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[发明专利]一种毫米波高精度π型衰减电路-CN202310168925.6有效
发明人： 唐耀宗;吴玥;史文龙;张鲁宁;贾静雯 -专利权人：成都雷电微力科技股份有限公司
申请日： 2023-02-27 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H03H7/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种毫米波高精度π型衰减电路，其包括：输入端传输线、第一电阻A、第二电阻A、电阻B、输出端传输线和介质基板；输入端传输线通过电阻B与输出端传输线连接；输入端传输线和输出端传输线分别与第一电阻A和第二电阻A连接；电阻B与第一电阻A和第二电阻A共同构成π型分压衰减电路，用于对输入端传输线中的毫米波信号的功率进行衰减；输出端传输线用于输出衰减后的毫米波信号；所述输入端传输线、第一电阻A、第二电阻A、电阻B、输出端传输线、接地传输线、匹配传输线A和匹配传输线B均设置在介质基板上。本发明具有结构简单，成本低的优点，在毫米波领域有广泛的应用价值。
一种毫米波高精度衰减电路

[发明专利]一种多频多极化毫米波相控阵雷达接收前端-CN202310173781.3在审
发明人： 唐耀宗;史文龙;吴玥;徐明昊;胡洋 -专利权人：成都雷电微力科技股份有限公司
申请日： 2023-02-28 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： G01S7/285 文献下载
摘要：本发明属于相控阵天线技术领域，特别涉及一种多频多极化毫米波相控阵雷达接收前端。本发明的雷达接收前端包括结构腔体和微波多层板，结构腔体和微波多层板之间连接有公共端射频连接器，微波多层板具有多个无源传输线路层，微波多层板表层安装有CQFN封装管壳和封装检波器芯片，各射频连接端口发出的射频信号的传输线路经过相应无源传输线路层后分别与CQFN封装管壳和封装检波器芯片连接，CQFN封装管壳中集成射频芯片；所述无源传输线路层内设置有与射频信号的传输线路连接的无隔离端四端口90°电桥。本发明提供了一种可接收多种频率的射频信号、可识别相应接收射频信号的极化方式的毫米波相控阵雷达接收前端。
一种多极化毫米波相控阵雷达接收前端

[发明专利]一种三维堆叠大功率TR气密封装组件-CN202210216022.6有效
发明人：阴明勇;廖洁;张奎基;冯琳;薛伟;唐耀宗;徐明昊 -专利权人：成都雷电微力科技股份有限公司
申请日： 2022-03-07 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： H01L23/373 文献下载
摘要：本发明提供了一种三维堆叠大功率TR气密封装组件，包括依次从下至上堆叠的射频TR芯片层、电源及开关驱动层、储能电容层以及盖板，形成气密封装结构；射频TR芯片层、电源及开关驱动层、储能电容层均设有贯通各层的实心过孔，实现各层上下两侧的电气连接；各层之间通过垂直互连结构实现电气互连；射频TR芯片层下侧设有射频输入链路、射频输出链路以及电源和控制信号输入链路；上侧至少设有一个射频TR放大链路；电源及开关驱动层上侧设有电源调制电路与射频开关驱动链路；储能电容层中并联有若干储能电容。本发明解决了大功率TR芯片散热问题、减小脉冲大电流控制线路走线距离、具有更高集成度、气密性能优良、能适应大规模自动化装配。
一种三维堆叠大功率 tr 气密封装组件

[发明专利]一种多频馈电网络、TR模块及相控阵天线-CN202210154719.5有效
发明人： 唐耀宗;丁卓富;徐明昊;张珂;贾静雯;胡洋 -专利权人：成都雷电微力科技股份有限公司
申请日： 2022-02-21 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H01Q21/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种多频馈电网络、TR模块及相控阵天线，馈电网络多层板固定于腔体腔内，射频输入连接器连接馈电网络多层板的第一接口，供电与控制信号连接器连接馈电网络多层板的第二接口；各CQFN封装管壳均设置于馈电网络多层板上，各射频芯片组一一对应封焊于CQFN封装管壳内，各射频输出连接器分别与各CQFN封装管壳一一相连，后端连接TR组件，TR组件连接天线；馈电网络多层板上集成有供电与控制信号线路以及多路传输线路，各路传输线路分别与第一接口和各CQFN封装管壳相连，各路传输线路间存在隔离和屏蔽设施，供电与控制信号线路分别与第二接口和各CQFN封装管壳相连。本发明可实现多频馈电功能和芯片气密功能，集成度高，结构简单，装配难度低。
一种馈电网络 tr 模块相控阵天线

