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[发明专利]基于自展开折叠翼技术的超大展弦比飞机-CN201710179386.0有效
发明人：陈海昕;周肖鹏 -专利权人：清华大学
申请日： 2017-03-23 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： B64C3/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于自展开折叠翼技术的超大展弦比飞机，包括：机身；固定翼；活动翼组件，活动翼组件包括在展开位置与折叠位置之间可移动的第一活动翼和第二活动翼，飞机起飞时，第一活动翼和第二活动翼处于折叠位置；飞行时，第一活动翼和第二活动翼依靠其气动舵面偏转产生的气动力和力矩及分布式推进系统产生的推力差和力矩偏转移动至展开位置；在巡航结束需要着陆时，第一活动翼和第二活动翼依靠其气动舵面偏转产生的气动力和力矩及分布式推进系统产生的推力差和力矩，偏转移动至折叠位置。根据本发明实施例的基于自展开折叠翼技术的超大展弦比飞机，无需额外的展开驱动机构，可实现长航时飞行，在起飞或着陆时能够适应不同宽度的跑道。
基于展开折叠技术超大展弦比飞机

[发明专利]多连杆式单翼双翼变体飞行器-CN202210408802.0在审
发明人：陈海昕;郭廷宇;周肖鹏;冯良韬;朱晨华 -专利权人：清华大学
申请日： 2022-04-19 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： B64C3/54 文献下载
摘要：本公开提供一种多连杆式单翼双翼变体飞行器，包括：机身；两个内侧机翼分别固定于机身中部靠下的两侧；两个外侧机翼分别可活动地连接于内侧机翼上远离机身的一侧；两组连接杆分别可转动地跨接位于机身同一侧的内侧机翼与外侧机翼，每组连接杆包含平行设置的多根连杆；两组副翼对应设置于两个外侧机翼的后缘，每组副翼包括多段副翼，副翼相对于外侧机翼可偏转以产生气动力和滚转力矩；其中，两个外侧机翼围绕两组连接杆向机身的外侧同步转动直至与两个内侧机翼的外端平齐对接，两个外侧机翼展开形成单翼布局；两个外侧机翼围绕两组连接杆向机身的内侧同步转动直至与机身中部靠上的两侧平齐对接，外侧机翼叠置于内侧机翼上方以形成双翼布局。
连杆单翼双翼变体飞行器

[发明专利]具有水平起降和垂直起降功能的飞行器-CN201610972966.0有效
发明人：陈海昕;张茂权;周肖鹏;杨贵慈 -专利权人：清华大学
申请日： 2016-10-28 - 公布日： 2018-08-28 - 主分类号： B64C27/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有水平起降和垂直起降功能的飞行器，包括：机身，机身上设有起落架；机翼，机翼设在机身的左右两侧；尾翼，尾翼设在机身的尾部；主螺旋桨，主螺旋桨设在机身或机翼上；油动活塞发动机；副螺旋桨，副螺旋桨包括四个，且四个副螺旋桨被分成两组，每组包括两个副螺旋桨，其中第一组副螺旋桨设在位于机身左侧的机翼上，第一组副螺旋桨中的两个副螺旋桨通过第一连杆相连；第二组副螺旋桨设在位于机身右侧的机翼上，第二组副螺旋桨中的两个副螺旋桨通过第二连杆相连；驱动组件；伺服机构，伺服机构设在机翼上驱动第一连杆和第二连杆转动。根据本发明实施例的飞行器，解决了传统飞行器垂直起降转平飞过程难度大、动力系统匹配困难及耦合控制难度大的问题。
飞行器

