，衬底设置在背面AI电极上；所述多晶硅薄膜为N型多晶硅薄膜，多晶硅薄膜的厚度为5—20微米，所述氧化硅薄膜的厚度为2—20nm，折射率为2.1—2.4；所述衬底为透明衬底。
一种具有良好兼容性晶体太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种集收集存储于一体的晶体硅太阳能电池片的存储装置-CN201610696066.8在审
发明人：张杰 -专利权人： 四川英发太阳能科技有限公司
申请日： 2016-08-22 - 公布日： 2016-11-09 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种集收集存储于一体的晶体硅太阳能电池片的存储装置，包括第一横杆、第一竖杆、第二横杆、第二竖杆，第一横杆、第一竖杆、第二横杆、第二竖杆首尾连接而成呈纵向放置的支架单元，第一竖杆上设有多个第一长条块，第二竖杆上设有多个第二长条块，第一长条块和第二长条块位于同一水平面上，且呈相对设置，第一长条块与第二长条块之间设有间隙，间隙的宽度小于晶体硅太阳能电池片的最小宽度。本申请所述的存储装置，不仅实现了取出和存储便利，而且实现了对晶体硅太阳能电池片的制作过程中进行充分浸泡。
一种收集存储一体晶体太阳能电池装置

[发明专利]一种基于防撞机构的太阳能单晶电池片-CN201610675999.9在审
发明人：张杰 -专利权人： 四川英发太阳能科技有限公司
申请日： 2016-08-17 - 公布日： 2016-11-09 - 主分类号： H02S20/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于防撞机构的太阳能单晶电池片，包括太阳能电池箱、太阳能电池、铝合金框架、底座、石柱、排水槽、集水器、排水管，太阳能电池箱的底面上铰链连接有支柱、液压缸，液压缸的下端通过销轴连接有U形槽，U形槽的底面固定在石柱上，U形槽的方向被配置为，当太阳能电池箱的底面平行于水平面时，U形槽的U形通槽的中轴线垂直于太阳能电池箱的矩形侧面。本发明通过调整太阳能电池箱的角度而抵御冰雹的冲击，保护了太阳能电池，延长了使用寿命，同时，取消了钢化玻璃、以及EVA材料层，增加太阳能电池板接收的太阳光的总量，显著提高了由太阳能转化成的电能的总量，在偏远无电地区具有较广泛的使用价值。
一种基于撞机太阳能电池

[发明专利]一种高光电转换率的太阳能电池片-CN201610676093.9在审
发明人：张杰 -专利权人： 四川英发太阳能科技有限公司
申请日： 2016-08-17 - 公布日： 2016-11-09 - 主分类号： H02S20/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种高光电转换率的太阳能电池片，包括太阳能电池箱、太阳能电池、铝合金框架、底座和石柱，太阳能电池箱的底面上铰链连接有支柱、液压缸，液压缸的下端通过销轴连接有U形槽，U形槽的底面固定在石柱上，U形槽的方向被配置为，当太阳能电池箱的底面平行于水平面时，U形槽的U形通槽的中轴线垂直于太阳能电池箱的矩形侧面。本发明通过调整太阳能电池箱的角度而抵御冰雹的冲击，保护了太阳能电池，延长了使用寿命，同时，取消了钢化玻璃、以及EVA材料层，增加太阳能电池板接收的太阳光的总量，显著提高了由太阳能转化成的电能的总量，在偏远无电地区具有较广泛的使用价值。
一种光电转换率太阳能电池

[发明专利]一种多晶硅太阳能电池片搭载设备-CN201610676052.X在审
发明人：张杰 -专利权人： 四川英发太阳能科技有限公司
申请日： 2016-08-17 - 公布日： 2016-10-26 - 主分类号： H02S20/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种多晶硅太阳能电池片搭载设备，包括太阳能电池箱、太阳能电池、铝合金框架、底座和石柱，太阳能电池箱的底面上铰链连接有支柱、液压缸，液压缸的下端通过销轴连接有U形槽，U形槽的底面固定在石柱上，U形槽的方向被配置为，当太阳能电池箱的底面平行于水平面时，U形槽的U形通槽的中轴线垂直于太阳能电池箱的矩形侧面。本发明通过调整太阳能电池箱的角度而抵御冰雹的冲击，保护了太阳能电池，延长了使用寿命，同时，取消了钢化玻璃、以及EVA材料层，增加太阳能电池板接收的太阳光的总量，显著提高了由太阳能转化成的电能的总量，在偏远无电地区具有较广泛的使用价值。
一种多晶太阳能电池搭载设备

[发明专利]一种新型晶体硅太阳能电池及其制备方法-CN201610696136.X在审
发明人：张杰 -专利权人： 四川英发太阳能科技有限公司
申请日： 2016-08-22 - 公布日： 2016-10-26 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型晶体硅太阳能电池及其制备方法，包括衬底、多晶硅薄膜，衬底与多晶硅薄膜之间设有钝化层，钝化层表面设有氧化硅薄膜，氧化硅薄膜与多晶硅薄膜之间设有上电极；上电极与多晶硅薄膜之间设有P型硅基体层，多晶硅薄膜上设有P‑n结，衬底设置在背面AI电极上；所述背面AI电极与衬底之间设有背面ZnO基薄膜层，P型硅基体层与多晶硅薄膜之间设有正面ZnO基薄膜层，所述正面ZnO基薄膜层、背面ZnO基薄膜层均为ZnO、ZnMgO或ZnCaO薄膜，所述背面AI电极为线状电极，所述背面ZnO基薄膜层的厚度为45—100纳米，所述正面ZnO基薄膜层的厚度为30—100纳米。所述新型晶体硅太阳能电池制备方法简单，便于操作。
一种新型晶体太阳能电池及其制备方法