[发明专利]一种瓦片式模块供电转接结构-CN202110305095.8有效
发明人：伍海林;唐耀宗;丁卓富;吴凤鼎;赵伟;王小伟;张磊 -专利权人：成都雷电微晶科技有限公司
申请日： 2021-03-19 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01R13/506 文献下载
摘要：本发明公开了一种瓦片式模块供电转接结构，包括腔体、盖板、射频板、射频供电板和供电转接块，盖板设置于腔体开口。射频板上开有转接块安装槽，转接块安装槽两侧均匀排布第一焊盘。供电转接块对应于转接块安装槽的位置，嵌于射频供电板本体；转接块本体的表层两侧均匀排布第二焊盘，转接块本体的底层两侧均匀排布第三焊盘，第二焊盘与第三焊盘对应导通；各第二焊盘通过水平转接方式分别与供电连接器连接；转接块本体的第三焊盘与射频板本体上的第一焊盘一一匹配连接。本发明将传统通过插针插座的垂直过渡方式转化为水平+垂直过渡，提高结构集成度和空间利用率，保证接触点的匹配关系和良好接触，本发明结构易装配、可拆卸、成本低、可返修性强。
一种瓦片模块供电转接结构

[发明专利]一种W波段具有镜频抑制特性的H面探针过渡结构-CN202111513400.9有效
发明人： 唐耀宗;贾静雯;张珂;周沛翰;邓金峰;薛伟 -专利权人：成都雷电微晶科技有限公司
申请日： 2021-12-13 - 公布日： 2022-02-15 - 主分类号： H01P1/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种W波段具有镜频抑制特性的H面探针过渡结构，包括第一波导结构、介质基片、微带探针、微带约束腔、镜频抑制结构、接地金属、金属过孔和第二波导结构，第一波导结构和第二波导结构同轴连接，两者之间垂直连接介质基片，微带探针、微带约束腔、镜频抑制结构和接地金属均设置于介质基片上靠第二波导结构一面，第二波导结构覆盖微带探针和镜频抑制结构，金属过孔贯穿介质基片、围绕第二波导结构底端面排布。介质基片、微带探针和微带约束腔共同构成探针过渡结构实现射频信号从波导到微带线的过渡功能。利用探针过渡结构和镜频抑制结构的共同作用可以实现射频信号从波导到微带线过渡的同时抑制镜频信号。
一种波段具有抑制特性探针过渡结构

[发明专利]一种高功率双频双极化瓦式有源相控阵天线-CN202111287997.X有效
发明人：周沛翰;丁卓富;邓金峰;阴明勇;唐耀宗 -专利权人：成都雷电微力科技股份有限公司
申请日： 2021-11-02 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： H01Q21/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种高功率双频双极化瓦式有源相控阵天线。波控电路层接入双频信号及电源与控制信号，向后层传递；馈电网络层对低频率射频信号进行通道扩展，以及传递高频率射频信号；第一射频层、第二射频层相互配合，对各射频信号进行射频处理，将处理后的各通道信号传递给阵列天线层，其中，高频率射频信号接入第二射频层。第一射频信号的两路极化信号的各通道输出，两两共用一个天线辐射单元。本设计的有源相控阵天线实现了双频双极化的瓦片式设计，具有高功率、小型化、高集成度的特点。
一种功率双频极化有源相控阵天线