[实用新型]一种基于倾转涵道的单升力涵道垂直起降飞机-CN201721275191.8有效
发明人：陈海昕;周肖鹏;张茂权 -专利权人：清华大学
申请日： 2017-09-29 - 公布日： 2018-05-29 - 主分类号： B64C27/26 文献下载
摘要：本实用新型公开了基于倾转涵道的单升力涵道垂直起降飞机，涉及飞行器。该垂直起降飞机包括机身、两个机翼、N个倾转涵道风扇、单个升力涵道风扇及涵道罩。机翼对应设置在机身的中后部的两侧且每一机翼由侧部向外伸展而成。每组倾转涵道风扇对应安装在机身的两侧，每个倾转涵道风扇通过对应的连接件与机身转动连接。单个升力涵道风扇嵌入安装在机身与两个机翼之间。涵道罩安装在单个升力涵道风扇的上部并可打开或关闭。本实用新型通过倾转涵道风扇提供垂直起降阶段的姿态控制和水平飞行阶段的推进，通过单个升力涵道风扇提供垂直起降阶段的主要升力，不但实现了垂直起降，而且将升力与姿态控制部分解耦，从而降低了本实用新型动力特性的复杂度，提高了可靠性。
升力涵道倾转机身垂直涵道风扇风扇涵道机翼本实用新型姿态控制升力飞机动力特性嵌入安装水平飞行转动连接复杂度可打开连接件中后部飞行器解耦伸展

[实用新型]一种基于倾转涵道的双升力涵道垂直起降飞机-CN201721275228.7有效
发明人：陈海昕;周肖鹏;张茂权 -专利权人：清华大学
申请日： 2017-09-29 - 公布日： 2018-05-29 - 主分类号： B64C27/28 文献下载
摘要：本实用新型公开了基于倾转涵道的双升力涵道垂直起降飞机，涉及飞行器。该垂直起降飞机包括机身、两个机翼、N个倾转涵道风扇、两个升力涵道风扇及两个涵道罩。机翼对应设置在机身的中后部的两侧且每一机翼由侧部向外伸展而成。每组倾转涵道风扇对应安装在机身的两侧，每个倾转涵道风扇通过对应的连接件与机身转动连接。两个升力涵道风扇嵌入安装在两个机翼中。两个涵道罩安装在两个升力涵道风扇的上部并可打开或关闭。本实用新型通过倾转涵道风扇提供垂直起降阶段的姿态控制和水平飞行阶段的推进，通过两个升力涵道风扇提供垂直起降阶段的主要升力。不但实现了垂直起降，而且将升力与姿态控制部分解耦，从而降低了本实用新型动力特性的复杂度，提高了可靠性。
升力涵道倾转垂直涵道风扇风扇机身涵道机翼本实用新型姿态控制升力飞机动力特性嵌入安装水平飞行转动连接复杂度可打开连接件中后部飞行器解耦伸展

[实用新型]基于自展开折叠翼技术的超大展弦比飞机-CN201720294253.3有效
发明人：陈海昕;周肖鹏 -专利权人：清华大学
申请日： 2017-03-23 - 公布日： 2017-11-17 - 主分类号： B64C3/56 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于自展开折叠翼技术的超大展弦比飞机，包括机身；固定翼；活动翼组件，活动翼组件包括在展开位置与折叠位置之间可移动的第一活动翼和第二活动翼，飞机起飞时，第一活动翼和第二活动翼处于折叠位置；飞行时，第一活动翼和第二活动翼依靠其气动舵面偏转产生的气动力和力矩及分布式推进系统产生的推力差和力矩偏转移动至展开位置；在巡航结束需要着陆时，第一活动翼和第二活动翼依靠其气动舵面偏转产生的气动力和力矩及分布式推进系统产生的推力差和力矩，偏转移动至折叠位置。根据本实用新型的基于自展开折叠翼技术的超大展弦比飞机，无需额外的展开驱动机构，可实现长航时飞行，在起飞或着陆时能够适应不同宽度的跑道。
基于展开折叠技术超大展弦比飞机

