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[发明专利]氧化钨复合掺氮碳纳米纤维的锂电池负极材料及制备方法-CN202110948062.5有效
发明人：胡志高;杨家轩;敖丽媛;杜绅宇;张金中;姜凯;商丽燕;李亚巍;褚君浩 -专利权人：华东师范大学
申请日： 2021-08-18 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01M4/62 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化钨复合掺氮碳纳米纤维的锂电池负极材料及制备方法，所述锂离子电池负极材料以一维氧化钨纳米线复合一维掺氮的碳纳米纤维，形成嵌入型结构；其制备方法是水热法和静电纺丝法结合。首先水热法制备纳米线结构的蓝色氧化钨，随后依次加入DMF和PAN在70℃下搅拌，随后静电纺丝，再经过两次退火得到氧化钨与掺氮碳纳米纤维的复合材料。随后采取推浆法制备得到锂离子电池负极材料。本发明提升了氧化钨作为负极材料的电池的电学性能，优化了现有的氧化钨复合掺氮碳纳米纤维的制备技术，与纯氧化钨负极体系相比，该电池具有更高的初始库伦效率，更优异的倍率性能和更长的循环性能。
氧化钨复合掺氮碳纳米纤维锂电池负极材料制备方法

[发明专利]基于加热器异面结构低寄生电容相变射频开关制备方法-CN202211198007.X在审
发明人：胡志高;李明;周鑫;李树兵;侯张晨;王林;崔安阳;张金中;姜凯;商丽燕;李亚巍;褚君浩 -专利权人：华东师范大学
申请日： 2022-09-29 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于加热器异面结构低寄生电容相变射频开关及制备方法，所述的射频开关包括衬底，一层相变材料层，一层加热元件层，一层隔热层，一层钝化层和一层射频传输层。处于相变材料层之下的加热元件先向外横向延伸后利用硅通孔技术向下穿透衬底与加热元件的终端电路连接起来，使加热元件终端电路位于加热元件的下方。加热元件终端电路位于相对于相变材料层和射频传输层的不同层间水平，最终实现减少寄生电容的目的，提高了整体器件的射频传输性能。
基于加热器结构寄生电容相变射频开关制备方法

[发明专利]基于人工智能的芯片设计冗余填充方法-CN202110649416.6有效
发明人：李一方;商丽燕;刁鸣晓 -专利权人：青岛海洋科学与技术国家实验室发展中心
申请日： 2021-06-10 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： G06F30/27 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于人工智能的芯片设计冗余填充方法，该方法包括：利用训练好的神经网络对集成电路版图进行填充推理，得到冗余图形填充图；其中，对神经网络进行训练时损失的衡量方法为：根据获取的冗余图形填充模板图获取冗余图形的填充位置标签图像和倾斜角度标签图像；根据训练时神经网络推理得到的填充位置图与填充位置标签图像中每个像素的像素差值衡量第一子损失，根据训练时得到的冗余图形填充图与冗余图形填充模板图的金属密度差值和金属密度梯度差值衡量第二子损失，根据训练时神经网络推理得到的倾斜角度图与倾斜角度标签图像中冗余图形的倾斜角度差值衡量第三子损失，根据各子损失得到对神经网络进行训练时所采用的损失。
基于人工智能芯片设计冗余填充方法

[发明专利]一种嵌入式间接加热型Ge-Sb-Te基相变射频开关及其制备方法-CN202111390963.3在审
发明人：胡志高;李明;周鑫;李树兵;侯张晨;王林;张金中;姜凯;商丽燕;李亚巍;褚君浩 -专利权人：华东师范大学
申请日： 2021-11-23 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种嵌入式间接加热型Ge‑Sb‑Te基相变射频开关及其制备方法，所述的射频相变开关的加热电极嵌入衬底上表面，后依次沉积隔热层、Ge‑Sb‑Te基相变层和射频传输层，每层的图案化由电子束光刻套刻工艺实现，其中Ge‑Sb‑Te基相变层依靠脉冲激光沉积技术实现，嵌入式加热电极通过反应离子刻蚀工艺和电子束蒸发工艺结合来实现。相变射频开关通过脉冲加热使相变材料发生晶态非晶态的转变的同时电阻率发生巨大的变化来实现射频传输的开关。本发明实施例中的相变射频开关的加热方式是嵌入式间接加热，通过使用更厚、更低电阻的加热电极降低了所需的驱动电压，以低制造成本实现了高性能，同时增加了整体器件的平整度和可靠性。
一种嵌入式间接加热 ge sb te 相变射频开关及其制备方法