[发明专利]一种TR组件多级链路故障检测结构和方法-CN202111259208.1有效
发明人： 唐耀宗;丁卓富;邓金峰;张珂;贾静雯 -专利权人：成都雷电微力科技股份有限公司
申请日： 2021-10-28 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： G01R29/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种TR组件多级链路故障检测结构和方法，包括公共输入端连接器、第一级功率放大器、矢量调制器、第二级功率放大器、通道输出端连接器；所述第一级功率放大器和第二级功率放大器之间设置耦合功分网络，所述耦合功分网络内设置有检波电路。目的在于通过检波二级管可将耦合器隔离端口的微波能量转换为直流能量，并减少微波能量的反射，提高耦合器的隔离度；还能够将隔离端口的微波能量转换为直流电压并传输到TR组件外部，根据直流电压的高低可以得知耦合器的隔离端口微波能量大小，从而判断TR组件是否有故障并快速定位故障所在位置，提高故障排查效率。
一种 tr 组件多级故障检测结构方法

[发明专利]一种具有滤波特性的波导耦合器-CN202111083461.6有效
发明人： 唐耀宗;丁卓富;薛伟;周沛翰;冯琳 -专利权人：成都雷电微力科技股份有限公司
申请日： 2021-09-16 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： H01P1/208 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有滤波特性的波导耦合器，包括波导，多个波导谐振腔沿波导长边并排设置，相邻波导谐振腔之间通过滤波器耦合结构连通，波导与波导谐振腔之间通过波导耦合腔连通；波导谐振腔的高度较滤波器耦合结构的高度高。波导谐振腔和滤波器耦合结构共同实现滤波功能。调节波导谐振腔和滤波器耦合结构的数量和尺寸可以改变波导滤波器的工作频率和性能，调节波导耦合腔的数量、尺寸和相对位置可以调节波导耦合器的工作频率、耦合系数和其它性能。本设计的波导耦合器具有滤波器和耦合器的功能，结构设计紧密，尺寸相比于传统的波导耦合器差别不大，各部件的尺寸、数量、相对位置可灵活设计，具有低损耗、低成本、便于加工的优点。
一种具有滤波特性波导耦合器

[发明专利]工作于W波段的双波导/多波导通道结构及TR模块-CN202110991815.0有效
发明人：冯琳;丁卓富;唐耀宗;徐明昊 -专利权人：成都雷电微晶科技有限公司
申请日： 2021-08-27 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： H01P5/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种工作于W波段的双波导/多波导通道结构及TR模块。将相邻输出波导通道间的波导缝隙上，通过折弯方式沿垂直于波导缝隙法向凸起形成凸起结构，凸起解耦股上覆盖吸波材料，即得到双波导通道结构，同理扩展即得到多波导通道结构。多波导通道TR模块设置了模块主腔体，在其上相相反面设计敞口的第一侧和第二侧，第一侧通过上层气密盖板密封，其内安装波导盖板和射频供电板，第二侧内安装环形器和供电子板，环形器通过下层气密盖板密封，供电子板盖板盖设于供电子板外侧，供电绝缘子穿过模块主腔体以连接供电子板和射频供电板。本发明在W波段下能够有效避免通道间相互干扰，且能够实现模块的有效气密。
工作波段波导通道结构 tr 模块

[实用新型]一种波导到带状线过渡结构-CN202122099970.X有效
发明人： 唐耀宗;周沛翰;薛伟;丁卓富 -专利权人：成都雷电微晶科技有限公司
申请日： 2021-09-02 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： H01P5/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种波导到带状线过渡结构。第一介质基板和第二介质基板紧密结合，其间设置带状线探针，整体形成带状线结构。波导垂直连接于带状线结构表面，在带状线结构的另一面，镀涂金层。带状线结构内部设置带状线探针，该带状线探针从带状线结构短边边缘一直延伸到长边中央，带状线探针的端部与波导轴向的空气波导的位置对应。本设计的过渡结构具有优良的气密特性，能够与封装芯片直接连接，保证了封装芯片、TR组件的气密性，便于集成。同时，该设计的过渡结构对毫米波的传输损耗小，过渡性能优良。
一种波导带状线过渡结构