[实用新型]一种氮化镓高电子迁移率晶体管-CN200920114676.8无效
发明人：程知群;周肖鹏;张胜;周伟坚;胡莎 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2009-03-02 - 公布日： 2010-07-21 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种氮化镓高电子迁移率晶体管。本实用新型包括基底，基底上依次外延生长有缓冲层、插入层、隔离层、势垒层和帽层，晶体管的栅极、源极和漏极位于帽层上，缓冲层为厚度是2.5μm的GaN，插入层为厚度是4nm的Al0.04Ga0.96N，隔离层为厚度是3nm的Al0.31Ga0.69N，势垒层为掺杂硅元素的Al0.31Ga0.69N，掺杂浓度为3.5×1018cm-3，厚度为20nm，帽层为厚度是2nm的帽层Al0.31Ga0.69N。本实用新型通过改变器件的外延层结构，同时优化外延层结构的相关参数，使得器件在工作时栅极电压在一定范围工作范围内器件的跨导变化很小，器件具有较高的线性度。
一种氮化电子迁移率晶体管

[实用新型]一种高频高线性氮化镓高电子迁移率晶体管-CN200920190766.5无效
发明人：程知群;胡莎;周肖鹏;周伟坚 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2009-08-06 - 公布日： 2010-05-19 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种高频高线性氮化镓高电子迁移率晶体管。传统技术无法满足高功率器件的要求。本实用新型器件包括基底，基底上依次外延生长有缓冲层、插入层、隔离层、势垒层，晶体管的栅极、源极和漏极位于势垒层上。其中基底为蓝宝石、硅或碳化硅、缓冲层为GaN、插入层为Al0.04Ga0.96N、隔离层为AlN、势垒层为非掺杂Al0.27Ga0.73N、栅极金属为镍/金、源极金属为钛/铝/镍/金、漏极金属为钛/铝/镍/金。本实用新型通过改变器件的外延层结构，同时优化外延层结构的相关参数，使得器件在工作时栅极电压跨导变化很小，也即器件具有较高的线性度和较高的特征频率。
一种高频线性氮化电子迁移率晶体管

[发明专利]提高氮化镓高电子迁移率晶体管特征频率和线性度的方法-CN200910100977.X有效
发明人：程知群;周肖鹏;周伟坚;胡莎 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2009-08-06 - 公布日： 2010-01-06 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明涉及提高氮化镓高电子迁移率晶体管特征频率和线性度的方法。本发明方法采用了非掺杂势垒层Al_xGa_1-xN，用AlN作隔离层，并在AlN缓冲层GaN之间插入一层低Al组分y的插入层Al_yGa_1-yN层，形成Al_xGa_1-xN/AlN/Al_yGa_1-yN/GaN结构的HEMT。通过优化势垒层Al_xGa_1-xN层的厚度、Al组分x的值、AlN层的厚度、插入层Al_yGa_1-yN的厚度和Al组分y的值，使得在AlN/Al_yGa_1-yN结之间形成的主二维电子气中的载流子迁移率最大，横向电场降低到一个适度的值。横向电场的降低是通过在Al_yGa_1-yN/GaN异质结界面形成的次二维电子气对主二维电子气形成屏蔽作用达到。最后获得的器件栅压较大范围内变化时，跨导变化比较小，实现器件的最大特征频率和线性度。
提高氮化电子迁移率晶体管特征频率线性方法

[发明专利]提高氮化镓高电子迁移率晶体管线性度的方法-CN200910096412.9无效
发明人：程知群;周肖鹏;张胜;周伟坚;胡莎 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2009-03-02 - 公布日： 2009-07-22 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明涉及提高氮化镓高电子迁移率晶体管线性度的方法。本发明方法在常规结构AlxGa1-xN/GaN的隔离层AlxGa1-xN与缓冲层GaN之间插入Al_yGa_1-yN插入层，形成Al_xGa_1-xN/Al_yGa_1-yN/GaN结构的HEMT。通过优化势垒层Al_xGa_1-xN层的厚度、Al组分x的值和掺杂浓度、插入层Al_yGa_1-yN的厚度和Al组分x的值，使得在Al_xGa_1-xN/Al_yGa_1-yN结之间形成的主2DEG(二维电子气)中的横向电场E_T降低到一个适度的值。本发明方法获得的器件栅压较大范围内变化时，跨导变化比较小，实现器件的最大线性度。
提高氮化电子迁移率晶体管线性方法

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