[发明专利]一种间接加热型Ge-Sb-Te基相变射频开关及其制备方法-CN202111391172.2在审
发明人：胡志高;李明;周鑫;李树兵;张金中;姜凯;商丽燕;李亚巍;褚君浩 -专利权人：华东师范大学
申请日： 2021-11-23 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种间接加热型Ge‑Sb‑Te基相变射频开关及其制备方法，所述的射频相变开关采用四层加工工艺。由下往上分别为加热层、隔热层、Ge‑Sb‑Te基相变层和射频传输层，每层的图案化由电子束光刻套刻工艺实现，其中Ge‑Sb‑Te基相变层依靠脉冲激光沉积技术实现，加热方式为间接加热。相变射频开关通过脉冲加热使相变材料发生晶态非晶态的转变的同时电阻率发生巨大的变化来实现射频传输的开关。本发明实施例中的相变射频开关是在已有的成熟硅半导体加工工艺基础上来制作间接加热型Ge‑Sb‑Te基相变射频开关，从而在可以提高相变开关可靠性的同时，使相变开关的制作工艺变得更简单，成本更低且集成度更好。
一种间接加热 ge sb te 相变射频开关及其制备方法

[发明专利]基于大数据的生产全流程可视化智能管控方法及系统-CN202011336933.X在审
发明人：贾东宁;王美栋;商丽燕 -专利权人：中国海洋大学
申请日： 2020-11-25 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： G06Q10/10 文献下载
摘要：本申请公开了一种基于大数据的生产全流程可视化智能管控方法及系统。所述基于大数据的生产全流程可视化智能管控方法包括：获取缸体组件在制造过程中的生产线数据，所述生产线数据通过多个数据源获取；对所述生产线数据进行数据融合，从而获取融合数据；根据所述融合数据生成管理数据。本发明的基于大数据的生产全流程可视化智能管控方法通过汇集多源异构生产线数据，进行数据融合处理与智能分析，实现对制造大数据的有效管理。通过深度挖掘设备运行数据和产品加工数据之间的关系，对产品全流程数据进行可视化展示，为企业管理者提供辅助决策，充分实现数据价值。
基于数据生产流程可视化智能方法系统

[发明专利]一种碲镉汞表面绝缘层的制备方法-CN201510653717.0在审
发明人：李亚巍;乔琦;商丽燕;褚君浩 -专利权人：华东师范大学
申请日： 2015-10-12 - 公布日： 2016-02-24 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种碲镉汞表面绝缘层的制备方法，该方法基于原子层沉积技术实现，采用臭氧作为氧源，在低于100^oC的条件下在碲镉汞上生长非晶绝缘层。本发明具有反应温度低、绝缘层质量高、可控性好等优点；本发明在红外探测器和自旋器件领域具有广阔的应用前景。
一种碲镉汞表面绝缘制备方法

[发明专利]使用锁相放大技术的自动化磁输运测量系统-CN200810200212.9有效
发明人：褚君浩;孙雷;俞国林;周远明;高矿红;林铁;周文政;商丽燕 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2008-09-22 - 公布日： 2009-02-18 - 主分类号： G01R33/12 文献下载
摘要：本发明设计了一种使用锁相放大技术的自动化磁输运测量系统，可用于精确测量低温强磁场下材料的电学输运相关的性质，如测量磁阻震荡、霍尔效应等。系统主要包括：标准霍尔板样品、低温杜瓦及温控装置、磁体及磁控装置、两台锁相放大器、电流源、反向截止电路、电压源、GPIB控制卡、计算机。测量材料制备成标准霍尔板样品，计算机通过GPIB总线与各个仪器相连，使用程序控制各个仪器进行自动测量，实时显示测量结果，并保存测量结果为数据文件。本系统的主要优点有：1.相对与直流磁输运测量，能够用微小测量电流进行的磁输运测量，减小大电流带来的不利影响，提高了测量精度；2.能够自动改变栅压和磁场，一次测量就给出栅压－磁场相图。
使用放大技术自动化输运测量系统

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