[发明专利]一种高选择比蚀刻液、其制备方法及应用-CN202010817231.7有效
发明人：王溯;孙红旗;季峥;刘金霞;张怡;唐耀宗 -专利权人：上海新阳半导体材料股份有限公司
申请日： 2020-08-14 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： C09K13/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种高选择比蚀刻液、其制备方法及应用。该蚀刻液由下述原料制得，所述的原料包括以下质量分数的组分：75％‑85％的磷酸、0.1％‑12％的化合物A和3％‑24％的水，所述的质量分数为各组分质量占各组分总质量的百分比。本发明的蚀刻液对氧化硅和氮化硅的蚀刻速率选择比适当、能够选择性地去除氮化物膜、提升蚀刻液的寿命且能适应层叠结构层数的增加。
一种选择蚀刻制备方法应用

[实用新型]一种瓦片相控阵天线供电转接块-CN202120583753.5有效
发明人：伍海林;唐耀宗;吴凤鼎;赵伟;王小伟;张磊 -专利权人：成都雷电微晶科技有限公司
申请日： 2021-03-19 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： H01R31/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种瓦片相控阵天线供电转接块，包括转接块本体，转接块本体靠底层一侧呈楔形，转接块本体的表层周围排布至少一个第一焊盘，转接块本体的底层周围排布与第一焊盘等量的第二焊盘，表层和底层相对，第一焊盘和第二焊盘通过过渡线一一对应互联，过渡线位于转接块本体内部，过渡线分别与两端的第一焊盘和第二焊盘垂直互联，各第一焊盘上，沿垂直于所连接的过渡线的方向，连接有金丝，各第一焊盘和各第二焊盘，外凸或内凹设计于转接块本体表面。本设计的转接块本体的横截面可为长方形、正方形、圆形或椭圆形等。本设计的供电转接块可提高天线集成度，降低天线装配难度，降低天线故障率，提高天线可靠性。
一种瓦片相控阵天线供电转接

[发明专利]一种毫米波单通道控制TR组件-CN202110617766.4有效
发明人： 唐耀宗;丁卓富;冯琳;周沛翰;薛伟;邓金峰 -专利权人：成都雷电微晶科技有限公司
申请日： 2021-06-03 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： G01S7/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种毫米波单通道控制TR组件，包括组件本体，组件本体的上侧包括多组相互电连接的VM芯片、TR芯片和传输线结构，下侧设置子板和射频供电板，子板上设置连接器，射频供电板上设置DAC芯片，子板与射频供电板电连接；上侧和下侧相对。对应于每一组射频结构，从组件本体的上侧贯穿到下侧均设置有一组绝缘子，射频供电板分别与各绝缘子的一端电连接，各绝缘子的另一端分别与对应射频结构的VM芯片和TR芯片电连接。本设计的TR组件通道间隔离、收发隔离、供电与控制信号和射频信号隔离，可以提高TR组件的控制精度可运行可靠性，节约了设计空间和制作成本，电磁兼容性能好。
一种毫米波通道控制 tr 组件

[发明专利]一种高集成度多波束瓦片式TR组件-CN202110451045.0有效
发明人： 唐耀宗;周沛翰;冯琳;丁卓富;邓金峰;薛伟 -专利权人：成都雷电微晶科技有限公司
申请日： 2021-04-26 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： H04B7/0408 文献下载
摘要：本发明公开了一种高集成度多波束瓦片式TR组件，从射频公共输入端口输入的射频信号经射频控制板上的信号处理电路进行多波束信号功分、幅相调制、功率放大后，经天线输出端口实现射频信号输出；从供电与控制连接器端口输入的供电和控制信号传输到波控子板，经波控子板过渡到射频供电板进行电压转换，经电压转换后的低频信号通过毛纽扣固定板与射频控制板连通，实现供电和控制信号的传输。本发明的TR组件加入了毛纽扣固定板，可以降低装配难度和射频供电板的布线难度，使得供电和控制信号的焊盘大小、位置和分布更加自由，增加DAC芯片和射频处理芯片的集成数量，提高了多波束射频信号TR组件的集成度，具备小型化、高稳定性的特点。
一种集成度波束瓦片 tr 组件

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